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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù))
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三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM
近日,存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項重大突破:成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達到了業(yè)界最高水平,更在速度上實現(xiàn)了...
據(jù)市場研究公司TrendForce預(yù)測,2024年第四季度DRAM市場將呈現(xiàn)出一絲暖意,但僅限于高帶寬存儲器(HBM)領(lǐng)域。預(yù)計HBM價格將實現(xiàn)環(huán)比上漲...
近期,DRAM和NAND存儲行業(yè)再次遭遇消費者需求下滑的沖擊,導(dǎo)致存儲合約價格在短短一個月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,...
北京君正首顆 21nm DRAM下半年推出,三大存儲類芯片持續(xù)研發(fā),待行業(yè)市場復(fù)蘇
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)2024年上半年,北京君正實現(xiàn)營業(yè)收入 210,684.96萬元,同比下降5.15%,實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤 19...
長鑫迅速擴產(chǎn) 引發(fā)韓國業(yè)界及媒體關(guān)注
來源:銳芯聞 據(jù)韓國媒體 ZDNet Korea 報道,CXMT(長鑫存儲科技)等中國內(nèi)存制造商正在積極擴大生產(chǎn),可能會對DRAM市場的盈利產(chǎn)生影響。據(jù)...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)據(jù)韓媒報道,三星和海力士正在開發(fā)低功耗DRAM堆疊技術(shù),以用于移動設(shè)備上,這類DRAM被稱之為移動HBM存儲器,并計劃20...
SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在...
今日看點丨小米“無按鍵”旗艦手機被曝 2025 年亮相;SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
1. 美光將在臺灣購買更多生產(chǎn)工廠以擴大HBM 內(nèi)存生產(chǎn)規(guī)模 ? 美光(Micron)公司正在臺灣尋找新的生產(chǎn)設(shè)施。美光已同意從顯示器制造商友達光電(A...
來源:滿天芯 編輯:感知芯視界 Link 近日,英飛凌表示,已與奇夢達股份公司破產(chǎn)管理人達成和解,同意支付 7.535 億歐元(8.3721 億美元),...
應(yīng)用材料財報亮眼,營收反超ASML成半導(dǎo)體設(shè)備龍頭
近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商應(yīng)用材料公司發(fā)布了其2024年第三季度(截止至7月28日)的財務(wù)報告,數(shù)據(jù)顯示該季度公司營收實現(xiàn)了穩(wěn)健增長,同比增長5%...
2024-08-21 標(biāo)簽:DRAM應(yīng)用材料半導(dǎo)體設(shè)備 1.4k 0
近日,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)市場傳來重磅消息,由于服務(wù)器需求持續(xù)強勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著,多家大廠決定在第三季度對DDR5內(nèi)存價格進行新一輪調(diào)整。...
DRAM大廠第三季對DDR5再度調(diào)漲,價格將上漲15%以上
8月20日最新供應(yīng)鏈動態(tài)揭示,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)行業(yè)巨頭計劃在第三季度對DDR5產(chǎn)品實施新一輪的價格上調(diào),預(yù)計漲幅將超過15%。此次調(diào)價背后...
SK海力士M16晶圓廠擴產(chǎn),DRAM產(chǎn)能將增18%
SK 海力士,作為全球知名的半導(dǎo)體巨頭,近期宣布了一項重要的擴產(chǎn)計劃,旨在通過擴大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道,SK ...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)盡管當(dāng)前AI訓(xùn)練主要采用GPU+HBM的方案,不過一些新的技術(shù)仍然希望進一步打破存儲數(shù)據(jù)傳輸帶來的瓶頸問題。最近,NEO半...
SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索...
三星確認平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資
據(jù)韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設(shè)先進的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線,并預(yù)計該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標(biāo)志著三星...
三星電子實現(xiàn)低功耗LPDDR5X DRAM的量產(chǎn)
三星電子于6日正式宣布,其已成功實現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機存儲器(LPDDR5X DRAM)的量產(chǎn),這款存儲器以驚人的0.65毫...
據(jù)知名市場研究機構(gòu)Yole的最新預(yù)測,全球DRAM與NAND閃存市場即將迎來前所未有的繁榮期。報告指出,2024年DRAM市場的收入預(yù)計將實現(xiàn)驚人飛躍,...
近一年多來,DRAM芯片制造商為爭奪高帶寬內(nèi)存(HBM)市場份額,展開了激烈的研發(fā)競賽。這股競爭浪潮隨著存儲器市場的持續(xù)升溫,逐漸擴展到NAND閃存領(lǐng)域...
據(jù)集邦咨詢最新報告,全球DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場正迎來前所未有的繁榮期。受市場需求強勁增長、供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、價格顯著上揚以及HBM(高帶寬內(nèi)存)...
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