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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>SiC和GaN市場未來如何發(fā)展

SiC和GaN市場未來如何發(fā)展

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SiC適合高壓領(lǐng)域,GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。
2019-05-04 23:15:4813824

GaNSiC增利效應(yīng)拉高,市場競逐日趨白熱化

Wolfspeed,英飛凌,三菱,安森美半導(dǎo)體,意法半導(dǎo)體,ROHM和Toshiba等供應(yīng)商正在推出下一波基于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半導(dǎo)體浪潮,從而為在市場上與傳統(tǒng)的硅基器件進(jìn)行對決奠定了基礎(chǔ)。
2019-11-11 18:01:0010986

未來十年將是GaNSiC功率半導(dǎo)體市場,將以18%速度增長

未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機(jī)的需求驅(qū)動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關(guān)報告稱,至2022年SiCGaN功率半導(dǎo)體
2013-04-26 10:10:041532

功率半導(dǎo)體觀察:SiCGaN飛速發(fā)展的時代

SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加,為數(shù)眾多的展示吸引了各方關(guān)注。SiCGaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475

SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值,2020年破10億美元

市場研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計報告指出,隨著愈來愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品,2015年碳化矽(SiC)功率半導(dǎo)體平均銷售價格已明顯下滑,有望刺激市場加速采 用;與此同時,氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體也已開始
2016-03-24 08:26:111306

基于SiCGaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計

SiC)和氮化鎵(GaN)占有約90%至98%的市場份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù),但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(包括更高的效率,更高的功率密度,更小的尺寸和更少的冷卻),正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiCGaN的功率半導(dǎo)體來獲
2021-04-06 17:50:533169

具有SiCGaN的高功率

電力電子將在未來幾年發(fā)展,尤其是對于組件,因為 WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaNSiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiCGaN 組件的過渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761

GaNSiC功率器件的最佳用例

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場中全面推進(jìn)。在許多情況下,WBG 功率器件正在取代它們的硅對應(yīng)物,并在
2022-07-29 14:09:53807

GaNSiC功率半導(dǎo)體市場有望在2027年達(dá)45億美元

全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長前景。2020年,GaNSiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為7億美元,預(yù)計2021年至2027年的復(fù)合年增長率
2021-05-21 14:57:182257

復(fù)合年增長70%!GaN被快充帶火,用于數(shù)據(jù)中心、電動汽車,未來市場無限可期

,SiCGaN,主要應(yīng)用在基站的射頻器件上,比如華為、中興,GaN基產(chǎn)品則主要用在一些高能量的激光器件上。 ? 目前GaN在充電、快充等消費類的應(yīng)用比較火爆,并逐漸引入到數(shù)據(jù)中心等工業(yè)領(lǐng)域,以及電動汽車的應(yīng)用中,未來市場空間無限,根據(jù)Yolo的數(shù)據(jù),
2021-06-16 07:21:005046

GaNSiC 器件相似和差異

GaNSiC 器件在某些方面相似,但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236

功率GaN市場增速驚人,IDM廠商產(chǎn)能加速擴(kuò)張

GaN市場規(guī)模還高出數(shù)倍。 ? 這一筆大規(guī)模交易的背后,是對功率GaN市場發(fā)展潛力的看好。相比于SiC的功率應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化較早,GaN材料最初在LED、射頻等領(lǐng)域經(jīng)歷了漫長的發(fā)展,功率GaN市場嚴(yán)格來說是從19年才真正上規(guī)模。 ? 因此功率GaN市場發(fā)展潛力被廣泛看好,集邦咨詢的預(yù)測
2023-11-10 00:24:001758

同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:361220

2016年VR行業(yè)發(fā)展狀況及未來五年預(yù)測

導(dǎo)讀:VR 在2016年取得不錯的成績,在2017年市場逐漸成熟,可以預(yù)測未來五年市場發(fā)展前景良好,VR設(shè)備也將更多考慮市場需求,設(shè)計出滿足顧客期望的設(shè)備。 美國知名科技媒體
2016-12-21 11:31:56

2017全球LED照明驅(qū)動電源市場發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢概述

,也是影響LED照明產(chǎn)品穩(wěn)定性的主要因素之一。由于未來LED照明市場發(fā)展空間巨大,相應(yīng)的LED照明驅(qū)動電源市場也有著較大的想象空間,近年來越來越多的企業(yè)進(jìn)入LED照明驅(qū)動電源領(lǐng)域。QYResearch
2017-11-07 11:17:22

GaN功率IC實現(xiàn)了安徽世界上最小的大時代筆電電源適配器怎么樣

有硅、SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵),采用硅材料可以使得芯片體積小、重量輕、成本低,而SiC僅可以提高效率節(jié)省能源,兩者不能兼得,事實證明只有通過GaN功率IC才可以做到無與倫比的速率和效率。另外
2017-09-25 10:44:14

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42

GaNSiC區(qū)別

柵極電荷,它可以使用高開關(guān)頻率,從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC發(fā)展,GaN功率元件是個后進(jìn)者,它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬能隙材料,但擁有更大的成本控制潛力,尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07

SiC GaN有什么功能?

基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化(如充電器
2019-07-31 06:16:52

SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進(jìn)行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的,所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17

SiC/GaN具有什么優(yōu)勢?

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03

SiC/GaN功率開關(guān)有什么優(yōu)勢

新型和未來SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進(jìn)步,從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08

SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器已在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地

) !important]推動SiC/GaN功率開關(guān)普及的主要應(yīng)用有太陽能光伏逆變器、電動汽車充電器和儲能轉(zhuǎn)換器。這里利用了超快的小型高效功率開關(guān)的附加價值,為市場帶來了超高開關(guān)頻率和超過99%的杰出效率
2019-07-16 23:57:01

未來5年,GaN功率半導(dǎo)體市場會發(fā)生哪些變化?

`根據(jù)Yole Developpement指出,氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展,從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠;另一方面,他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46

未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件

`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的,“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43

未來PLC的發(fā)展趨勢將會如何?

未來PLC的發(fā)展趨勢將會如何?基于PLC的運動控制器有哪些應(yīng)用?
2021-07-05 07:44:22

未來全球LED智能路燈市場會進(jìn)入快速發(fā)展階段

據(jù)最新消息獲悉,TrendForce在最新調(diào)查中預(yù)測,未來全球LED智能路燈市場會進(jìn)入快速發(fā)展階段。截止到2024年,將以8.2%的復(fù)合年增長率增長。
2020-10-23 11:13:11

未來半導(dǎo)體照明市場如何發(fā)展?

未來半導(dǎo)體照明市場競爭激烈,將如何發(fā)展呢?哪部分照明將占主要部分呢?依業(yè)內(nèi)人士推測,通用照明將是未來半導(dǎo)體照明市場最大部分。 通用照明包括室內(nèi)照明和室外照明兩大類。這兩類應(yīng)用都要求燈具具有高發(fā)光效率
2013-10-10 18:01:59

未來汽車多媒體發(fā)展的特征是什么?將會如何發(fā)展

基于汽車音響的發(fā)展和現(xiàn)狀,本文總結(jié)了未來汽車多媒體的5大發(fā)展特征、系統(tǒng)理念和系統(tǒng)架構(gòu),并對未來汽車多媒體的發(fā)展趨勢進(jìn)行了簡單的介紹。
2021-05-13 06:48:50

未來觸控產(chǎn)品發(fā)展趨勢1

`未來觸控產(chǎn)品發(fā)展趨勢之一:高度集成性帶來低成本顯示驅(qū)動器IC與觸控功能加以集成、整合的解決方案將是未來發(fā)展方向。由于智能手機(jī)向中低端市場延伸,從市場形態(tài)看,觸控產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)出低成本化的特征
2019-01-07 16:49:17

Atmel總監(jiān)談未來MCU的發(fā)展

隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷騰飛,MCU無疑占領(lǐng)著電子產(chǎn)業(yè)神經(jīng)中樞的地位,針對微控制器未來發(fā)展方向,電子工程世界采訪了愛特梅爾微控制器市場傳訊總監(jiān) Philippe Faure。
2019-07-24 08:33:09

IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管

`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下,10%占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32

LED顯示屏未來發(fā)展潛力巨大

了谷底的市場行情,一度讓大家對行業(yè)的未來發(fā)展深表擔(dān)憂。如今,顯示屏做到1億以上全國有40家左右,而 純利潤能達(dá)到10%的企業(yè)并不多。LED顯示屏行業(yè)經(jīng)過此次洗禮之后,行業(yè)將會走向規(guī)范化,未來,LED顯示屏
2012-11-14 11:41:30

LED燈條未來發(fā)展方向

迪生發(fā)明白熾燈以來又一次產(chǎn)業(yè)革命?,F(xiàn)在LED燈條市場還仍然在一個發(fā)展期,在節(jié)能燈具全面替代白熾燈的時代到來以前,LED燈條還仍然面臨著很強(qiáng)大的市場競爭,怎樣從這個龐大的消費市場脫穎而出,得到消費者的喜愛
2011-03-29 16:42:30

MACOM:硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來發(fā)展趨勢

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大家可以討論一下BLDC和BMS的發(fā)展未來的潛力
2022-02-25 00:28:06

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/ xzl1019 未來 5 年 GaN 預(yù)測的最大市場是移動快速充電,預(yù)計到 2025 年市場將達(dá)到 7 億美元 xi.ii 硅設(shè)計繼續(xù)被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W,大多數(shù)新的更高功率、旗艦智能手機(jī)充電器設(shè)計(從 45 W 到 100 W)都是 GaN。如有侵權(quán),請聯(lián)系作者刪除
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中國RFID市場未來將朝什么方向發(fā)展?

標(biāo)準(zhǔn)制定和技術(shù)開發(fā)方面處于領(lǐng)先水平。隨著RFID技術(shù)的成熟和普及,各國***都意識到RFID技術(shù)對未來的影響和蘊涵的巨大商機(jī),制定相關(guān)政策或投入物力,積極推動本國RFID產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2019-10-12 06:02:27

串行和并行接口SRAM有什么不同?未來將會怎樣發(fā)展?

串行和并行接口SRAM有什么不同?串行接口的發(fā)展趨勢是怎樣的?SRAM未來將會怎樣發(fā)展?
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2019-08-01 07:24:28

了解一下SiC器件的未來需求

引言:前段時間,Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實很火,現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進(jìn)展,針對其中使用的碳化硅SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到:目前
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什么是基于SiCGaN的功率半導(dǎo)體器件?

元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率,但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力?! 』?SiCGaN 的功率半導(dǎo)體器件  碳化硅
2023-02-21 16:01:16

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近年來,物聯(lián)網(wǎng)在中國市場快速發(fā)展,進(jìn)一步拉動傳感器產(chǎn)品需求上漲。據(jù)中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院預(yù)測,未來五年國內(nèi)傳感器市場年復(fù)合增長31%。汽車、物流、煤礦安監(jiān)、安防、RFID標(biāo)簽卡領(lǐng)域的傳感器市場增長較快。
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單片機(jī)的原理是什么?未來如何發(fā)展?

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市場趨勢和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢,有助于高頻應(yīng)用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商,除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30

報名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會

`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55

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無刷電機(jī)行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與未來趨勢分析 市場前景廣闊

的應(yīng)用也因此而迅速增長?,F(xiàn)階段,雖然各種交流電動機(jī)和直流電動機(jī)在傳動應(yīng)用中占主導(dǎo)地位,但直流無刷電動機(jī)正受到普遍的關(guān)注。未來幾年,我國直流無刷電機(jī)的市場前景較為樂觀。無刷電機(jī)行業(yè)未來趨勢首先,市場
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應(yīng)用看,未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到,一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù),那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天,SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
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2021-03-11 06:32:42

碳化硅與氮化鎵的發(fā)展

電動車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭R虼耍?b class="flag-6" style="color: red">SiC及GaN功率組件的技術(shù)與市場發(fā)展,與電動車的發(fā)展密不可分。然而,SiC材料仍在驗證與導(dǎo)入階段,在現(xiàn)階段車用領(lǐng)域僅應(yīng)用于賽車上,因此,全球現(xiàn)階段的車用功率組件
2019-05-09 06:21:14

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體,如果不妥,請聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaNSiC如何撬動新型功率器件

本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯 1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22

請問一下SiCGaN具有的優(yōu)勢主要有哪些

請問一下SiCGaN具有的優(yōu)勢主要有哪些?
2021-08-03 07:34:15

車用SiC元件討論

未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供資金支援,實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟(jì)和社會影響的優(yōu)勢互補(bǔ)
2019-06-27 04:20:26

適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiCGaN半導(dǎo)體技術(shù)

  本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiCGaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計的MMIC的性能:Ka頻段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34

驅(qū)動新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(比如電機(jī)驅(qū)動逆變器市場)采用新技術(shù)的速度較慢,而另一些市場(比如太陽能
2018-10-22 17:01:41

SiC上沉積的GaN最新技術(shù)

為什么GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說,相比LDMOS硅技術(shù)而言,GaN這一材料技術(shù),大大提升了效率和功率密度。
2011-12-01 10:13:101513

PEC-電力電子帶你看SiCGaN技術(shù)與發(fā)展展望

據(jù)權(quán)威媒體分析,SiCGaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場,預(yù)計到2020年,SiCGaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiCGaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112464

解讀射頻GaN市場的機(jī)遇及未來發(fā)展

今年的GaN(氮化鎵)器件市場異?;钴S,GaN逐漸成為主流,開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應(yīng)用中站穩(wěn)了腳跟,并且還抓住了有線電視、移動基礎(chǔ)設(shè)施的部分市場
2016-12-14 02:16:114541

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計,2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1235825

2027年超越100億美元!GaNSiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模暴增

功率半導(dǎo)體市場一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的,但是隨著混合動力及電動汽車、電力和光伏(PV)逆變器的需求,GaNSiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長。
2018-05-23 15:00:059833

電信和國防市場推動射頻氮化鎵(RF GaN)應(yīng)用

出現(xiàn),但GaN-on-SiC在技術(shù)上已經(jīng)變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導(dǎo)了RF GaN市場,已滲透到4G LTE無線基礎(chǔ)設(shè)施市場,預(yù)計將部署在5G sub-6Ghz的RRH架構(gòu)中。
2019-05-09 10:25:184319

硅襯底LED未來有望引領(lǐng)市場發(fā)展

LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料,其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前,能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等,但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033716

關(guān)于GaN和LDMOS的關(guān)系 和未來發(fā)展

如在S波段及以上,SIC基的GaN HEMT真的是唯一選擇,而介于兩者之間的話,主要挑戰(zhàn)就是平衡成本與性能,這方面做起來很難。下圖總結(jié)了三種晶體管的優(yōu)缺點,以及在雷達(dá)應(yīng)用中選擇時的考量因素。
2019-08-29 09:12:2425118

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢,將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值
2020-03-15 09:56:574129

GaN是臺積電的下一個戰(zhàn)場 在車電商機(jī)未來可期

3 月 6 日訊,因應(yīng) 5G、電動車時代來臨,對于高頻、高壓功率元件需求大增,帶動氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬能隙半導(dǎo)體材料興起,全球晶圓代工龍頭臺積電宣布與意法半導(dǎo)體合作開發(fā) GaN,瞄準(zhǔn)未來電動車之應(yīng)用。
2020-03-08 15:19:001998

半導(dǎo)體材料:Si、SiCGaN

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限,而此時以SiCGaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以,出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo),SiCGaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010157

SiC發(fā)展未來

隨著半導(dǎo)體材料步入第三代半導(dǎo)體時代,行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。 事實上,從特性上來講,SiCGaN的優(yōu)勢是互補(bǔ)的,應(yīng)用覆蓋了電動汽車(EV)、新能源、光伏逆變器、智能電器
2020-11-09 10:56:042638

SiCGaN 功率半導(dǎo)體市場趨勢,2019 年以來發(fā)生了什么變化?

11月15日消息 根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiCGaN 功率半導(dǎo)體報告》,在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的新興市場
2020-11-16 10:19:322223

SiCGaN功率電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢分析

今日寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)盟秘書長陸敏博士發(fā)表了主題為“SiCGaN功率電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢”的演講。
2020-12-04 11:12:042263

SiC產(chǎn)業(yè)市場格局與發(fā)展現(xiàn)狀分析

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)這幾年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼,GaN器件在快充等消費類電子領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,碳化硅(SiC)器件則被汽車電子廠商委以重任。未來不論是800V高壓平臺,還是電機(jī)驅(qū)動器的效率提升,都需要SiC器件的深度參與。
2022-03-15 08:55:052611

一文知道GaNSiC區(qū)別

半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙,能帶動電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現(xiàn)更高功率,更高開關(guān)速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導(dǎo)體。
2022-04-16 17:13:015712

用于新型電力電子的 GaN、SiC

我們深入探討了 WBG 技術(shù)的前景和缺陷,考察了這些硅替代品的優(yōu)缺點,以及汽車和 5G 等要求苛刻的應(yīng)用是否足以將 GaNSiC 技術(shù)推向未來芯片設(shè)計的前沿。
2022-07-27 15:44:03490

寬帶隙半導(dǎo)體:GaNSiC 的下一波浪潮

AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會?用一整天的時間介紹寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體,特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小組討論的重點是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26391

工業(yè)家合作滿足 GaNSiC 市場需求

(SiC) 的采用,電力電子技術(shù)走上了一條非凡的道路。Yole Développement (Yole) 估計了這些寬帶隙材料的總體情況。雖然硅仍然占據(jù)市場主導(dǎo)地位,但 GaNSiC 器件的出現(xiàn)一直在引領(lǐng)技術(shù)走向新的高效成果。 在技術(shù)基礎(chǔ)上,碳化硅技術(shù)側(cè)重于在更大直徑和功率
2022-08-08 15:19:37658

淺談SiCGaN未來發(fā)展路線

SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開關(guān),其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。
2023-02-06 14:32:23564

2023年第三代半導(dǎo)體GaNSiC MOSFET的發(fā)展前景

GaNSiC 冰火兩重天。GaN受消費類市場疲軟的影響,市場增長微乎其微。SiC在光伏新能源、電動汽車以及儲能、充電樁等行業(yè)取得了快速發(fā)展
2023-02-24 14:25:42941

未來五年SiC器件市場價值將達(dá)到60億美元

全球SiC器件產(chǎn)能到2027年將增長兩倍,排名前五的公司是:ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析師預(yù)測,未來五年SiC器件市場價值將達(dá)到60億美元,并可能在2030年代初達(dá)到100億美元。
2023-03-27 11:10:00556

SiCGaN的共源共柵解決方案

GaNSiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計的此類設(shè)備,其中許多每天運行數(shù)小時,因此節(jié)省的能源將是巨大的。
2023-03-29 14:21:05297

GaNSiC功率器件的特點 GaNSiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

 SiCGaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431

SiCGaN 的興起與未來 .zip

SiCGaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:226

三安宣布進(jìn)軍美洲市場,為市場提供SiCGaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項合作協(xié)議,Luminus將成為湖南三安SiCGaN產(chǎn)品在美洲的獨家銷售渠道,面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場
2024-01-13 17:17:561042

SiC市場供需之變與未來趨勢

從行業(yè)趨勢看,SiC上車是大勢所趨。盡管特斯拉曾在2023年3月的投資者大會上表示,將減少75%的SiC用量,一度引發(fā)SiC未來發(fā)展前景不明的猜測,但后續(xù)汽車市場和供應(yīng)商都用實際行動表達(dá)了對SiC的支持。
2024-01-24 11:29:16182

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