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GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美(onse...
作為當(dāng)下熱門的第三代半導(dǎo)體技術(shù),GaN在數(shù)據(jù)中心、光伏、儲能、電動汽車等市場都有著廣闊的應(yīng)用場景。和傳統(tǒng)的Si器件相比,GaN具有更高的開關(guān)頻率與更小的...
YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗GaN技術(shù)的零反向恢復(fù)特性(因?yàn)椴淮嬖隗w二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時(shí)間,從而降低了死區(qū)...
相信大家都清楚,輕載或空載狀態(tài)下,開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗,大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...
BiGaN開關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用
保護(hù)USB端口、為來自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負(fù)載開關(guān)免受浪涌影響,都依賴于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止,設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)N型MOSFE...
如今,圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn),第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計(jì)柵極驅(qū)...
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN(通常指的是增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來說,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...
基于AC驅(qū)動的電容結(jié)構(gòu)GaN LED模型開發(fā)和應(yīng)用
隨著芯片尺寸減小,微小尺寸GaN 基 Micro LED 顯示面臨著顯示與驅(qū)動高密度集成的難題,傳統(tǒng)直流(DC)驅(qū)動技術(shù)會導(dǎo)致結(jié)溫上升,降低器件壽命。
針對寬輸出電壓應(yīng)用場合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
GaN和SiC在工業(yè)電子領(lǐng)域的優(yōu)勢
提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關(guān)鍵趨勢,聚焦于優(yōu)化電力電子設(shè)備。MOSFET作為主流電子元件,雖控制高效但壽命短、對過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現(xiàn),通...
本期,芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)為各位粉絲分享新一代20-65W GaN快充方案,該方案集當(dāng)前行業(yè)最新控制技術(shù)、器件技術(shù)、功率封裝技術(shù)之大成,進(jìn)一步優(yōu)化快充方案的待...
GaN FET(場效應(yīng)晶體管)中集成電流傳感的優(yōu)勢
本文重點(diǎn)介紹了一項(xiàng)新發(fā)展:將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)中,且無需外部供電。我們將深入探討這一解決...
2024-08-23 標(biāo)簽:傳感器場效應(yīng)晶體管GaN 692 0
#參考設(shè)計(jì)#(900 V PowiGaN 開關(guān))的 60 W 隔離反激式適配器
使用 InnoSwitch3-EP(900 V PowiGaN 開關(guān))的 60 W 隔離反激式適配器 *附件:DER-982 60W 12V5A 90-...
開關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路,驅(qū)動電...
2024-08-21 標(biāo)簽:FETGaN開關(guān)電源芯片 1530 0
第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展,第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb...
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...
GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而,它們在材料...
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