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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

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Kioxia發(fā)布OCTRAM技術(shù)，開啟低功耗DRAM新篇章

近日，在存儲器解決方案領域，Kioxia Corporation再次展現(xiàn)其創(chuàng)新實力，宣布成功開發(fā)出OCTRAM(氧化物半導體通道晶體管DRAM)技術(shù)。這...

2024-12-24 標簽：半導體 DRAM Kioxia 1.1k 0

SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單，預計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴大到 16~17 萬片

? ? 12 月 20 日消息，據(jù) TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應 HBM 芯片的大單，但具體額度未知。 ? ...

2024-12-21 標簽：DRAM SK海力士 HBM 789 0

南亞科技與補丁科技攜手開發(fā)定制超高帶寬內(nèi)存

近日，臺灣地區(qū)知名的DRAM內(nèi)存制造商南亞科技宣布，已與專業(yè)DRAM設計公司補丁科技達成戰(zhàn)略合作，共同致力于定制超高帶寬內(nèi)存(Customized Ul...

2024-12-20 標簽：DRAM 帶寬內(nèi)存 820 0

紫光國芯亮相ICCAD-Expo 2024

近日，備受矚目的上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨第三十屆集成電路設計業(yè)展覽會（ICCAD-Expo 2024）在上海隆重舉行。來自全球的集成電路產(chǎn)...

2024-12-14 標簽：集成電路 DRAM ICCAD 1.5k 0

iPhone的DRAM封裝，有變！

來源： thelec 三星已經(jīng)開始研究改變iPhone所用低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM的封裝方法。消息人士稱，這家韓國科技巨頭試圖將 LPDDR 的集成...

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SK 海力士新設AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

據(jù) Businesses Korea 報道，SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2...

2024-12-06 標簽：DRAM SK海力士 HBM 981 0

2024年第三季度全球DRAM市場營收環(huán)比增長13.6%

市場研究機構(gòu)TrendForce近日發(fā)布了最新的研究報告，揭示了2024年第三季度全球DRAM市場的表現(xiàn)。盡管面臨多重挑戰(zhàn)，該季度DRAM市場營收仍實現(xiàn)...

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華邦電子成功舉辦三場聯(lián)合技術(shù)論壇

上周，華邦電子在滬深兩地舉辦了三場聯(lián)合技術(shù)論壇，每場活動座無虛席，技術(shù)工程師們齊聚一堂與講師共同探討從汽車電子、工業(yè)應用到聯(lián)網(wǎng)通訊與計算機，再到消費電子...

2024-11-27 標簽：FPGA DRAM 汽車電子 980 0

AI時代核心存力HBM(中)

HBM 對半導體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)（TSV）和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔：TSV（Through-Silicon Via）是...

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三星平澤P4一期產(chǎn)線調(diào)整：將同時生產(chǎn)DRAM和NAND Flash

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北京君正預計年底推出21nm DRAM產(chǎn)品

近日，在接受機構(gòu)調(diào)研時，北京君正透露了其DRAM產(chǎn)品的研發(fā)進展。據(jù)公司介紹，目前各類DRAM產(chǎn)品，包括DDR2、DDR3、LPDDR4等，均有新品在研發(fā)...

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預計2025年DRAM產(chǎn)業(yè)將年增25%

根據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告，DRAM產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了2024年前三季度的庫存消化和價格回升后，其價格動能在第四季度出現(xiàn)了明顯...

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2025年DRAM展望:位元產(chǎn)出大增25%,HBM成新增長極但供應緊張

經(jīng)歷2024年前三個季度的庫存消化和價格回升后，DRAM產(chǎn)業(yè)在第四季度的價格動能開始減弱。TrendForce集邦咨詢的資深研究副總吳雅婷指出，由于部分...

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三星電子計劃在2026年前推出400層V-NAND閃存芯片

全球領先的存儲芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時代的400層V-NAND閃存芯片，旨在把握人工智能（AI）浪潮帶來的存儲設備市場快速增長...

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FormFactor發(fā)布2024財年第三季度財報,收入創(chuàng)歷史新高

FormFactor公司于10月30日公布了其截至2024年9月28日的2024財年第三季度財務報告。報告顯示，F(xiàn)ormFactor在該季度的收入達到了...

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三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻，或重新設計1a DRAM電路

近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉...

2024-10-23 標簽：芯片 DRAM 三星電子 1.1k 0

三星推出業(yè)界首款24Gb（3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片

三星推出了業(yè)內(nèi)首款24Gb（即3GB）GDDR7 DRAM內(nèi)存芯片，其超高速度可達42.5Gbps，專為下一代圖形處理單元（GPU）打造。據(jù)三星介紹，得...

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