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　　EEPROM （Electrically Erasable Programmable read only memory）是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

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eeprom技術(shù)

以CW32L083VXTX板為對象進(jìn)行低功耗測試系列實驗講解（4）

CW32L083VxTx StartKit 評估板為用戶提供一種經(jīng)濟(jì)且靈活的方式使用 CW32L083VxTx 芯片構(gòu)建系統(tǒng)原型，可進(jìn)行性能、功耗、功能...

2023-08-25 標(biāo)簽：微控制器 EEPROM 蜂鳴器 1585 0

常見的flash閃存主要有哪些類型

　　FLASH閃存是一種非易失性內(nèi)存，閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲特性相當(dāng)于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的...

2023-12-15 標(biāo)簽：SPI EEPROM FLASH閃存 1569 0

使用NFC安全地驗證您的非接觸式外設(shè)

NFC 提供了一種無需物理接觸即可互連設(shè)備的解決方案。NFC標(biāo)簽通常用于制造信息，產(chǎn)品識別和認(rèn)證。在日常生活中，想象一下這些產(chǎn)品的廣度;護(hù)照、電子機(jī)票、...

2023-06-16 標(biāo)簽：存儲器 EEPROM NFC 1566 0

分享一種ReRAM在助聽器中的成功案例

ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲器，是一種非易失性存儲器，具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可...

2023-03-25 標(biāo)簽：助聽器 EEPROM reram 1538 0

E2PROM存儲單元的三種工作狀態(tài)

2009-12-04 標(biāo)簽：存儲單元 EEPROM 1533 0

高度可靠的EEPROM助力汽車應(yīng)用功能開發(fā)

從根本上講，數(shù)字存儲數(shù)據(jù)所采用的技術(shù)具有一個可分解的誤差幅度。

2019-01-26 標(biāo)簽：存儲器 eeprom 1522 0

Renesas HMI Board挑戰(zhàn)賽—FSP工具使用

RT-Thread和瑞薩推出的HMI-Board上的主控芯片型號為R7FA6M3AH3CFB。

2023-11-22 標(biāo)簽：加速器 EEPROM 電容式觸摸 1515 0

EPROM的主要工作模式

EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可擦可編程只讀存儲器）是一種非易...

2024-09-05 標(biāo)簽：存儲器嵌入式系統(tǒng)EEPROM 1505 0

車身控制器的各個功能規(guī)范

燈光控制主要包括轉(zhuǎn)向燈和危險報警燈控制、遠(yuǎn)光燈控制、位置燈控制、霧燈控制等。

2023-06-07 標(biāo)簽：繼電器控制器 CAN總線 1495 0

說說EEPROM和FLASH的那些事

最開始參加工作的時候，經(jīng)常聽到有需求說XX參數(shù)存到EEPROM，XX事件保存在FLASH中，當(dāng)時只是覺得這兩個東西都是可以用來存數(shù)據(jù)，應(yīng)該大差不差。那真...

2023-08-10 標(biāo)簽：NAND 接觸器 EEPROM 1484 0

TI在電池充電管理和體溫監(jiān)測的解決方案

一般地，一塊兼具運(yùn)動和健康管理功能的智能手表由圖1所示的若干功能模塊組成，今天將主要介紹TI在電池充電管理和體溫監(jiān)測兩大最受關(guān)注功能模塊的解決方案，旨在...

2023-03-17 標(biāo)簽：電源管理 EEPROM 智能手表 1476 0

針對DDR3存儲器模塊應(yīng)用設(shè)計的集成EEPROM溫度傳感器

安森美半導(dǎo)體推出來自收購Catalyst半導(dǎo)體而得的溫度傳感器新產(chǎn)品線的第二款產(chǎn)品——CAT34TS02。

2014-07-31 標(biāo)簽：溫度傳感器 EEPROM 安森美半導(dǎo)體 1462 1

淺談不同類型存儲單元和存儲架構(gòu)的嵌入式MCU

　外部存儲器中的加密代碼塊不會讓雜散的眼睛以任何可用的形式將其分解。MCU 包含一個解密算法，其中包含為偽隨機(jī)函數(shù)生成器提供種子的定制參數(shù)。

2022-08-31 標(biāo)簽：微控制器 mcu 存儲器 1459 0

如何給HCS12系列單片機(jī)進(jìn)行加密

所謂完全加密，就是將芯片徹底的保護(hù)起來，屏蔽對芯片的所有讀操作。在MC9S12DP256單片機(jī)中，加密是通過對某一Flash單元（$FF0F）編程來實現(xiàn)...

2019-10-18 標(biāo)簽：單片機(jī)Flash EEPROM 1441 0

【GD32F303紅楓派開發(fā)板使用手冊】第二十一講 I2C-EEPROM讀寫實驗

21.1 實驗內(nèi)容通過本實驗主要學(xué)習(xí)以下內(nèi)容： ?AT24C16 EEPROM的工作原理； ?IIC模塊原理以及IIC驅(qū)動原理。

2024-06-21 標(biāo)簽：單片機(jī)嵌入式 EEPROM 1395 0

通過SHA-256主/從身份驗證系統(tǒng)實現(xiàn)更高的安全性

DS28C22是一款帶有IC接口的DeepCover安全認(rèn)證器，采用SHA-256算法進(jìn)行雙向認(rèn)證。其他功能，包括 3Kb 用戶 EEPROM 陣列、多...

2023-02-20 標(biāo)簽：處理器 Maxim EEPROM 1394 0

MAX7651/MAX7652 12位數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)與24C02 2線串行EEPROM接口

本文介紹將MAX7651和MAX7652 12位數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)連接至24C02 2線串行EEPROM所需的特定硬件描述和軟件程序。提供了詳細(xì)的軟件代碼。由...

2023-03-01 標(biāo)簽：存儲器微處理器 EEPROM 1386 0

MAXQ7665尋頁（PE）程序和數(shù)據(jù)閃存的應(yīng)用內(nèi)編程（IAP）

本應(yīng)用筆記介紹如何使用內(nèi)置實用程序ROM擦除/寫入MAXQ7665微控制器（μC）中的程序和數(shù)據(jù)閃存。此信息適用于帶可頁面擦除（PE）閃存的基于MAXQ...

2023-06-16 標(biāo)簽：微控制器 ROM EEPROM 1383 0

CW32單片機(jī)I2C接口讀寫EEPROM芯片介紹

2023-11-09 標(biāo)簽：單片機(jī)EEPROM I2C接口 1380 0

求一種基于RX13T的風(fēng)扇電機(jī)控制方案

本方案是針對風(fēng)扇電機(jī)控制的解決方案，使用了直流無刷電機(jī)。方案集成了直流無刷電機(jī)無位置傳感器矢量控制專用固件，不需要位置傳感器。

2024-05-31 標(biāo)簽：電機(jī)控制微處理器 EEPROM 1373 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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