據韓國媒體報道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內存的順利量產，公司決定對設計進行重大調整。

自三星1cnm DRAM開發(fā)以來，良品率問題一直困擾著公司。盡管在2024年末進行了試產，但結果并未達到預期效果，大規(guī)模生產準備階段的良品率僅在60%至70%左右，遠低于行業(yè)理想標準。

為了克服這一難題，三星決定對其1cnm DRAM的設計進行重新調整。據悉，此次調整的核心在于保持核心電路線寬不變，同時適當放松外圍電路線寬的要求。這一策略旨在通過優(yōu)化設計，降低生產難度，從而顯著提升良品率。

三星方面表示，通過此次設計調整，他們對提升1cnm DRAM的良品率充滿信心，并期待能夠確保HBM4內存的穩(wěn)定量產。這一舉措不僅展現了三星在半導體技術領域的深厚底蘊，也體現了公司在面對挑戰(zhàn)時的靈活應變和堅定決心。

未來，隨著良品率的提升和HBM4內存的量產，三星有望在高端內存市場占據更加有利的地位，為全球用戶提供更加優(yōu)質、高效的內存解決方案。