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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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NVDIMM-P內(nèi)存最新技術(shù),能夠在意外斷電時(shí)保留原有數(shù)據(jù)
隨著 DRAM 內(nèi)存容量和頻率的持續(xù)增長(zhǎng),現(xiàn)有電腦內(nèi)存的安全性也一直沒有得到提升。近日,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布的最新第一代協(xié)議是由對(duì)DRAM容量和帶...
DRAM儲(chǔ)存器有哪些類型如何設(shè)計(jì)DRAM控制器
DRAM作為PC必備器件之一,大家自然對(duì)DRAM較為熟悉。但是,大家知道DRAM存儲(chǔ)具有哪些分類嗎?大家了解DRAM控制器是如何設(shè)計(jì)出來的嗎?如果你對(duì)D...
DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一,但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件,NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢?DRAM和NAND的工作原理分別...
EDN文章中介紹的一些技術(shù)向您展示了如何提高信號(hào)完整性,降低噪聲或降低功耗。我們作為工程師最大限度地提高性能的方法之一就是堅(jiān)持建立設(shè)計(jì)規(guī)則。但是,如果遵...
新一代AI/ML加速器新型內(nèi)存解決方案——HBM2E內(nèi)存接口
近年來,隨著內(nèi)存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長(zhǎng)的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一,以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角,成為搭配新一...
2020-10-23 標(biāo)簽:DRAM信號(hào)完整性AI 5886 0
改變未來的存儲(chǔ)技術(shù)的會(huì)不會(huì)是相變材料
存儲(chǔ)器是集成電路最重要的技術(shù)之一,是集成電路核心競(jìng)爭(zhēng)力的重要體現(xiàn)。然而,我國(guó)作為IC產(chǎn)業(yè)最大的消費(fèi)國(guó),相較于國(guó)外三星、英特爾等大型半導(dǎo)體公司的存儲(chǔ)器技術(shù)...
淺談IC封裝技術(shù)中常見的10術(shù)語(yǔ)詞解析
在3D IC封裝中,邏輯模塊堆疊在內(nèi)存模塊上,而不是創(chuàng)建一個(gè)大型的系統(tǒng)片上(SoC),并且模塊通過一個(gè)主動(dòng)交互器連接。
如何區(qū)分各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH)
相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會(huì)存在,內(nèi)存條是 dram 還是 nand?nand flash ...
2020-12-17 標(biāo)簽:DRAMsramNand flash 1.2萬 0
應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)器芯片封裝技術(shù)挑戰(zhàn)的長(zhǎng)電解決方案
存儲(chǔ)器想必大家已經(jīng)非常熟悉了,大到物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器終端,小到我們?nèi)粘?yīng)用的手機(jī)、電腦等電子設(shè)備,都離不開它。作為計(jì)算機(jī)的“記憶”裝置,其主要功能是存放程序和...
2020-12-16 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù) 2866 0
DRAM(Dynamic Random Access Memory) 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存,...
xilinx仿真實(shí)驗(yàn):IP核之RAM的配置
背景 RAM和ROM也是類似的,由于這也是常用的IP核,所有完全有必要在這里記錄一下,以后用到了實(shí)際后,再補(bǔ)充到實(shí)際工程中。隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM),它可以...
長(zhǎng)鑫原廠DRAM顆粒的臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存詳細(xì)測(cè)評(píng)方案
一、前言:長(zhǎng)鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商 可能很多同學(xué)提到臺(tái)電內(nèi)存,可能會(huì)覺得他們不是一線頂尖品牌,顆粒使用上也不會(huì)有什么亮點(diǎn),不過這一次...
2020-10-30 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存芯片合肥長(zhǎng)鑫 7523 0
FPGA上的HBM性能實(shí)測(cè)結(jié)果分析
本文是第一篇詳細(xì)介紹HBM在FPGA上性能實(shí)測(cè)結(jié)果的頂會(huì)論文(FCCM2020,Shuhai: Benchmarking High Bandwidth ...
深入研究新款A(yù)pple M1和的Apple A14 SoC微體系結(jié)構(gòu)
來源:本文由半導(dǎo)體行業(yè)觀察(ID:icbank)編譯自anandtech 蘋果發(fā)布了他們?nèi)碌腗acBook系列產(chǎn)品。這不是一個(gè)普通的發(fā)布版本,如果說有...
這種組織方式的優(yōu)勢(shì)在于多個(gè) Devices 可以同時(shí)工作,DRAM Controller 可以對(duì)不同 Channel 上的 Devices 同時(shí)發(fā)起讀寫...
以SDR SDRAM 為例,DRAM Device 與 Host 端的接口描述
本文則以 SDR SDRAM 為例,描述 DRAM Device 與 Host 端的接口,以及其內(nèi)部的其他模塊,包括 Control Logic、IO、...
在DRAM Storage Cell章節(jié)中,介紹了單個(gè) Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中,將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。 為了更清晰的描述 ...
DRAM設(shè)計(jì)原理:DRAM Storage Cell 的結(jié)構(gòu)分析
Storage Capacitor,即存儲(chǔ)電容,它通過存儲(chǔ)在其中的電荷的多和少,或者說電容兩端電壓差的高和低,來表示邏輯上的 1 和 0。
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