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cmos

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CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

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cmos技術(shù)

工業(yè)面陣相機(jī)成像原理及分類(lèi)

工業(yè)面陣相機(jī)成像原理及分類(lèi)

面陣相機(jī)主要采用的連續(xù)的、面狀掃描光線(xiàn)來(lái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的檢測(cè),可以一次性獲取完整的目標(biāo)圖像,并能及時(shí)進(jìn)行圖像采集的相機(jī)。

2024-03-22 標(biāo)簽:CMOS圖像傳感器光電器件 1478 0

什么是BCD工藝?BCD工藝與CMOS工藝對(duì)比

什么是BCD工藝?BCD工藝與CMOS工藝對(duì)比

BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)和DMOS(雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管技術(shù)組合...

2024-03-18 標(biāo)簽:CMOS晶體管電磁干擾 8055 0

全面解析數(shù)字電路基礎(chǔ)知識(shí)

全面解析數(shù)字電路基礎(chǔ)知識(shí)

模擬電路:用連續(xù)的模擬電壓 / 電流值來(lái)表示信息 數(shù)字電路:用一個(gè)離散的電壓序列來(lái)表示信息

2024-03-13 標(biāo)簽:CMOS模擬電路門(mén)電路 2991 0

使用OVM6946和OV426設(shè)計(jì)內(nèi)窺鏡吧!

使用OVM6946和OV426設(shè)計(jì)內(nèi)窺鏡吧!

這四個(gè)型號(hào)區(qū)別不大,主要是尺寸,不帶M的直接一個(gè)CMOS,但是這樣的尺寸對(duì)鏡頭要求極高,那么帶M的就是自帶了鏡頭。另外46和48的CMOS價(jià)格差一半,然...

2024-03-13 標(biāo)簽:CMOS圖像傳感器攝像頭 5701 1

關(guān)于射頻學(xué)習(xí)的問(wèn)題總結(jié)

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請(qǐng)問(wèn)一下,你們遇到過(guò)開(kāi)著HB仿真和關(guān)著HB仿真,兩者小信號(hào)有區(qū)別的情況嗎?增益會(huì)掉兩個(gè)dB,回?fù)芤猜杂胁煌?/p>

2024-03-13 標(biāo)簽:CMOS射頻仿真器 1269 0

艾為推出AWS790X2系列低噪聲CMOS運(yùn)算放大器

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該運(yùn)算放大器的單位增益穩(wěn)定,并具有超低的輸入偏置電流,非常適合傳感器接口、有源濾波器、工業(yè)和便攜式應(yīng)用。

2024-03-12 標(biāo)簽:CMOS運(yùn)算放大器有源濾波器 366 0

CMOS 2.0:為何CMOS技術(shù)邁入全新階段?

CMOS 2.0:為何CMOS技術(shù)邁入全新階段?

CMOS 是 20 世紀(jì) 60 年代構(gòu)建微處理器的技術(shù)選擇。使晶體管和互連器件變得更小,以使其更好地工作 60、70 年。但這種情況已經(jīng)開(kāi)始崩潰。

2024-03-11 標(biāo)簽:CMOS芯片設(shè)計(jì)晶體管 839 0

深度解析半導(dǎo)體工藝與分類(lèi)

深度解析半導(dǎo)體工藝與分類(lèi)

1950年發(fā)明,早期模擬電路廣泛使用BIPOLAR工藝,BIPOALR工藝可以做到非常低的漏電,非常低的噪聲,但是BIPOLAR最大問(wèn)題是實(shí)現(xiàn)數(shù)字電路比...

2024-03-08 標(biāo)簽:集成電路CMOS三極管 6979 0

電遷移導(dǎo)致半導(dǎo)體失效的機(jī)理探討

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SRAM工藝的處理器是通過(guò)CMOS內(nèi)部管道切換的方式工作,其產(chǎn)品處理速度較高,被眾多用戶(hù)接受。但是,CMOS工藝有一個(gè)致命缺陷,由于工藝原因,伴隨CMO...

2024-02-29 標(biāo)簽:處理器FPGACMOS 990 0

為什么GaN被譽(yù)為下一個(gè)主要半導(dǎo)體材料?

擁有能夠在高頻下高功率運(yùn)行的半導(dǎo)體固然很好,但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢(shì),但有一個(gè)主要缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力:缺乏 P -類(lèi)型。

2024-02-29 標(biāo)簽:CMOSNMOS半導(dǎo)體材料 595 0

2納米芯片的背面供電技術(shù)分析

2納米芯片的背面供電技術(shù)分析

在英特爾簡(jiǎn)化的工藝流程中(見(jiàn)圖 5),該工藝首先制造出鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finFET)或全柵極晶體管,然后蝕刻納米硅片并填充鎢或其他低電阻金屬。

2024-02-28 標(biāo)簽:CMOS英特爾直流電阻 1006 0

GeSiSPAD器件的基準(zhǔn)和概念

GeSiSPAD器件的基準(zhǔn)和概念

作者報(bào)告了采用CMOS兼容制造工藝制造的15 μm直徑的鍺硅(GeSi)SPAD,并在室溫下對(duì)其進(jìn)行表征,以證明其高性能。作者定義了噪聲等效功率(NEP...

2024-02-25 標(biāo)簽:CMOS二極管接觸電阻 668 0

實(shí)現(xiàn)相機(jī)圖像色彩真實(shí)還原的關(guān)鍵技術(shù)與方法

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通過(guò)上面這樣的方式,可以將上面無(wú)色彩的灰度圖像處理得到下圖所示的紅綠藍(lán)強(qiáng)度圖,可以看出初始的圖像偏綠,這不是人們所想要的圖像。

2024-02-25 標(biāo)簽:CMOSCCDRGB 2052 0

cmos或非門(mén)電路與ttl或非門(mén)電路的邏輯功能

本文就CMOS或非門(mén)電路和TTL或非門(mén)電路的邏輯功能進(jìn)行了詳細(xì)講解。首先介紹了CMOS和TTL兩種電路的基本原理和實(shí)現(xiàn)方式。然后分別從輸入特性、輸出特性...

2024-02-22 標(biāo)簽:CMOSTTL非門(mén)電路 4632 0

ttl驅(qū)動(dòng)cmos主要考慮什么匹配 ttl電路驅(qū)動(dòng)cmos電路的方法

TTL驅(qū)動(dòng)CMOS主要考慮什么? 當(dāng)我們需要將兩種不同種類(lèi)的電路連接在一起時(shí),例如TTL和CMOS,我們需要確保它們之間的適配和兼容性。 TTL(轉(zhuǎn)is...

2024-02-22 標(biāo)簽:集成電路CMOS電壓電平 3693 0

2023年工業(yè)視覺(jué)缺陷檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)分享

2023年工業(yè)視覺(jué)缺陷檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)分享

表面缺陷檢測(cè)任務(wù)是指通過(guò)對(duì)產(chǎn)品表面進(jìn)行仔細(xì)的檢查和評(píng)估,以發(fā)現(xiàn)和識(shí)別任何不符合質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)或設(shè)計(jì)要求的表面缺陷。這項(xiàng)任務(wù)的目的是確保產(chǎn)品的外觀質(zhì)量和功能性滿(mǎn)...

2024-02-21 標(biāo)簽:CMOSgpuNPU 1395 0

SRAM CLA和SRAM有什么區(qū)別

SRAM CLA和SRAM有什么區(qū)別

每個(gè)SRAM單元的核心由兩個(gè)CMOS反相器構(gòu)成,這兩個(gè)反相器相互連接,每個(gè)反相器的輸出電位被用作另一個(gè)反相器的輸入。這種結(jié)構(gòu)使得每個(gè)SRAM單元都可以保...

2024-02-19 標(biāo)簽:CMOS存儲(chǔ)器sram 1290 0

異或門(mén)兩種常見(jiàn)的實(shí)現(xiàn)方式

異或門(mén)兩種常見(jiàn)的實(shí)現(xiàn)方式

這兩種實(shí)現(xiàn)方式都能夠?qū)崿F(xiàn)異或門(mén)的功能,具體的選擇取決于設(shè)計(jì)需求和邏輯門(mén)的可用性。實(shí)際構(gòu)建異或門(mén)時(shí),可以使用離散電子元件(如晶體管、二極管等)或整合電路芯...

2024-02-04 標(biāo)簽:CMOSTTL反相器 1.5萬(wàn) 0

ttl和cmos多余輸入端如何處理

對(duì)于CMOS電路而言,多余的輸入端是不會(huì)影響電路的運(yùn)行的,因?yàn)镃MOS電路使用的是恒定電流源和MOSFET器件,不存在浮置輸入問(wèn)題。

2024-02-04 標(biāo)簽:集成電路CMOSTTL 3561 0

二進(jìn)制與邏輯電平的變化范圍

二進(jìn)制與邏輯電平的變化范圍

二進(jìn)制中的兩個(gè)數(shù)字0和1稱(chēng)為位(bit, 是二進(jìn)制數(shù)字binary digit的縮寫(xiě))。在數(shù)字電路中,使用兩個(gè)不同的電平表示這兩個(gè)位。一般情況下,1 用...

2024-02-04 標(biāo)簽:CMOS二進(jìn)制數(shù)字電路 2003 0

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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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