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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

基于DDRAM控制IP的I/O設(shè)計方案

為了兼具可擴展性和數(shù)據(jù)處理速度，對于各種應(yīng)用，如圖像數(shù)據(jù)偵錯、視頻數(shù)據(jù)壓縮、音頻數(shù)據(jù)增益、馬達(dá)控制等，可編程數(shù)據(jù)處理模塊（Programmable Da...

2020-07-02 標(biāo)簽：輸入輸出 DRAM 數(shù)據(jù)處理 982 0

DRAM的基本操作

晶體管T充當(dāng)存儲電容器C和位線BL之間的開關(guān)。

2024-07-18 標(biāo)簽：電容器 DRAM 晶體管 979 0

結(jié)合卷積層來創(chuàng)建一個完整的推理函數(shù)

首先輸入一張1x28x28的圖片，然后兩次通過Conv2d -> ReLU -> MaxPool2d提取特征，最后轉(zhuǎn)為linear，>...

2023-03-13 標(biāo)簽：DRAM 寄存器 SRAM芯片 946 0

基于Chiplet方式的集成3D DRAM存儲方案

新能源汽車、5G、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，對芯片性能的需求越來越高，采用先進(jìn)封裝技術(shù)的 Chiplet 成為了芯片微縮化進(jìn)程的“續(xù)命良藥”。

2023-06-14 標(biāo)簽：DRAM DDR3 可穿戴設(shè)備 931 0

如何辨別SRAM是否屬于動態(tài)隨機存儲器呢

SRAM是一種具有靜止存取功能內(nèi)存的靜態(tài)隨機存儲器，不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

2022-11-17 標(biāo)簽：DRAM 存儲器微處理器 888 0

研華推出全新的超寬溫SQRAM DDR4 3200耐用型內(nèi)存解決方案

研華SQRAM支持研華自主研發(fā)的SQ Manager軟件，可以實時監(jiān)控DRAM，提供有用的信息，包括動態(tài)內(nèi)存速度、溫度和高級過熱警報，以告知用戶內(nèi)存系統(tǒng)...

2022-10-25 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存研華 869 0

DRAM基本單元最為通俗易懂的圖文解說

本文要點提示：? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說，包括讀寫以及存儲；? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。?...

2025-03-04 標(biāo)簽：DRAM 存儲單元 sram 867 0

使用虛擬制造評估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口

持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓...

2023-11-16 標(biāo)簽：電容器 DRAM 虛擬制造 856 0

大模型學(xué)習(xí)筆記

Apple最近發(fā)表了一篇文章，可以在iphone, MAC 上運行大模型：【LLM in a flash: Efficient Large Langua...

2024-01-08 標(biāo)簽：DRAM Mac 大模型 852 0

關(guān)于DRAM市場趨勢的“虛假謊言

在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中，“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的，尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點值相匹配，可以說晶體管的小型化已經(jīng)...

2023-11-08 標(biāo)簽：MOSFET DRAM 存儲器 839 0

突發(fā)事件聯(lián)電單方面宣布停止與晉華合作

索尼近期傳出了申請新型控制器的專利，專利名為「Controller having lights disposed along a loop of the...

2018-11-13 標(biāo)簽：DRAM 存儲芯片 824 0

為什么需要HBM？

在數(shù)據(jù)中心和邊緣運行的技術(shù)，如 AI 和視覺，具有與之相關(guān)的巨大內(nèi)存和計算要求

2023-07-07 標(biāo)簽：DRAM 存儲器嵌入式系統(tǒng) 817 0

SiCO薄膜在實踐中表現(xiàn)如何？低介電薄膜如何解決串?dāng)_、隔離問題

串?dāng)_問題自電子學(xué)早期就一直存在。幸運的是，我們有一個眾所周知的解決方式：隔離。在嘈雜的房間中，隔離需要在每個人的周圍都放置隔音板；而在集成電路上，通常可...

2023-07-20 標(biāo)簽：集成電路 DRAM 存儲器 804 0

下一代HBM技術(shù)路線選擇對行業(yè)有何影響？

HBM 存儲器堆棧通過微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔（TSV 或連接孔），并與放置在基礎(chǔ)封裝層上的中間件相連，中間件上還安裝有處理器，提供 HBM...

2023-12-06 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 gpu 787 0

淺談人工智能/機器學(xué)習(xí)計算的內(nèi)存挑戰(zhàn)

CXL – CXL 提供了大幅擴展內(nèi)存容量和提高帶寬的機會，同時還從處理器中抽象出內(nèi)存類型。通過這種方式，CXL 為整合新的內(nèi)存技術(shù)提供了一個很好的接口...

2023-09-25 標(biāo)簽：DRAM sram 內(nèi)存 770 0

ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢

隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，...

2023-11-30 標(biāo)簽：DRAM 振蕩器數(shù)據(jù)信號 767 0

12納米后，DRAM怎么辦？

追求更小的 DRAM 單元尺寸（cell size)仍然很活躍并且正在進(jìn)行中。對于 D12 節(jié)點，DRAM 單元尺寸預(yù)計接近 0.0013 um2。無...

2023-02-07 標(biāo)簽：電容器 DRAM 工藝 754 0

存儲器接口，數(shù)據(jù)安全的關(guān)口

隨著數(shù)智時代的到來，智能設(shè)備的普及度越來越高，用戶受到網(wǎng)絡(luò)攻擊的風(fēng)險和頻率也在不斷增加。然而，漏洞不只是存在于軟件中，硬件中也一樣存在。

2023-05-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 存儲器 753 0

新興存儲將改變行業(yè)，對不同新興存儲的看法

當(dāng)前的存儲器技術(shù)，包括閃存（NAND 和 NOR）、DRAM 和 SRAM，在其持續(xù)改進(jìn)方面面臨潛在的技術(shù)限制。因此，人們努力開發(fā)新的存儲技術(shù)。這些新技...

2022-09-14 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 RAM 737 0

磁盤加密威脅模型和技術(shù)路線

威脅模型數(shù)據(jù)生命周期管理（Data Lifecycle Management）通常將數(shù)據(jù)劃分為生產(chǎn)、存儲、使用、分享、銷毀、歸檔幾個階段。而從信息安全...

2023-11-29 標(biāo)簽：DRAM 數(shù)據(jù)Linux 731 0

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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機博士，畢業(yè)后曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國際執(zhí)行長。
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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機處理器。
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長電科技面向全球提供封裝設(shè)計、產(chǎn)品開發(fā)及認(rèn)證，以及從芯片中測、封裝到成品測試及出貨的全套專業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚搭載GT1。此外，Haswell將會使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會根據(jù)該ID采取一些行動。
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公司在特別依賴分布式高性能計算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對的優(yōu)勢在該細(xì)分市場持續(xù)保持全球第一的市場地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個國家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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北京時間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計算機、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費電子及智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化控制、汽車電子等電子整機和智能化領(lǐng)域。
東軟

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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
OLED電視

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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