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離散傅里葉變換（Discrete Fourier Transform，DFT）傅里葉分析方法是信號(hào)分析的最基本方法，傅里葉變換是傅里葉分析的核心，通過(guò)它把信號(hào)從時(shí)間域變換到頻率域，進(jìn)而研究信號(hào)的頻譜結(jié)構(gòu)和變化規(guī)律。

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開(kāi)發(fā)一種新型的Ir基催化劑

NOx，包括NO和NO2，是空氣污染物的主要組成部分，這些廢氣中還含有CO。從廢氣中去除NOx和CO變得越來(lái)越緊迫。

2022-10-28 標(biāo)簽：DFT 1915 0

介紹一種新型的可充電鋅-肼(Zn-Hz)電池

氫(H2)具有高能量密度和零排放污染的優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是傳統(tǒng)化石燃料的理想替代品。電解水是一種不排放二氧化碳、生產(chǎn)高純度H2 (95%)的有效方法。

2022-10-27 標(biāo)簽：充放電 DFT EDS 2317 0

FIR數(shù)字濾波器具有線性相位的充分條件是什么？

這就是證明的方式。請(qǐng)同學(xué)們理解這個(gè)過(guò)程。在課堂上，我將x(n)換成了n，結(jié)果很多同學(xué)就有點(diǎn)蒙了。

2022-10-24 標(biāo)簽：數(shù)字濾波器 FIR DFT 2585 0

用晶面工程方法設(shè)計(jì)具有高容量和快速電化學(xué)動(dòng)力學(xué)的MOF基電極

金屬有機(jī)骨架(MOFs)作為一種有前途的電極材料，越來(lái)越受到科研界的關(guān)注。但是，大多數(shù)研究中都是直接使用MOF電極作為電極材料而不進(jìn)行任何修飾。

2022-10-24 標(biāo)簽：電容器堿性電池 PFC 2222 0

基于超薄MXene基異質(zhì)結(jié)雙向催化的大載量鋰硫電池介紹

近來(lái)，催化作用被認(rèn)為是解決鋰硫電池緩慢的電化學(xué)反應(yīng)和穿梭效應(yīng)的有效手段。同時(shí)，二維MXene材料因其超高的電導(dǎo)率和獨(dú)特的二維結(jié)構(gòu)在儲(chǔ)能材料領(lǐng)域獲得了廣泛研究。

2022-10-18 標(biāo)簽：DFT 鋰硫電池 XPS 2051 0

利用簡(jiǎn)單的熔鹽處理改善石榴石的空氣穩(wěn)定性和界面兼容性

石榴石型電解質(zhì)由于其高離子傳導(dǎo)性和寬廣的電化學(xué)窗口，在固態(tài)鋰電池的應(yīng)用中表明出巨大的潛力。

2022-10-17 標(biāo)簽：電解質(zhì)DFT 鋰金屬電池 1851 0

FIR數(shù)字濾波器具有線性相位的充分條件是什么？

FIR數(shù)字濾波器具有線性相位的充分條件是什么？IIR濾波器的基本結(jié)構(gòu)分為直接I型、直接II型、還有哪兩種呢？

2022-10-12 標(biāo)簽：數(shù)字濾波器數(shù)字信號(hào)處理 DFT 2.5萬(wàn) 0

界面工程調(diào)控NiCoP/NiO核殼結(jié)構(gòu)電催化劑用于鋅空氣電池和電解水

本研究結(jié)合異質(zhì)界面工程和空位工程來(lái)合成TMPs基復(fù)合電催化材料，用于加快氧/氫電化學(xué)催化反應(yīng)，并揭示其本征的“結(jié)構(gòu)-活性”關(guān)系，對(duì)優(yōu)化其儲(chǔ)能催化性能具有...

2022-10-08 標(biāo)簽：DFT EPR 充電電壓 4020 0

利用可持續(xù)方法獲得綠色能源的電催化分解水制氫

電催化分解水制氫是利用可持續(xù)方法獲得綠色能源的有效策略。通常將Pt、Ir或Ru基金屬分別用作析氫反應(yīng) (HER) 和析氧反應(yīng) (OER) 的電催化劑。

2022-09-29 標(biāo)簽：DFT 傅里葉變換 4499 0

利用嵌入式基體材料進(jìn)行電化學(xué)提取鋰

通過(guò)計(jì)算和實(shí)驗(yàn)研究，證明了鋰和鈉在宿主中傾向于相分離?；诖俗饔脵C(jī)制，通過(guò)調(diào)節(jié)非平衡固溶體中鋰含量調(diào)節(jié)Na+嵌入能壘。

2022-09-28 標(biāo)簽：嵌入式系統(tǒng)鋰離子 DFT 2055 0

汽車(chē)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的單一事件顛覆影響評(píng)估方法

每個(gè)內(nèi)存測(cè)試的特點(diǎn)是有一定的電流消耗水平。通常，這種水平在測(cè)試執(zhí)行過(guò)程中不是恒定的，而且在許多情況下，峰值可能會(huì)出現(xiàn)在平均水平上。

2022-09-27 標(biāo)簽：處理器 soc SoC芯片 1150 0

電路分析中的ZT和DFT

簡(jiǎn) 介：這學(xué)期的信號(hào)與系統(tǒng)進(jìn)展到第五章，拉普拉斯變換與 z 變換。前幾天看到一篇博文中對(duì)于無(wú)限電阻網(wǎng)絡(luò)求解相鄰節(jié)點(diǎn)阻抗中使用了離散傅里葉變換 (DFT)...

2022-08-16 標(biāo)簽：電路分析 DFT 電阻網(wǎng)絡(luò) 3025 0

CPU出現(xiàn)損壞的情況，多數(shù)都是外界原因

CP測(cè)試的目的就是在封裝前就把壞的芯片篩選出來(lái)，以節(jié)省封裝的成本。同時(shí)可以更直接的知道Wafer 的良率。CP測(cè)試可檢查fab廠制造的工藝水平?，F(xiàn)在對(duì)于...

2022-05-06 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器 cpu 9599 0

深度解析機(jī)器學(xué)習(xí)模型加速傳統(tǒng)DFT計(jì)算

基于SOAP-ML模型，該團(tuán)隊(duì)篩選出吉布斯自由能位于范圍內(nèi)的3236個(gè)活性位點(diǎn)并進(jìn)行分析，得到了局域化學(xué)環(huán)境的最佳配比Pd ： Cu ： P ： Ni ...

2022-04-27 標(biāo)簽：DFT 機(jī)器學(xué)習(xí) 4968 0

如何使用DFT App進(jìn)行硬件加速仿真設(shè)計(jì)

DFT 可以降低通過(guò)問(wèn)題器件的風(fēng)險(xiǎn)，如果最終在實(shí)際應(yīng)用中才發(fā)現(xiàn)器件有缺陷，所產(chǎn)生的成本將遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于在制造階段發(fā)現(xiàn)的成本。它還能避免剔除無(wú)缺陷器件，從而提高...

2019-09-16 標(biāo)簽：eda DFT 2334 0

Vivado HLS--Xilinx FPGA設(shè)計(jì)人員工具箱中最有價(jià)值的工具

我們變得很安逸，不是嗎？工程師們都不喜歡冒險(xiǎn)和失去控制。我之前曾經(jīng)說(shuō)過(guò)這個(gè)，但我自2011年以來(lái)就一直都沒(méi)有用C/C++手工編寫(xiě)過(guò)一個(gè)DSP的功能。

2019-07-24 標(biāo)簽：fpga 電路板 DFT 4566 0

快速傅里葉變換FFT進(jìn)行串講

N點(diǎn)DFT，直接計(jì)算，需要N的平方次乘法；分成2個(gè)N/2點(diǎn)DFT分別計(jì)算，乘法的次數(shù)是1/2的N的平方，減少了一半；分成4個(gè)N/4點(diǎn)DFT，乘法的次數(shù)又...

2019-04-12 標(biāo)簽：DFT 序列傅里葉變換 6236 0

離散傅里葉變換DFT中的第5個(gè)問(wèn)題：頻域抽樣進(jìn)行總結(jié)

第一個(gè)問(wèn)題：DFT，就是頻域抽樣。那么這個(gè)抽樣的條件是什么呢？也就是第二個(gè)問(wèn)題“頻域抽樣定理”。抽樣后，連續(xù)函數(shù)如何重建呢？也就是第三個(gè)問(wèn)題“頻域的插值恢復(fù)”。

2019-04-02 標(biāo)簽：函數(shù)DFT 傅里葉變換 1.3萬(wàn) 0

離散信號(hào)的頻域分析——離散傅里葉變換DFT

x(N-n)可以看作簡(jiǎn)寫(xiě)形式，優(yōu)點(diǎn)在于形式簡(jiǎn)潔明了，缺點(diǎn)在于掩蓋了周期延拓再取主值的過(guò)程。用這種簡(jiǎn)寫(xiě)形式，要注意一點(diǎn)，N點(diǎn)長(zhǎng)序列x(n)，n的取值范圍為...

2019-03-27 標(biāo)簽：DFT 傅里葉變換離散信號(hào) 2.9萬(wàn) 0

通俗易懂的講解FFT的讓你快速了解FFT

相信網(wǎng)上現(xiàn)在有很多關(guān)于FFT的教程，我曾經(jīng)也參閱了很多網(wǎng)上的教程，感覺(jué)都不怎么通俗易懂。在基本上的研究FFT，并且通過(guò)編程的形式實(shí)現(xiàn)之后。我決定寫(xiě)一篇通...

2019-03-24 標(biāo)簽：FFT STM32 DFT 3.6萬(wàn) 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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