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gan技術(shù)

半導(dǎo)體襯底和外延有什么區(qū)別？

襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。

2024-03-08 標(biāo)簽：GaN 單晶硅半導(dǎo)體制造 2.9k 0

新型隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何提高和增強(qiáng)系統(tǒng)電流測量精度

最新的隔離式調(diào)制器通過優(yōu)化內(nèi)部模擬設(shè)計和使用最新斬波技術(shù)來改善失調(diào)和增益誤差相關(guān)的性能，這極大地簡化了系統(tǒng)設(shè)計并減少了校準(zhǔn)時間。最新ADuM770x器件...

2024-03-07 標(biāo)簽：adc SiC 調(diào)制器 1.3k 0

集成柵極驅(qū)動器的GaN ePower超快開關(guān)

氮化鎵場效應(yīng)晶體管在許多電力電子應(yīng)用中持續(xù)獲得關(guān)注，但氮化鎵技術(shù)仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質(zhì)因數(shù)還有很大的提升空間，但GaN...

2024-03-05 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 激光驅(qū)動器 3.8k 0

適配MOSFET柵極驅(qū)動器以驅(qū)動GaN FETs

GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時超出了專門為GaN設(shè)計的柵...

2024-02-29 標(biāo)簽：MOSFET GaN 柵極驅(qū)動 1.7k 0

為什么GaN被譽(yù)為下一個主要半導(dǎo)體材料？

擁有能夠在高頻下高功率運(yùn)行的半導(dǎo)體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢，但有一個主要缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力：缺乏 P -類型。

2024-02-29 標(biāo)簽：CMOS NMOS 半導(dǎo)體材料 885 0

目前存在哪些與800V電動汽車動力總成架構(gòu)有關(guān)的設(shè)計和測試挑戰(zhàn)

電動汽車 (EV) 普及率的上升激發(fā)了市場對優(yōu)化設(shè)計、降低成本和提升車輛運(yùn)行效率的需求，并為產(chǎn)品測試提出了新的難題。

2024-02-19 標(biāo)簽：電動汽車逆變器功率轉(zhuǎn)換器 1.4k 0

具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計

北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標(biāo)簽：SBD SiC GaN 2.4k 0

LED顯示屏是什么材質(zhì) led顯示屏參數(shù)設(shè)置

LED顯示屏是一種基于LED（Light Emitting Diode）技術(shù)的顯示裝置，用于在各種場合中展示文字、圖像、視頻等內(nèi)容。它由多個LED像素點(diǎn)...

2024-02-03 標(biāo)簽：LED顯示屏參數(shù)半導(dǎo)體材料 6.8k 0

寬帶隙半導(dǎo)體重塑交通運(yùn)輸行業(yè)

作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美編輯整個交通運(yùn)輸行業(yè)正在經(jīng)歷一場徹底的變革，內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車逐漸讓位于污染更少的電動汽車...

2024-02-13 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 1.6k 0

使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積

作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進(jìn)步，但對于許多應(yīng)用來說，完全不依賴純電池設(shè)計可能是...

2024-02-13 標(biāo)簽：電源 DC GaN 1.4k 0

一種結(jié)合了SiC和GaN優(yōu)勢的晶體管

這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開始占領(lǐng)價值數(shù)十億美元的市場。例如，碳化硅現(xiàn)在是電動汽...

2024-01-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 SiC 666 0

如何從零開始構(gòu)建深度學(xué)習(xí)項(xiàng)目？（如何啟動一個深度學(xué)習(xí)項(xiàng)目）

性能重大提升的背后往往是模型設(shè)計的改變。不過有些時候?qū)δＰ瓦M(jìn)行微調(diào)也可以提升機(jī)器學(xué)習(xí)的性能。最終的判斷可能會取決于你對相應(yīng)任務(wù)的基準(zhǔn)測試結(jié)果。

2024-01-11 標(biāo)簽：GaN 機(jī)器學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)集 573 0

氮化鎵芯片用途有哪些

氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛...

2024-01-10 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.9k 0

氮化鎵是什么化合物類型

氮化鎵是一種無機(jī)化合物，化學(xué)式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。氮化鎵是...

2024-01-10 標(biāo)簽：傳感器光電器件化合物 2.5k 0

SiC和GaN市場未來如何發(fā)展

氮化鎵融資方面，今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域，相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大，達(dá)12億人民幣，投資方...

2024-01-10 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)光伏 SiC 521 0

氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤點(diǎn)

同為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 MOCVD 3.7k 0

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理

氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主...

2024-01-09 標(biāo)簽：控制器功率器件 GaN 5.5k 0

簡單認(rèn)識功率器件

功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件，是專門用來進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力，處理電壓...

2024-01-09 標(biāo)簽：二極管晶體管功率器件 2.9k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢及應(yīng)用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對這一挑戰(zhàn)時，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。

2024-01-06 標(biāo)簽：功率器件 SiC 氮化鎵 720 0

航空航天領(lǐng)域中的GaN功率器件（下）

由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn)，GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達(dá)成。但是，隨著GaN功率器件輻照強(qiáng)化及驅(qū)動方式的創(chuàng)新改良，宇航電源將會得到更大...

2024-01-05 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體 GaN 1.5k 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗(yàn)。
AD9361

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nRF52832

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無線收發(fā)模塊

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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全提供了一個非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

三星公司

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三星集團(tuán)是韓國最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
KeyStone

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5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
JN5168

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802.11ax

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號混頻，將輸入信號頻率變換為某個預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。
HBT

HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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