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gan fet

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gan fet技術(shù)

探索LMG341xR150：600V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)與保護(hù)的卓越性能

探索LMG341xR150：600V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)與保護(hù)的卓越性能在當(dāng)今的電子領(lǐng)域，功率密度和效率的提升一直是工程師們追求的目標(biāo)。德州儀器（...

2026-03-01 標(biāo)簽：GaN FET LMG341xR150 電源電子系統(tǒng) 964 0

深度解析LMG341xR150：高性能GaN FET的卓越之選

深度解析LMG341xR150：高性能GaN FET的卓越之選在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率密度和效率是工程師們不斷追求的目標(biāo)。而德州儀器（TI）推出的L...

2026-03-01 標(biāo)簽：功率電子 GaN FET LMG341xR150 997 0

探索LMG3425R050：600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用潛力

探索LMG3425R050：600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用潛力在當(dāng)今的電子領(lǐng)域，功率器件的性能提升對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、緊湊的電源設(shè)計(jì)至關(guān)...

2026-03-01 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)GaN FET LMG3425R050 1.1k 0

LMG3425R030：600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用解析

LMG3425R030：600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用解析在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，高效、高功率密度的功率器件一直是工程師們追求的目標(biāo)。...

2026-03-01 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器 GaN FET LMG3425R030 1k 0

探索LMG3612：650-V 120-mΩ GaN FET的技術(shù)魅力

探索LMG3612：650-V 120-mΩ GaN FET的技術(shù)魅力在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)正逐漸嶄露頭角，為高效、高功率密度的電源設(shè)計(jì)...

2026-03-01 標(biāo)簽：開關(guān)電源 GaN FET LMG3612 896 0

探索LMG3626：700V GaN FET的卓越性能與應(yīng)用

探索LMG3626：700V GaN FET的卓越性能與應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)正逐漸嶄露頭角，為高效、緊湊的電源設(shè)計(jì)帶來了新的可能性...

2026-03-01 標(biāo)簽：開關(guān)電源 GaN FET LMG3626 860 0

探索LMG3622：GaN FET在電源設(shè)計(jì)中的卓越之選

探索LMG3622：GaN FET在電源設(shè)計(jì)中的卓越之選在電子工程師的日常工作中，尋找高性能、高集成度的電源管理解決方案是一項(xiàng)持續(xù)的挑戰(zhàn)。今天，我們要...

2026-03-01 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)GaN FET LMG3622 836 0

探索LMG3616：650-V 270-mΩ GaN FET集成驅(qū)動(dòng)器的卓越性能

探索LMG3616：650-V 270-mΩ GaN FET集成驅(qū)動(dòng)器的卓越性能在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，不斷追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能的過程中，氮化鎵（...

2026-03-01 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換 GaN FET LMG3616 807 0

LMG3522R030-Q1：高性能GaN FET的卓越之選

LMG3522R030-Q1：高性能GaN FET的卓越之選在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，如何提升功率密度和效率一直是工程師們追求的目標(biāo)。TI推出的LMG3522R...

2026-03-01 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換 GaN FET LMG3522R030-Q1 525 0

深度解析LMG352xR050：650V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用

深度解析LMG352xR050：650V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用在當(dāng)今的電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)憑借其卓越的性能正逐漸成為功率...

2026-03-01 標(biāo)簽：開關(guān)模式電源 GaN FET LMG352xR050 531 0

探索LMG3100R017與LMG3100R044：100V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)的卓越選擇

探索LMG3100R017與LMG3100R044：100V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)的卓越選擇在電子工程師的日常工作中，尋找高性能、可靠且易于集成的功...

2026-03-01 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換 GaN FET LMG3100 523 0

探索LMG342xR030：600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用指南

探索LMG342xR030：600V 30mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用指南在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷發(fā)展，更高的功率密度和效率成為...

2026-03-01 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換 GaN FET LMG342xR030 510 0

深入解析LMG3624：700V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)的卓越之選

深入解析LMG3624：700V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)的卓越之選在開關(guān)電源應(yīng)用領(lǐng)域，LMG3624作為一款集成了700V、155mΩ GaN功率FE...

2026-03-01 標(biāo)簽：開關(guān)電源 GaN FET LMG3624 485 0

探索LMG3614：650V 170mΩ GaN FET集成驅(qū)動(dòng)的卓越性能

探索LMG3614：650V 170mΩ GaN FET集成驅(qū)動(dòng)的卓越性能在開關(guān)模式電源應(yīng)用的領(lǐng)域中，LMG3614這款650V 170mΩ GaN功...

2026-03-01 標(biāo)簽：開關(guān)模式電源 GaN FET LMG3614 478 0

LMG352xR030：650V GaN FET的卓越性能與應(yīng)用

LMG352xR030：650V GaN FET的卓越性能與應(yīng)用在當(dāng)今的電子世界中，電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷發(fā)展，對(duì)高性能、高效率的功率器件的需求也日益增長(zhǎng)。...

2026-03-01 標(biāo)簽：GaN FET 開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器 LMG352xR030 491 0

探索LMG365xR035：高性能GaN FET的卓越之選

探索LMG365xR035：高性能GaN FET的卓越之選在當(dāng)今電子設(shè)備不斷追求更高性能、更小尺寸和更低功耗的時(shí)代，功率半導(dǎo)體器件的性能起著至關(guān)重要的...

2026-03-01 標(biāo)簽：GaN FET LMG365xR035 開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器 493 0

深度解析LMG342xR050：600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用

深度解析LMG342xR050：600V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用在當(dāng)今的電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，GaN（氮化鎵）技術(shù)正憑借其卓越的性能逐漸嶄露...

2026-03-01 標(biāo)簽：開關(guān)模式電源 GaN FET LMG342xR050 487 0

探索LMG365xR070：650V 70mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用潛力

探索LMG365xR070：650V 70mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用潛力在電力電子領(lǐng)域，不斷追求更高的功率密度和效率是永恒的目標(biāo)。德州儀器（...

2026-03-01 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)GaN FET LMG365xR070 492 0

探索LMG365xR025：650V 25mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用

探索LMG365xR025：650V 25mΩ GaN FET的卓越性能與應(yīng)用在當(dāng)今的電子領(lǐng)域，功率轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷發(fā)展，對(duì)高效、高功率密度的需求日益增長(zhǎng)...

2026-03-01 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換 GaN FET LMG365xR025 493 0

analog devices方案：在LTspice仿真中使用GaN FET模型

近年來，工業(yè)電源市場(chǎng)對(duì)氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率...

2025-10-15 標(biāo)簽：ADI 仿真 GaN 2.9萬 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
UCD3138

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時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
線性穩(wěn)壓器	LDO	開關(guān)穩(wěn)壓器	DC/DC	降壓轉(zhuǎn)換器	電源模塊	MOSFET	IGBT
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開關(guān)電源	步進(jìn)電機(jī)	無線充電	LabVIEW	EMC	PLC	OLED	單片機(jī)
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