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      標簽　>　dram芯片

      dram芯片

      +關(guān)注1人關(guān)注

      DRAM芯片即動態(tài)隨機存取存儲器，DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間，所以需要定時刷新。DRAM相對于SRAM來說更加復(fù)雜，因為在DRAM存儲數(shù)據(jù)的過程中需要對于存儲的信息不停的刷新，這也是它們之間最大的不同。

      文章：88個 瀏覽：18343次 帖子：2個

      dram芯片技術(shù)

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      TPS53830 用于 DDR5 服務(wù)器 DIMM 的大電流 PMIC數(shù)據(jù)手冊

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      TPS53832A 是 D-CAP+ ? 模式集成降壓轉(zhuǎn)換器，用于 DDR5 on-DIMM 電源，可為 DIMM 模塊上的 DRAM 芯片提供 VDD...

      2025-04-24 標簽：電流元件輸出電壓 311 0

      TPS53840 用于 DDR5 服務(wù)器 MRDIMM 的增強型大電流 PMIC數(shù)據(jù)手冊

      TPS53840 用于 DDR5 服務(wù)器 MRDIMM 的增強型大電流 PMIC數(shù)據(jù)手冊

      TPS53840 是一款 D-CAP+ ? 模式集成降壓轉(zhuǎn)換器，適用于完全符合 Jedec PMIC5020 標準的服務(wù)器中的 DDR5 on-DIMM...

      2025-04-23 標簽：服務(wù)器元件DRAM芯片 391 0

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      2024-07-26 標簽：解碼器存儲單元DRAM芯片 1786 0

      淺談存儲芯片的分類

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      DRAM芯片全稱是動態(tài)隨機存儲器，是一種隨機存儲器（RAM），與CPU直接交換數(shù)據(jù)，可隨時讀寫且速度快，斷電后存儲數(shù)據(jù)丟失，是易失性存儲器，也就是俗稱的...

      2023-12-26 標簽：存儲器cpuDRAM芯片 7594 0

      如何利用FIB和SEM中的有源和無源電位襯度進行失效定位呢？

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      無源電位襯度（Passive Voltage Contrast，PVC）定位基于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的FIB或SEM圖像或多或少的亮度差異，可用于半導(dǎo)體電路的失效定位。

      2023-12-01 標簽：電容器探測器PVC 4806 0

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      2023-09-04 標簽：半導(dǎo)體DRAM芯片CMP 4181 0

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      在我從事半導(dǎo)體設(shè)備的職業(yè)生涯之初，晶圓背面是個麻煩問題。當(dāng)時發(fā)生了一件令我記憶深刻的事：在晶圓傳送的過程中，幾片晶圓從機器人刀片上飛了出來。

      2023-08-31 標簽：fpga半導(dǎo)體DRAM芯片 1422 0

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      許多web服務(wù)需要對數(shù)十億個小對象實現(xiàn)快速訪問，而每個小對象只有幾百個字節(jié)。為了實現(xiàn)這一點同時考慮實際生產(chǎn)效益，緩存系統(tǒng)必須做到同時低成本，大容量與高性能。

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      網(wǎng)絡(luò)服務(wù)幾乎在系統(tǒng)架構(gòu)的每一層都依賴于緩存。大型網(wǎng)絡(luò)服務(wù)依靠緩存系統(tǒng)來實現(xiàn)高性能和高效率。例如，在Facebook，CDN緩存為70%的網(wǎng)絡(luò)請求提供服務(wù)...

      2023-07-27 標簽：驅(qū)動器DRAM芯片緩存器 1797 0

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      晶圓測試的對象是晶圓，而晶圓由許多芯片組成，測試的目的便是檢驗這些芯片的特性和品質(zhì)。為此，晶圓測試需要連接測試機和芯片，并向芯片施加電流和信號。

      2023-07-24 標簽：半導(dǎo)體存儲器DRAM芯片 2955 0

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      在常規(guī)離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結(jié)的注入不是B,因為BF2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究...

      2023-07-21 標簽：多晶硅半導(dǎo)體晶圓 3717 0

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      生成接觸孔后，下一步就是連接導(dǎo)線。在半導(dǎo)體制程中，連接導(dǎo)線的過程與一般電線的生產(chǎn)過程非常相似，即先制作線的外皮。在一般的電路連接中，直接采用成品電線即可...

      2023-07-11 標簽：半導(dǎo)體TSMC晶體管 3824 0

      內(nèi)存是怎么映射到物理地址空間的？內(nèi)存是連續(xù)分布的嗎？

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      如果我們將兩個4G內(nèi)存插入內(nèi)存插槽，得到的內(nèi)存地址空間是0到8G嗎？是不是0到4G是第一根內(nèi)存，4到8G是第二根內(nèi)存呢？實際情況相差甚遠，內(nèi)存在物理地址...

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      RISC全稱是Reduced Instruction Set Computer。

      2023-06-29 標簽：電容器晶體管DRAM芯片 1139 0

      FPGAer淺入淺出DDR

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      對于DDR的理解，最初簡單的以為無非一個大的數(shù)組，我會接口使用就OK了。

      2023-06-28 標簽：FPGA設(shè)計DDRDRAM芯片 1284 0

      處理器基礎(chǔ)抱佛腳-存儲器部分

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      2023-06-27 標簽：處理器存儲器DRAM芯片 923 0

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      單口 RAM（Single RAM）、雙口 RAM（Dual RAM）、簡單雙口 RAM（Simple-Dual RAM）、真雙口 RAM（True-D...

      2023-06-25 標簽：控制器存儲器RAM 3717 0

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      存儲芯片，也叫存儲器，是用來存儲程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。

      2023-06-09 標簽：存儲器DRAM芯片bms 1835 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        +關(guān)注
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機體系結(jié)構(gòu)中，負責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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