1. 美光將在臺灣購買更多生產(chǎn)工廠以擴大HBM內(nèi)存生產(chǎn)規(guī)模
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美光(Micron)公司正在臺灣尋找新的生產(chǎn)設(shè)施。美光已同意從顯示器制造商友達光電(AUO)購買位于臺灣中部城市臺中的三家液晶顯示器工廠。美光希望支付 81 億新臺幣(約合 2.533 億美元)。最初,美光有意從群創(chuàng)光電購買位于臺南的另一家工廠,但遭到拒絕,因此美光轉(zhuǎn)向友達購買。
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今年早些時候,臺積電斥資 170 億新臺幣(約合 5.316 億美元)從群創(chuàng)光電購買了一座類似的廠房,但群創(chuàng)光電今年似乎不愿再出售任何廠房。據(jù)悉,友達光電的三座工廠生產(chǎn)液晶彩色濾光片,其中兩座工廠已于本月早些時候停產(chǎn)。不過,出于某種原因,仍在運營的工廠似乎將由友達租用,該公司將繼續(xù)在該廠生產(chǎn)彩色濾光片。該廠面積較大,占地面積為 146033 平方米,較小的占地面積為 32500 平方米。
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2. SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
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SK海力士宣布,全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術(shù)。
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SK海力士強調(diào):“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳,微細工藝的難度也隨之加大,但公司以通過業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代(1b)技術(shù)力為基礎(chǔ),提高了設(shè)計完成度,率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備,從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品,引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲器市場發(fā)展?!?br />
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3. Meta 被曝造芯夢碎,未來 AR 眼鏡將用高通芯片
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報道稱 Meta 公司已放棄為其 AR 眼鏡開發(fā)定制芯片計劃,轉(zhuǎn)而使用高通公司的技術(shù)。報道稱 Meta 公司于 2019 年啟動了定制芯片計劃,為內(nèi)部代號為 Orion 的 AR 眼鏡開發(fā)定制芯片,以提高性能。
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Meta 原本計劃定制芯片,將其用于 Orion AR 眼鏡、Apollo 項目的其它型號上。硬件部門的芯片團隊負(fù)責(zé)開發(fā)三種特定芯片,分別命名為 Armstrong、Avogadro 和 Acropolis,主要用于圖像識別等功能。
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4. 蘋果 iPhone 17 系列被曝升級 12GB 內(nèi)存,能夠更好地支持端側(cè) AI 大模型
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@手機晶片達人 表示,預(yù)算有限但希望體驗更多 AI 功能的 iPhone 用戶可以等明年的 iPhone 17 系列。他表示,iPhone 16 系列只有 8GB 內(nèi)存,主要面向的云端 AI 場景,而明年的 iPhone 17 系列將升級 12GB 內(nèi)存,可提供更多的端側(cè) AI 支持。
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簡單來說,AI 可以分為云端和本地兩種,云 AI 需要將數(shù)據(jù)匯集到云端進行處理,模型通用性更強;而本地化的 AI 能夠直接在終端設(shè)備上運行和處理 AI 算法,響應(yīng)速度更快。蘋果在開發(fā)者大會上透露,蘋果 Apple Intelligence 采用的是端云結(jié)合的模式。
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5. 代號“朱雀”,小米“無按鍵”旗艦手機被曝 2025 年亮相
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據(jù)曝料稱小米將于 2025 年推出“無按鍵”智能手機,其內(nèi)部代號為“朱雀”(Zhuque)。這款代號為“朱雀”的小米手機,最大的亮點是沒有任何物理按鈕,該項目目前處于早期開發(fā)階段,暫不清楚具體交互方式。
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消息源認(rèn)為小米正探索多元交互方式,包括手勢控制、壓感邊緣甚至語音指令。如果小米成功了,這將是智能手機設(shè)計的一次巨大飛躍。
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6. 印度馬恒達集團計劃三年內(nèi)投入超14億美元加快推出電動汽車
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據(jù)印度企業(yè)集團馬恒達集團首席執(zhí)行官兼董事總經(jīng)理阿尼什·沙阿 (Anish Shah) 透露,該集團計劃在三年內(nèi)投入超過1200億盧比(14.3 億美元)來加快推出電動汽車。沙阿在最近一次采訪中表示: “我們預(yù)計未來3至4年內(nèi),我們的汽車中20%至30%將是電動汽車?!?br />
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核心集團公司馬恒達汽車宣布,將在截至2026財年的三年內(nèi)向汽車業(yè)務(wù)投資2700億盧比。其中,用于電動汽車的1200多億盧比將成為投資的一部分。沙阿表示,馬恒達將把其主打運動型多用途汽車推向電動化。沙阿領(lǐng)導(dǎo)著印度最大的企業(yè)集團之一,該集團的業(yè)務(wù)涵蓋汽車、農(nóng)用設(shè)備、信息技術(shù)和金融。上個財年,SUV占馬恒達乘用車銷量的99%。
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今日看點丨小米“無按鍵”旗艦手機被曝 2025 年亮相;SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
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SK海力士推出新型DRAM 號稱創(chuàng)下業(yè)內(nèi)單芯最大密度記錄
SK 海力士公司宣布,其已成功開發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動態(tài)隨機存儲器(DRAM),創(chuàng)下了業(yè)內(nèi)單芯最大密度的紀(jì)錄。與上一代 1Y nm 產(chǎn)品相比,其產(chǎn)能提升約 27%,因其無需昂貴的極紫外(EUV)光刻加持,因此更具成本競爭優(yōu)勢。
2019-11-19 11:08:21
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SK海力士最新DDR5 EEC內(nèi)存條,性能有巨大的提升
根據(jù)Tom's Hardware的報道,SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條,速度達到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 14:36:37
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SK海力士最新DDR5 EEC內(nèi)存條展示,采用1znm內(nèi)存制造工藝制造
根據(jù)消息報道,SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條,速度達到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:13
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SK海力士展示單條64GB DDR5內(nèi)存 頻率最高可達6400MHz
CES 2020展會上,存儲大廠SK海力士拿出了不少有趣的產(chǎn)品,包括DDR5內(nèi)存、LPDDR5內(nèi)存、4D NAND SSD固態(tài)盤。
2020-01-13 10:07:23
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全球首款低功耗DDR5 DRAM芯片交付 將率先搭載于小米10智能手機
Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗 DDR5 DRAM 芯片,并將率先搭載于即將上市的小米 10
2020-02-24 15:39:17
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大多DRAM廠商DDR5相應(yīng)產(chǎn)品發(fā)售,DDR5能成為市場的主流嗎
目前,DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5,將搭載于即將上市的小米10智能手機之上。
2020-03-01 18:56:43
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SK海力士DDR5內(nèi)存細節(jié)公布 內(nèi)存頻率最高可達8400MHz且單條內(nèi)存最大可到128GB
盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節(jié)公之于眾。
2020-04-03 10:17:21
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SK海力士DDR5內(nèi)存可到128GB
盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節(jié)公之于眾。
2020-04-03 15:58:48
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),單條內(nèi)存最大可到128GB
盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節(jié)公之于眾。
2020-04-03 17:05:54
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SK海力士正式宣布年底前量產(chǎn)并提供業(yè)界頻率達到8400MHz的DDR5存儲器
韓國存儲器大廠SK海力士在2020年的CES上曾經(jīng)展出過64GB的DDR5-4800存儲器,其頻寬和容量均比現(xiàn)在的DDR4高出不少,因此備受業(yè)界的期待。如今,SK海力士正式宣布,將在年底前量產(chǎn)并提
2020-04-07 14:34:27
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內(nèi)存條ddr4和顯卡ddr5
今年,小米10等智能手機都開始用上了LPDDR5內(nèi)存,此后,這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會成為新一代旗艦手機的標(biāo)配。不過在PC端,DDR5內(nèi)存還是需要等待的,英特爾和AMD的下一代消費級處理器和主板產(chǎn)品中
2020-07-30 15:27:12
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全球首款64GB DDR5 RAM:未來將成為個人電腦實際標(biāo)準(zhǔn)
SK Hynix 韓國芯片制造商SK Hynix日前發(fā)布了全球首款64GB DDR5 RAM模塊,這標(biāo)志著與自2013年以來主導(dǎo)PC內(nèi)存的DDR4 DIMMs相比又邁出了一大步。DDR5
2020-10-20 14:01:29
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新一代的DRAM將面臨哪些挑戰(zhàn)?
10月6日,全球首款DDR5 DRAM正式由SK海力士推出。這款次世代的存儲器將數(shù)據(jù)傳輸速率提升到4,800 ~ 5,600Mbps,比前一代DDR4增加了1.8倍。最大5,600Mbps的傳輸速率
2020-12-14 11:33:12
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SK海力士已開始安裝EUV光刻機,以量產(chǎn)10nm 1a DRAM
據(jù)etnews報道,SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機,以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM,不過并未透露
2021-01-20 18:19:20
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SK海力士開始量產(chǎn)DDR5移動內(nèi)存
SK海力士今天宣布,已經(jīng)開始量產(chǎn)18GB LPDDR5移動版內(nèi)存,存儲密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:54
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制造商SK海力士新建工廠的規(guī)劃獲得韓國政府批準(zhǔn)
達到 415 萬平方米,計劃主要生產(chǎn) DRAM 芯片,定于 2021 年第四季度開工,2025 年建成投產(chǎn)。這一大型工廠將包含四個晶圓加工廠,每個月產(chǎn)量為 80 萬片。 IT之家此前報道,SK 海力士近日表示,將在未來 10 年內(nèi)開發(fā) 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片,以及 600 層堆疊的
2021-04-13 11:29:49
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SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片
韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:14
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SK首次提供24Gb DDR5樣品 美光推出全新20代PCI SSD
SK海力士宣布提供業(yè)界內(nèi)DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。24Gb DDR5產(chǎn)品采用了EUV工藝的第四代10納米級(1a)技術(shù),相較第二代10納米級(1y)DDR5產(chǎn)品單一芯片容量從16Gb提升至24Gb,從而改善了生產(chǎn)效率,其速度提升高達33%。
2022-03-29 17:20:52
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SK海力士和Solidigm共同開發(fā)新SSD ,希捷與群聯(lián)擴充企業(yè)級SSD產(chǎn)品
SK海力士和Solidigm 今日首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級SSD(eSSD)產(chǎn)品-P5530。
2022-04-07 15:35:27
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SK海力士研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存
SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會(Flash Memory Summit 2022)上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:49
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SK海力士開發(fā)出業(yè)界最快的服務(wù)器內(nèi)存模組MCR DIMM
2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司', www.skhynix.com )今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer
2022-12-09 20:40:31
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三星首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功
-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:29
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三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功
款采用12納米(nm)級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:54
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SK海力士第四代10納米級DDR5服務(wù)器DRAM全球首獲英特爾認(rèn)證
處理器(代號為Sapphire Rapids)兼容認(rèn)證。 全球首獲英特爾認(rèn)證SK海力士第四代10納米級DDR5服務(wù)器DRAM_1 全球首獲英特爾認(rèn)
2023-01-12 21:32:26
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SK海力士推出全球最快移動DRAM——LPDDR5T
繼SK海力士在去年11月推出的移動DRAM LPDDR5X*,將其性能提升成功開發(fā)出了LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快13%,運行速度高達9.6Gbps(Gb/s)。公司為了強調(diào)其超高速度特性,命名時在規(guī)格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo(渦輪增壓)”作為了后綴。
2023-01-30 11:21:33
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SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財報難看
被壓制,消費電子市場更是暴雷不斷,SK 海力士的大部分利潤來自于銷售內(nèi)存芯片。對于虧損SK海力士稱第四季度虧損主要原因是電腦和智能手機的需求低迷導(dǎo)致存儲芯片需求減少;疊加芯片價格大幅下滑導(dǎo)致。 內(nèi)存芯片行業(yè)面臨著嚴(yán)重供需失衡,而鑒
2023-02-01 16:52:12
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SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND!
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:47
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SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E
sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ),成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:49
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Meta、英偉達相繼拜訪SK海力士,要求額外供應(yīng)DDR5/HBM
meta是SK海力士的主要顧客之一,正在購買為構(gòu)建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務(wù)器dram。據(jù)悉,對ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:33
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三星電子和SK海力士計劃四季度全面提高DDR5產(chǎn)量
SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代(1b)DDR5,供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計,由于DDR5需求高漲,拉動產(chǎn)品平均銷售單價,SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈,公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16
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SK海力士全球最高速LPDDR5T移動DRAM與高通完成性能驗證
完成與高通最新移動處理器的兼容性驗證,正式開始向客戶提供產(chǎn)品 "將通過加強與高通的合作,實現(xiàn)智能手機發(fā)展為AI時代的核心應(yīng)用。" 韓國首爾2023年10月25日?/美通社/ -- SK海力士25日
2023-10-25 18:17:54
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SK海力士三季度虧損97億元,SK海力士確認(rèn)反對西數(shù)與鎧俠合并
SK海力士稱,由于高性能半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品的市場需求增加,公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產(chǎn)品,如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等,銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比,營業(yè)收入增長了24%,營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:28
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SK海力士全面推進全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化
據(jù)sk海力士透露,LPDDR5T是迄今為止最能大幅提高智能手機性能的存儲產(chǎn)品中速度最快的產(chǎn)品。公司方面強調(diào)說,將繼續(xù)擴大產(chǎn)品適用范圍,引領(lǐng)移動dram領(lǐng)域的升級。
2023-11-13 10:32:31
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瀾起科技榮獲SK海力士“最佳供應(yīng)商獎”
SK海力士提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。從DDR4世代跨越到DDR5世代,瀾起科技與SK海力士合作的產(chǎn)品涵蓋DDR4、DDR5內(nèi)存接口芯片及DDR5內(nèi)存模組配套芯片。 隨著人工智能、機器學(xué)習(xí)等異構(gòu)計算飛速發(fā)展,CXL作為一種全新的高速互連協(xié)議迅速崛起,吸引業(yè)界各大廠商爭
2023-12-04 09:02:37
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SK海力士:挑戰(zhàn)美國限制,推進中國半導(dǎo)體技術(shù)升級
無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 10:45:25
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SK海力士持續(xù)投資無錫的原因
無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:05
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AI需求激增,三星與SK海力士計劃增產(chǎn)高價值DRAM
趨勢,半導(dǎo)體巨頭三星電子和SK海力士正考慮增加工廠的半導(dǎo)體晶圓投入量,以加速向更先進的10納米第四代(1a)和第五代(1b)版本的過渡。
2024-03-06 10:49:49
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剛剛!SK海力士出局!
在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預(yù)付款,供應(yīng)下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:08
415

SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計2026年投產(chǎn)
自 HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開始,該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07
456

SK海力士考慮新建DRAM工廠
SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計劃的推遲,以及對今年內(nèi)存芯片需求大幅增長的預(yù)測。
2024-05-06 10:52:02
454

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年
SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本預(yù)計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:21
296

SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術(shù)突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應(yīng)用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:30
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漲價20%!三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片
業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導(dǎo)致近期DDR3價格飆漲,最高漲幅達二成,且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58
265

SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)
值得注意的是,目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開始量產(chǎn)1c nm(第六代10+nm級)制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報道,三星電子與SK海力士預(yù)計今年內(nèi)實現(xiàn)1c nm DRAM的量產(chǎn),而美光則需等到明年。新一代顆粒有望在密度和能效方面取得顯著進步。
2024-05-14 14:56:27
326

三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存
近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:21
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SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)
SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐,計劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM的生產(chǎn)中,首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠(MOR)。這一突破性的應(yīng)用標(biāo)志著MOR技術(shù)正式進入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:58
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TLB成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并向三星和SK海力士提供首批樣品
近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:34
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SK海力士加大1b DRAM產(chǎn)能以滿足市場需求
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌的當(dāng)下,SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露,該公司正積極擴大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模,以應(yīng)對當(dāng)前市場對HBM(高帶寬內(nèi)存)及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:50
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SK海力士擴產(chǎn)1b DRAM,引領(lǐng)存儲行業(yè)新熱潮
在6月17日傳來的最新消息中,全球知名的半導(dǎo)體制造商SK海力士正積極布局,大力擴展其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模。這一舉措旨在應(yīng)對日益增長的高帶寬內(nèi)存(HBM)和DDR5 DRAM的市場需求,進一步鞏固其在存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-06-17 16:50:02
622

SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%
在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:22
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SK海力士DDR5芯片價格或?qū)⒋蠓蠞q
近日,據(jù)外媒報道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調(diào)15%至20%,這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露,此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴張,對DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:46
330

SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本
SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:43
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DDR5內(nèi)存面臨漲價潮,存儲巨頭轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)
近日,存儲芯片市場傳來重大消息,SK海力士正式通知市場,其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價15%至20%,這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于,SK海力士、美光、三星等存儲芯片巨頭紛紛調(diào)整
2024-08-15 10:19:21
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DRAM大廠第三季DDR5價格大幅上調(diào)
近日,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)市場傳來重磅消息,由于服務(wù)器需求持續(xù)強勁及產(chǎn)能排擠效應(yīng)顯著,多家大廠決定在第三季度對DDR5內(nèi)存價格進行新一輪調(diào)整。據(jù)供應(yīng)鏈最新消息,三星電子與SK海力士這兩大DRAM巨頭已正式發(fā)出通知,宣布DDR5內(nèi)存的單季價格將實現(xiàn)15%以上的顯著上漲。
2024-08-21 15:40:01
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SK海力士開發(fā)出第六代10納米級DDR5 DRAM
SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:15
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