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標(biāo)簽 > ddr
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。
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初期DDR5可提供超過DDR4 50%數(shù)據(jù)傳輸率,最終預(yù)期可達2.6倍8.4Gbps?;仡橨EDEC SDRAM歷代演進,提升幅度還算驚人,但到頭來也只...
開關(guān)電源為什么要接假負載?答案給你總結(jié)好了
C可以理解為三極管的集電極Collector或者電路Circuit,指電源正極。
2022-09-18 標(biāo)簽:開關(guān)電源存儲器DDR 3342 0
ISERDESE2 在 SDR 模式下數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的位寬可以為 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8bit,在 DDR 模式時,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換位寬為 4、 6、...
在你的應(yīng)用程序里內(nèi)存的訪問帶寬能夠達到多少?
所以內(nèi)存的帶寬并沒有你想象的那么快,在隨機IO工作模式的情況下,帶寬只有474M而已?,F(xiàn)在SSD固態(tài)硬盤順序IO也差不多能達到這個數(shù)量級了。所以,我們以...
內(nèi)存的工作頻率也從DDR時代的266MHz進化到了今天的3200MHz。這個頻率在操作系統(tǒng)里叫Speed、在內(nèi)存術(shù)語里叫等效頻率、或干脆直接簡稱頻率。
2022-08-30 標(biāo)簽:DDR內(nèi)存Linux系統(tǒng) 1971 0
DRAM進入到下一個發(fā)展階段,其未來技術(shù)路線如何呢?
在半導(dǎo)體存儲器中,按照電源關(guān)斷后數(shù)據(jù)能否被保存可分為ROM(Read Only Memory只讀存儲器,關(guān)閉電源仍可保留數(shù)據(jù))和RAM(Random A...
搭建一個通用MicroBlaze最小系統(tǒng)+一個外設(shè)
MicroBlaze是AMD-Xilinx提供的一個可以在FPGA中運行的嵌入式軟核IP,其本質(zhì)是一個32位RISC處理器軟核。
在手機中有三大件組成:CPU、內(nèi)存DDR、存儲設(shè)備(EMMC/UFS等),內(nèi)存用以臨時存儲程序運行時所需的數(shù)據(jù)(掉電數(shù)據(jù)丟失),而存儲設(shè)備用以長久保存數(shù)...
瑞薩半導(dǎo)體副總裁兼總經(jīng)理拉米·塞西對此表示同意。“人們普遍承認DDR總線在支持多時隙配置方面的能力將隨著時間的推移而變得越來越困難。當(dāng)你以每秒6、7、8...
一站式定制芯片及IP供應(yīng)商燦芯半導(dǎo)體推出兩項創(chuàng)新技術(shù)用于DDR物理層
一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency (零延遲)和True-Adaptive(真自適應(yīng))...
燦芯半導(dǎo)體推出用于高速DDR物理層中的兩項創(chuàng)新技術(shù)
Zero-Latency (零延遲) 技術(shù)在讀數(shù)據(jù)通路上,采用了兩種可選的、獨特的采樣方式進行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,而不像其他DDR物理層供貨商采用FIFO進行跨時...
2022-07-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DDR燦芯半導(dǎo)體 1045 0
有效地向芯片供電需要降低從芯片電源和接地節(jié)點向外看的供電網(wǎng)絡(luò)的輸入阻抗。封裝類型和芯片到封裝基板互連技術(shù)是整個系統(tǒng)供電網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵組成部分。
使用OpenCL for FPGA設(shè)計200萬點頻域濾波器
本文介紹如何使用 Altera OpenCL SDK for FPGA 設(shè)計 200 萬點頻域濾波器。所有功能驗證均使用軟件樣式的仿真完成,并且每個...
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