解析FPGA從SPI Flash啟動配置數(shù)據(jù)時(shí)的地址問題

fpga 上電時(shí)，默認(rèn)是從 flash 的 0x00 地址開始讀數(shù)據(jù)。

2022-07-15 標(biāo)簽：fpga看門狗FlaSh 5k 0

MCU軟件升級設(shè)計(jì)思路分析

當(dāng)MCU啟動以后運(yùn)行Bootloader程序，檢測到Param參數(shù)區(qū)域是否存在App記錄，如果存在App直接運(yùn)行App程序即可，如果不存在，則向PC機(jī)請...

2022-07-11 標(biāo)簽：mcu以太網(wǎng)FlaSh 4k 0

RT-Thread記錄（十六、SFUD組件 Flash讀寫）

從本文開始，測試學(xué)習(xí)一些 RT-Thread 常用的組件與軟件包，先從剛學(xué)完的 SPI 設(shè)備開始。

2022-07-06 標(biāo)簽：FlaShRTOS組件 8k 0

基于STM32的內(nèi)部Flash讀寫操作

在執(zhí)行閃存寫操作時(shí)，任何對閃存的讀操作都會鎖住總線，在寫操作完成后讀操作才能正確地進(jìn)行；既在進(jìn)行寫或擦除操作時(shí)，不能進(jìn)行代碼或數(shù)據(jù)的讀取操作。

2022-06-22 標(biāo)簽：寄存器FlaShSTM32 6.4k 1

系統(tǒng)級噪聲中串行閃存的虛假錯誤問題

現(xiàn)代微控制器提供的可配置性水平既可以看作是幫助，也可以看作是障礙。驅(qū)動電流可配置的事實(shí)可能是該示例中過沖的原因。然而，能夠降低驅(qū)動強(qiáng)度對于解決問題也很有效。

2022-05-09 標(biāo)簽：mcupcbFlaSh 3.4k 0

i.MX RT500/600應(yīng)用案例 串行NOR Flash雙程序可交替啟動設(shè)計(jì)

i.MX RTxxx 系列上（RT500/600）也有雙程序可交替啟動特性，其主體設(shè)計(jì)邏輯基本上跟i.MX RT1170是差不多的，只是一些細(xì)節(jié)處略有差...

2022-05-05 標(biāo)簽：NORFlaSh串行 3.6k 0

stm32f103移植到GD32修改內(nèi)容及注意事項(xiàng)

在國內(nèi)芯片緊張的情況下，目前如果項(xiàng)目沒有成型可以安裝官方提供的GD32的pack，選擇相關(guān)的pack即可正常編程。若程序已經(jīng)成型，需要移植，首先就要考慮...

2022-03-02 標(biāo)簽：嵌入式FlaShSTM32 1.6萬 0

可編程邏輯器件隨著半導(dǎo)體集成電路的4個階段

可編程邏輯器件伴隨著半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展而不斷發(fā)展，其發(fā)展可以劃分為以下4個階段。

2021-08-17 標(biāo)簽：fpgaFlaShEEPROM 1.1萬 0

Flash存儲器的擦寫操作流程

ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash技術(shù)，64K用戶區(qū)間，支持IAP/ISPFlash擦寫技術(shù)。MCUFlash采用32位數(shù)據(jù)總線讀寫，充分利用...

2021-05-01 標(biāo)簽：FlaSh存儲器Flash存儲器 7.3k 0

基于DSP芯片TMS320C6416實(shí)現(xiàn)上電Flash自行加載FPGA的應(yīng)用設(shè)計(jì)

基于SRAM結(jié)構(gòu)的FPGA容量大，可重復(fù)操作，應(yīng)用相當(dāng)廣泛;但其結(jié)構(gòu)類似于SRAM，掉電后數(shù)據(jù)丟失，因此每次上電時(shí)都需重新加載。

2021-03-26 標(biāo)簽：dspfpgaflash 6.4k 0

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第二十六章PS端網(wǎng)絡(luò)遠(yuǎn)程更新QSPI

在實(shí)際工作中，會遇到產(chǎn)品升級問題，如果按照程序燒錄的方式，可能需要打開產(chǎn)品的外殼，這無疑。本章介紹一種通過網(wǎng)絡(luò)遠(yuǎn)程更新FLASH程序的方法，包含UDP和...

2021-01-29 標(biāo)簽：fpgaFlaShZynq 8.4k 0