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      標(biāo)簽　>　euv

      euv

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      EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問(wèn)題，國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

      文章：600個(gè) 瀏覽：88833次 帖子：0個(gè)

      euv資訊

      臺(tái)積電率先導(dǎo)入EUV量產(chǎn)，將繼續(xù)穩(wěn)坐晶圓代工龍頭寶座

      臺(tái)積電率先導(dǎo)入EUV量產(chǎn)，將繼續(xù)穩(wěn)坐晶圓代工龍頭寶座

      臺(tái)積電明年上半年將獨(dú)步同業(yè)，成為全世界第一家采用最先進(jìn)的極紫外光（EUV）微影設(shè)備完成量產(chǎn)的晶圓代工廠，助攻臺(tái)積電橫掃全球多數(shù)第五代行動(dòng)通訊（5G）及人...

      2018-07-23 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓euv 4.1k 0

      ASML第二季度EUV銷量超預(yù)期，中芯新增一臺(tái)訂單

      2018年7月18日，ASML公布了2018年第二季度業(yè)績(jī)報(bào)告。報(bào)告指出，第二季度銷售額為27.4億歐元，凈利潤(rùn)為5.84億歐元，毛利率達(dá)到43.3%。

      2018-07-21 標(biāo)簽：EUVASML 3.1k 0

      ASML新增訂單來(lái)自中芯國(guó)際？

      2018年7月18日，ASML公布了第二季度業(yè)績(jī)報(bào)告，報(bào)告顯示第二季度EUV出貨量為4套，比預(yù)期高出一套，這是否意味著ASML的生產(chǎn)能力正在提升，中芯國(guó)...

      2018-07-21 標(biāo)簽：中芯國(guó)際EUVASML 7.1k 0

      ASML公司Q2季度出貨4臺(tái)EUV光刻機(jī)，大陸市場(chǎng)營(yíng)收比例達(dá)到19%

      光刻機(jī)，是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中最重要的設(shè)備之一，荷蘭ASML公司已經(jīng)成為全球光刻機(jī)市場(chǎng)的一哥，壟斷了高端光科技生產(chǎn)，在EUV光刻機(jī)領(lǐng)域更是獨(dú)一份。

      2018-07-19 標(biāo)簽：光刻機(jī)euvasml 3.5k 0

      新思科技Custom Design Platform獲批三星7LPP工藝技術(shù)認(rèn)證

      · 新思科技Custom Design Platform為三星7LPP工藝技術(shù)提供經(jīng)認(rèn)證的工具、PDK、仿真模型、運(yùn)行集（runsets）以及定制參考流...

      2018-07-18 標(biāo)簽：三星電子新思科技euv 8.1k 0

      國(guó)家集成電路創(chuàng)新中心啟動(dòng)，將聚焦5nm及以下集成電路研發(fā)

      國(guó)家集成電路創(chuàng)新中心、國(guó)家智能傳感器創(chuàng)新中心啟動(dòng)會(huì)7月3日在上海舉行。國(guó)家集成電路創(chuàng)新中心將圍繞5nm及以下集成電路，聚焦四大共性技術(shù)，支持國(guó)產(chǎn)高端芯片...

      2018-07-04 標(biāo)簽：集成電路euv 7.9k 0

      摩爾定律的三種發(fā)展方向，EUV制程技術(shù)勢(shì)在必行

      從2017到2018年，全球IC制造產(chǎn)業(yè)資本投資規(guī)模達(dá)到高峰，近兩年總投資均超過(guò)920億美元規(guī)模。目前中國(guó)臺(tái)灣IC制造產(chǎn)業(yè)仍以晶圓代工貢獻(xiàn)最主要產(chǎn)值，隨...

      2018-07-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體ic臺(tái)積電 5.1k 0

      三星首次分享了基于EUV技術(shù)的7nm工藝細(xì)節(jié)

      另外，7nm EUV的好處還在于，比多重曝光的步驟要少，也就是相同時(shí)間內(nèi)的產(chǎn)量將提升。當(dāng)然，這里說(shuō)的是最理想的情況， 比如更好的EUV薄膜以減少光罩的污...

      2018-06-22 標(biāo)簽：三星電子euv 4.1k 0

      光刻機(jī)發(fā)展分析：光刻機(jī)國(guó)內(nèi)外主要廠商與市場(chǎng)現(xiàn)狀分析

      中國(guó)目前的光刻機(jī)技術(shù)還在起步探索階段，雖然取得了一些小成就，但離國(guó)外先進(jìn)技術(shù)差距還很大，希望通過(guò)目前科研人員的努力，能真正用上性能強(qiáng)，穩(wěn)定性高的高端國(guó)產(chǎn)芯片。

      2018-06-16 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUVASML 6.0萬(wàn) 0

      三星 SAFE計(jì)劃現(xiàn)在已可提供與Synopsys的Lynx設(shè)計(jì)系統(tǒng)兼容的經(jīng)認(rèn)證

      Synopsys宣布，Synopsys Design Platform已通過(guò)全球領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)企業(yè)三星電子的工藝認(rèn)證，支持三星代工部門的8nm LPP（...

      2018-06-06 標(biāo)簽：三星電子synopsyseuv 2.1k 0

      EUV技術(shù)量產(chǎn)進(jìn)入最后沖刺階段

      盡管極紫外光(EUV)步進(jìn)機(jī)的大量生產(chǎn)面臨復(fù)雜的問(wèn)題以及緊迫的時(shí)間，專家們?nèi)匀槐С謽?lè)觀態(tài)度...

      2018-06-01 標(biāo)簽：EUV微影技術(shù) 3.4k 0

      EUV光刻技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)激烈，三星7納米EUV制程已完成新思科技物理認(rèn)證，臺(tái)積電緊追其后

      在晶圓代工市場(chǎng)，臺(tái)積電與三星的競(jìng)爭(zhēng)始終是大家關(guān)心的戲碼。三星雖然有高通等VIP客戶，但在7納米制程節(jié)點(diǎn)，高通預(yù)計(jì)會(huì)轉(zhuǎn)投臺(tái)積電，三星要想受更多客戶的青睞，...

      2018-06-19 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電晶圓 5.3k 0

      中芯訂購(gòu)EUV設(shè)備，只為縮小差距

      據(jù)知情人士透露，中國(guó)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際已經(jīng)訂購(gòu)了一臺(tái)EUV設(shè)備，在中美兩國(guó)貿(mào)易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場(chǎng)領(lǐng)先者的技術(shù)差距，確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)...

      2018-05-27 標(biāo)簽：英特爾中芯國(guó)際三星電子 4.2k 0

      ASML計(jì)劃在2018年生產(chǎn)20臺(tái)EUV光刻機(jī)

      EUV 作為現(xiàn)在最先進(jìn)的光刻機(jī)，是唯一能夠生產(chǎn) 7nm 以下制程的設(shè)備，因?yàn)樗l(fā)射的光線波長(zhǎng)僅為現(xiàn)有設(shè)備的十五分之一，能夠蝕刻更加精細(xì)的半導(dǎo)體電路，所...

      2018-05-17 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUVASML 1.2萬(wàn) 0

      三星FinFET制程被判侵權(quán)，將賠償4億美元

      韓國(guó)三星為了多元化營(yíng)收來(lái)源，這兩年晶圓代工業(yè)務(wù)為重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目，2018年率先推出7納米EUV制程，搶在臺(tái)積電、格羅方德與英特爾之前推出。但三星如今似乎“...

      2018-06-20 標(biāo)簽：三星電子finfeteuv 2.9k 0

      如何發(fā)現(xiàn)EUV過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷

      如何發(fā)現(xiàn)EUV過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷

      而以上所說(shuō)的化學(xué)反應(yīng)就是隨機(jī)缺陷產(chǎn)生的源頭，然而最大的困難就是這些反應(yīng)中存在這許多未知因素的干擾。“由于這一復(fù)雜的物理化學(xué)反應(yīng)過(guò)程存在著一些未知因素，因...

      2018-05-03 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體EUV 8.1k 0

      臺(tái)積電宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn) 并透露了5納米節(jié)點(diǎn)的首個(gè)時(shí)間表

      持續(xù)同時(shí)朝多面向快速進(jìn)展的晶圓代工大廠臺(tái)積電（TSMC），于美國(guó)硅谷舉行的年度技術(shù)研討會(huì)上宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn)，并將有一個(gè)采用極紫外光微影（EUV）...

      2018-05-11 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓finfet 4.1k 0

      英特格宣布 新一代光罩盒已獲ASML認(rèn)證

      微電子產(chǎn)業(yè)特種化學(xué)品和材料解決方案廠商英特格 （Entegris） 宣布，新一代的光罩盒已獲得半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備商艾司摩爾 （ASML） 的認(rèn)證，可用于極紫...

      2018-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體EUVASML 4.1k 0

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        3D打印（3DP）即快速成型技術(shù)的一種，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運(yùn)用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過(guò)逐層打印的方式來(lái)構(gòu)造物體的技術(shù)。
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        RISC-V是一個(gè)基于精簡(jiǎn)指令集（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開源的，這是與另外兩個(gè)主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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