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標(biāo)簽 > cmp
CMP指令是由美國斯坦福大學(xué)提出的,英文名稱是Chip multiprocessors,翻譯成中文就是單芯片多處理器,也指多核心其思想是將大規(guī)模并行處理器中的SMP(對稱多處理器)集成到同一芯片內(nèi),各個(gè)處理器并行執(zhí)行不同的進(jìn)程。與CMP比較, SMT處理器結(jié)構(gòu)的靈活性比較突出。
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TSV 是目前半導(dǎo)體制造業(yè)中最為先進(jìn)的技術(shù)之一,已經(jīng)應(yīng)用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實(shí)現(xiàn)其制程的關(guān)鍵設(shè)備選擇與工藝選擇息息相關(guān), 在某種程度上直接決定了 TSV 的...
碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。
濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料,達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
信號(hào)完整性從系統(tǒng)級考慮的話,那就是Die-->Package-->PCB。Package部分的難點(diǎn)就是制程能力。
2023-02-06 標(biāo)簽:pcb信號(hào)完整性CMP 2565 0
在芯片制造制程和工藝演進(jìn)到一定程度、摩爾定律因沒有合適的拋光工藝無法繼續(xù)推進(jìn)之時(shí),CMP技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,是集成電路制造過程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。...
拋光液必須現(xiàn)場調(diào)配,立即使用。通過測量容積或液位實(shí)時(shí)確保各種成分的配比,實(shí)現(xiàn)現(xiàn)配現(xiàn)磨。先進(jìn)的芯片制程采用非接觸式的稱重計(jì)量法來做配比,采用自動(dòng)化的高精密...
CMP指令有三個(gè)操作數(shù):兩個(gè)源操作數(shù)[S1.]和[S2.],一個(gè)目標(biāo)操作數(shù)[D.],該指令將[S1.]和[S2.]進(jìn)行比較,結(jié)果送到[D.]中。CMP指...
寄存器CMP_CTRLSTS的CMPBLANKING[2:0]位用于選擇比較器消隱窗口的來源,該功能可以用于防止電流調(diào)節(jié)在PWM起始時(shí)刻產(chǎn)生的尖峰電流。
輸入指令上方操作數(shù)占位符中的第一個(gè)比較值(< 操作數(shù) 1>)。輸入指令下方操作數(shù)占位符中的第二個(gè)比較值(< 操作數(shù) 2>)。
比較器同相和反相輸入源可選:— I/O引腳— 內(nèi)部參考電壓和三個(gè)系數(shù)分壓值(1/4,1/2,3/4)
半導(dǎo)體裝置為了達(dá)成附加值高的系統(tǒng)LSI,需要高集成化,高速化,這其中新的布線材料,絕緣膜是不可缺少的。其中,具有低電阻的Cu,作為布線材料受到關(guān)注?;瘜W(xué)...
半導(dǎo)體的制造以硅晶圓為起點(diǎn),經(jīng)過形成前工序的晶體管的FEOL,插頭形成的MOL,以及連接晶體管作為電子電路發(fā)揮作用的布線工序的BEOL,形成器件芯片,在...
CMP裝置被應(yīng)用于納米級晶圓表面平坦化的拋光工藝。拋光顆粒以各種狀態(tài)粘附到拋光后的晶片表面。必須確實(shí)去除可能成為產(chǎn)品缺陷原因的晶圓表面附著物,CMP后的...
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性,已成為短波長發(fā)射器(發(fā)光二極管和二極管激光器)和探測器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體,以及高功率和高溫電子器件。...
當(dāng)比較指令的操作數(shù)不完整,(如只指定一個(gè)或二個(gè)操作數(shù)),指定的操作數(shù)不符合要求(如把X D T C 指定為目標(biāo)操作數(shù)),或者指定的操作數(shù)的元件超出了允許...
如何構(gòu)建CMP模型 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在CMP輪廓建模中的應(yīng)用
CMP 建模有很長的歷史,包括單材料和雙材料拋光的建模,以及眾多沉積和蝕刻工藝的建 模 [6]。
2021-01-30 標(biāo)簽:集成電路CMP機(jī)器學(xué)習(xí) 6771 0
CMP拋光材料的介紹和應(yīng)用領(lǐng)域及市場分析
1)在單晶硅片制造環(huán)節(jié),單晶硅片首先通過化學(xué)腐蝕減薄,此時(shí)粗糙度在 10-20μm,在進(jìn)行粗拋光、細(xì)拋光、精拋光等步驟,可將粗糙度控制在幾十個(gè) nm 以...
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