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標(biāo)簽 > gan器件
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深度探討GaN器件驅(qū)動(dòng)電路并聯(lián)晶體管設(shè)計(jì)方案
在柵極關(guān)斷時(shí),CGS和Con中的電荷將快速達(dá)到平衡。此處必須確保Con大于CGS,以確保穩(wěn)態(tài)的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨?fù)值,從而在硬開關(guān)應(yīng)用中關(guān)斷晶體管。
隨著氮化鎵器件性能的提高,人們對(duì)這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后,氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。
受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。
2020-08-04 標(biāo)簽:開關(guān)電源功率因數(shù)控制器GaN器件 1970 0
基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固,因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用,集...
2019-11-18 標(biāo)簽:通信接口驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)GaN器件 6438 0
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