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GaN FET

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探索LMG341xR150：600V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)與保護(hù)的卓越性能

探索LMG341xR150：600V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)與保護(hù)的卓越性能在當(dāng)今的電子領(lǐng)域，功率密度和效率的提升一直是工程師們追求的目標(biāo)。德州儀器（...

2026-03-01 標(biāo)簽：GaN FET LMG341xR150 電源電子系統(tǒng) 964 0

深度解析LMG341xR150：高性能GaN FET的卓越之選

深度解析LMG341xR150：高性能GaN FET的卓越之選在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率密度和效率是工程師們不斷追求的目標(biāo)。而德州儀器（TI）推出的L...

2026-03-01 標(biāo)簽：功率電子 GaN FET LMG341xR150 997 0

探索LMG3425R050：600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用潛力

探索LMG3425R050：600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用潛力在當(dāng)今的電子領(lǐng)域，功率器件的性能提升對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、緊湊的電源設(shè)計(jì)至關(guān)...

2026-03-01 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)GaN FET LMG3425R050 1.1k 0

LMG3425R030：600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用解析

LMG3425R030：600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用解析在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高效、高功率密度的功率器件一直是工程師們追求的目標(biāo)。...

2026-03-01 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器 GaN FET LMG3425R030 1k 0

探索LMG3612：650-V 120-mΩ GaN FET的技術(shù)魅力

探索LMG3612：650-V 120-mΩ GaN FET的技術(shù)魅力在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)正逐漸嶄露頭角，為高效、高功率密度的電源設(shè)計(jì)...

2026-03-01 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源 GaN FET LMG3612 896 0

探索LMG3626：700V GaN FET的卓越性能與應(yīng)用

探索LMG3626：700V GaN FET的卓越性能與應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)正逐漸嶄露頭角，為高效、緊湊的電源設(shè)計(jì)帶來(lái)了新的可能性...

2026-03-01 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源 GaN FET LMG3626 860 0

探索LMG3622：GaN FET在電源設(shè)計(jì)中的卓越之選

探索LMG3622：GaN FET在電源設(shè)計(jì)中的卓越之選在電子工程師的日常工作中，尋找高性能、高集成度的電源管理解決方案是一項(xiàng)持續(xù)的挑戰(zhàn)。今天，我們要...

2026-03-01 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)GaN FET LMG3622 836 0

探索LMG3616：650-V 270-mΩ GaN FET集成驅(qū)動(dòng)器的卓越性能

探索LMG3616：650-V 270-mΩ GaN FET集成驅(qū)動(dòng)器的卓越性能在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，不斷追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能的過(guò)程中，氮化鎵（...

2026-03-01 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換 GaN FET LMG3616 807 0

LMG3522R030-Q1：高性能GaN FET的卓越之選

LMG3522R030-Q1：高性能GaN FET的卓越之選在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，如何提升功率密度和效率一直是工程師們追求的目標(biāo)。TI推出的LMG3522R...

2026-03-01 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換 GaN FET LMG3522R030-Q1 525 0

深度解析LMG352xR050：650V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用

深度解析LMG352xR050：650V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用在當(dāng)今的電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)憑借其卓越的性能正逐漸成為功率...

2026-03-01 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)模式電源 GaN FET LMG352xR050 531 0

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探索LTC7891：用于GaN FET的高性能降壓控制器

探索LTC7891：用于GaN FET的高性能降壓控制器引言在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高效、可靠的電源管理是至關(guān)重要的。LTC7891作為一款專門(mén)為Ga...

2026-03-03 標(biāo)簽：降壓控制器 GaN FET LTC7891 128 0

深度解析LTC7892：高性能雙路升壓控制器的卓越之選

深度解析LTC7892：高性能雙路升壓控制器的卓越之選一、引言在電子設(shè)備的電源管理領(lǐng)域，對(duì)于高性能、高效率的升壓控制器的需求始終不斷攀升。特別是在面...

2026-03-02 標(biāo)簽：GaN FET LTC7892 雙路升壓控制器 65 0

TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET：高效開(kāi)關(guān)的理想之選

TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET：高效開(kāi)關(guān)的理想之選在電子工程師的日常工作中，不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件...

2025-12-29 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)GaN FET TP65H070G4PS 363 0

探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET：高效能與可靠性的完美結(jié)合

探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET：高效能與可靠性的完美結(jié)合引言在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，功率半導(dǎo)體器件...

2025-12-29 標(biāo)簽：功率器件 GaN FET TP65H070G4RS 384 0

“芯”品發(fā)布｜鎵未來(lái)推出“9mΩ”車規(guī)級(jí) GaN FET，打破功率氮化鎵能效天花板！

在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體性能邊界近日，鎵未來(lái)正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9m...

2025-11-27 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN GaN FET 1.9k 0

安世推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET GAN FET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mo...

2023-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率 E-Model 1.7k 0

Nexperia將首次亮相第三屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)

Nexperia為多個(gè)汽車應(yīng)用領(lǐng)域貢獻(xiàn)力量，約270款Nexperia產(chǎn)品運(yùn)用在不同的汽車應(yīng)用中。

2020-10-29 標(biāo)簽：MOSFET Nexperia GaN FET 1.1k 0

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

WPC

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電池系統(tǒng)

電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

USB PD

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太陽(yáng)能充電

太陽(yáng)能充電

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PSR

PSR

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浪涌抑制器

浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

USB-PD

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PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
UCD3138

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