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　　EEPROM （Electrically Erasable Programmable read only memory）是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

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如何理解EEPROM和Flash

flash屬于廣義的EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸膔om。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫(xiě)的EEPROM，我們都叫它flash。

2023-01-29 標(biāo)簽：FlaSh 存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng) 1214 0

STM32入門(mén)學(xué)習(xí)筆記之EEPROM存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn)2

EEPROM（Electrically Erasable Programmable read only memory），稱為帶電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器，...

2023-02-16 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 EEPROM 存儲(chǔ)芯片 1202 0

如何使用DAC53701來(lái)完成555時(shí)基電路的主要功能呢？

前天在公眾號(hào)后臺(tái)，看到有同學(xué)詢問(wèn)如何提高555定時(shí)器電路產(chǎn)生方波信號(hào)的精度。

2023-10-23 標(biāo)簽：EEPROM 波形發(fā)生器 555定時(shí)器 1183 0

嵌入式軟件中定時(shí)與超時(shí)機(jī)制的實(shí)現(xiàn)策略

定時(shí)器中斷使用一個(gè)變量TICK，中斷間隔時(shí)間t，在準(zhǔn)備定時(shí)開(kāi)始時(shí)讀取此時(shí)刻的TICK，在程序運(yùn)行過(guò)程中實(shí)時(shí)讀取當(dāng)前的TICK信息并計(jì)算即可。

2024-03-26 標(biāo)簽：STM32 定時(shí)器 EEPROM 1159 0

S32K1xx EEE如何使用內(nèi)存

通常有三種方法實(shí)現(xiàn) EEPROM功能。

2024-10-25 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器 EEPROM 1150 0

復(fù)旦微電推出FM25/FM29系列SLC NAND存儲(chǔ)器新品

下一階段，復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，F(xiàn)M25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbi...

2023-05-05 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 EEPROM Nand flash 1147 0

介紹一款超小型封裝尺寸的1Mbit串行FRAM—MB85RS1MT

使用的存儲(chǔ)單元可以執(zhí)行1013次寫(xiě)/讀操作，大大超過(guò)了閃存或E2PROM可以重寫(xiě)的次數(shù)。不需要像閃存和E2PROM這樣的長(zhǎng)寫(xiě)入時(shí)間，并且寫(xiě)入等待時(shí)間為零...

2022-11-17 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 EEPROM FRAM芯片 1146 0

基于APM32F407如何制作I2C EEPROM（AT24C02型號(hào)）的MDK-Keil下載算法

基于APM32F407如何制作I2C EEPROM（AT24C02型號(hào)）的Keil下載算法，這樣在我們下載代碼時(shí)可以一鍵把數(shù)據(jù)燒錄到EEPROM中。

2025-04-11 標(biāo)簽：算法 EEPROM I2C 1127 0

FPGA實(shí)戰(zhàn)開(kāi)發(fā)技巧（10）

串行Flash的特點(diǎn)是占用管腳比較少，作為系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存貯非常合適，一般都是采用串行外設(shè)接口(SPI 總線接口)。Flash 存貯器與EEPROM根本不同...

2017-02-11 標(biāo)簽：FPGA 賽靈思 EEPROM 1122 0

EEPROM輕量級(jí)的簡(jiǎn)易類文件的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)庫(kù):EEPROMFS

雖然 EEPROM 相對(duì) Flash 讀寫(xiě)速度更慢，但 EEPROM 一些獨(dú)有特性是 Flash 無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，比如字節(jié)讀寫(xiě)操作。所以，EEPROM至今...

2024-11-15 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)EEPROM 1121 0

DS1847/DS1848 溫度系數(shù)補(bǔ)充

DS1847和DS1848均具有兩個(gè)256位數(shù)字電阻和查找表（LUT），可在-40°C至95°C的溫度范圍內(nèi)自動(dòng)調(diào)節(jié)電阻。 DS1848還具有128字節(jié)...

2023-05-17 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器電位器 EEPROM 1113 0

利用Microchip的即插即用傳感器庫(kù)簡(jiǎn)化您的下一個(gè)位置傳感器設(shè)計(jì)

電感式位置傳感器是一種新的磁性技術(shù)，無(wú)需磁鐵即可提供精確的位置傳感器。在這種情況下，傳感器只是在印刷電路板（PCB）上進(jìn)行跟蹤，該電路板產(chǎn)生磁場(chǎng)，然后通...

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MAXQ環(huán)境下受保護(hù)的EEPROM操作

非易失性存儲(chǔ)器對(duì)于嵌入式微控制器應(yīng)用至關(guān)重要。本應(yīng)用筆記解釋了如何使用基于事務(wù)的提交回滾機(jī)制來(lái)保護(hù)外部EEPROM存儲(chǔ)器器件的內(nèi)容。雖然針對(duì)的是外部存儲(chǔ)...

2023-03-02 標(biāo)簽：微控制器存儲(chǔ)器 EEPROM 1110 0

PIC單片機(jī)對(duì)9346EEPROM程序的讀寫(xiě)設(shè)計(jì)

LIST P=16F877A， R=DEC include “P16F877A.inc” ;包含頭文件 __CONFIG _DEBUG_OF...

2019-09-14 標(biāo)簽：PIC單片機(jī)EEPROM 1101 0

EERPOM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理

EEPROM（Electrically Erasable Programmable read only memory）即電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器，是一種掉...

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256位1-Wire EEPROM存儲(chǔ)器GXE00產(chǎn)品概述

GXE00是一款 256 位 1-Wire EEPROM的存儲(chǔ)芯片，用于識(shí)別和保存產(chǎn)品的相關(guān)信息，識(shí)別碼和這些相關(guān)信息可以通過(guò)最少的接口（例如，微控制...

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醫(yī)療器械和醫(yī)美器械應(yīng)用廣泛，需求增加，發(fā)展迅猛。醫(yī)療器械和醫(yī)美器械的使用關(guān)系到人民群眾的健康安全，以至于生命安全。假冒偽劣器械產(chǎn)品的混入導(dǎo)致對(duì)患者的健康...

2024-08-15 標(biāo)簽：醫(yī)療器械 EEPROM 加密芯片 1074 0

SPI協(xié)議驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

I2C 即 Inter-Integrated Circuit（集成電路總線），這種總線類型是由飛利浦半導(dǎo)體公司在八十年代初設(shè)計(jì)出來(lái)的一種簡(jiǎn)單、雙向、二線...

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Maxim帶EEPROM高度集成PMIC MAX17106有效降低LCD成本 Maxim推出完全集成的PMIC (電源管理IC) MAX17106，極...

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如何實(shí)現(xiàn)一種EEPROM驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)？

EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。

2023-08-24 標(biāo)簽：fpga FPGA設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器 1029 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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