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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))
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DRAM屬于易失性存儲器,也就是大家常說的內存。今天,我們再來看看半導體存儲的另一個重要領域,也就是非易失性存儲器(也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD...
DRAM(Dynamic Random Access Memory)即動態(tài)隨機存儲器,是一種半導體存儲器,用于計算機系統(tǒng)中的隨機存取存儲。它由許多存儲單...
新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā),必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑...
深入解析泛林集團Striker ICEFill電介質填充技術
沉積技術是推進存儲器件進步的關鍵要素。但隨著3D NAND堆棧的出現(xiàn),現(xiàn)有填充方法的局限性已開始凸顯。
存儲器是集成電路最重要的技術之一,是集成電路核心競爭力的重要體現(xiàn)。然而,我國作為IC產業(yè)最大的消費國,相較于國外三星、英特爾等大型半導體公司的存儲器技術...
目前有多種基于 3D 堆疊方法, 主要包括: 芯片與芯片的堆疊( D2D) 、芯片與圓片的堆疊( D2W ) 以及圓片與圓片的堆疊( W2W) 。
2022-11-01 標簽:DRAM片上系統(tǒng)ISP 2206 0
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的內存組件。其基本單元的設計簡潔而...
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