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標(biāo)簽 > cmos
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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左右后視鏡處或下方車身處 側(cè)視攝像頭主要是用于盲點(diǎn)監(jiān)測(cè)BSD,根據(jù)安裝位置可以實(shí)現(xiàn)前視或后視作用。目前大部分主機(jī)廠會(huì)選擇安裝在汽車兩側(cè)的后視鏡下方的位置...
上下拉電阻能否增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力?
一個(gè)最簡(jiǎn)單的二極管與門如下圖。與門實(shí)現(xiàn)邏輯與操作Y=A&B,即A或者B任意為L(zhǎng)的時(shí)候,輸出Y為L(zhǎng),只有當(dāng)A和B都為H時(shí),Y才為H。
芯片設(shè)計(jì)都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up
閂鎖效應(yīng),latch up,是個(gè)非常重要的問題?,F(xiàn)在的芯片設(shè)計(jì)都不可避免的要考慮它。我今天就簡(jiǎn)單地梳理一下LUP的一些問題。
2023-12-01 標(biāo)簽:CMOS芯片設(shè)計(jì)BJT 4377 0
事實(shí)上,用于移動(dòng)設(shè)備的熱感相機(jī)附件正變得越來越流行,而且非常實(shí)惠,一些加固型手機(jī)甚至集成了這些附件。熱成像器開始滲透智能家居有了物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,用不了多久,...
3D亞納米時(shí)代,CMOS邏輯電路如何發(fā)展?
一種有些不尋常的方法是研究多層互連過程(BEOL)中的存儲(chǔ)器等構(gòu)建元件。多層布線下面通常是CMOS邏輯電路。因此,理論上,BEOL中內(nèi)置的元件不會(huì)增加硅...
全CMOS結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)電壓源電路原理分析
本次仿真的是2018年的論文[1],無三極管和電阻的,利用CMOS亞閾值導(dǎo)電指數(shù)特性做溫度補(bǔ)償替代三極管,極大減小了面積和功耗,能在低壓工作,溫度特性好...
本次仿真的是2006年的論文[1],結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,無三極管,利用CMOS亞閾值導(dǎo)電指數(shù)特性做溫度補(bǔ)償替代三極管,極大減小了面積和功耗,能在低壓工作,但是溫度...
之前預(yù)言的項(xiàng)目暫停了,為之而做的硬件設(shè)備也就暫時(shí)沒人用了,正好多出來一個(gè)工業(yè)相機(jī),想著里面到底是什么樣子,于是乎突發(fā)奇想,拆開來瞅瞅。
銀 (Ag): 導(dǎo)電漿料:用于某些先進(jìn)的封裝技術(shù)。 電鍍:電鍍錫銀合金 鎳 (Ni): 硅化物形成:與硅反應(yīng)形成鎳硅化物,用于某些接觸應(yīng)用。 磁性金屬:...
隨著工業(yè)相機(jī)的普及,大家對(duì)芯片AOI技術(shù)的認(rèn)識(shí)也越來越深刻,可是仍然有很多人弄不清楚,本文即旨在幫助大家徹底弄清楚ROI、BIN、SKIP 這幾種sen...
XC6705系列是CMOS工藝高速LDO電壓穩(wěn)壓器IC,可實(shí)現(xiàn)高精度和高紋波抑制,同時(shí)低電源電流(1.2μA)。
2023-11-10 標(biāo)簽:CMOS驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 1320 0
雙光子光刻技術(shù)能夠精確制備三維結(jié)構(gòu),并將其精準(zhǔn)集成在光電芯片上,能夠在光纖-芯片以及芯片-芯片之間,構(gòu)建大帶寬、低損耗的光信號(hào)鏈路,實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的高效互連...
關(guān)于數(shù)字處理技術(shù)部分的路線圖介紹
EUV 超薄 (≤10nm)尺度的光刻膠:隨著特征尺寸的縮小,光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊,以防止聚...
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