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gan技術(shù)

碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)應(yīng)用差異在哪里?

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SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):

2023-10-09 標(biāo)簽:晶體管SiC氮化鎵 5150 1

淺談GAN在汽車?yán)锩娴膽?yīng)用案例

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從全球來(lái)看,豪華電動(dòng)汽車趨向于采用800V系統(tǒng),核心優(yōu)勢(shì)是電流小(銅線少)、更低的傳導(dǎo)損耗和更快的充電速度。芝能認(rèn)為2025年,中國(guó)的15萬(wàn)在研產(chǎn)品都會(huì)...

2023-10-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車汽車電子GaN 570 0

基于GaN的晶體管尺寸和功率效率加倍

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無(wú)論是在太空還是在地面,這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢(shì)。

2023-09-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)晶體管GaN 2275 0

如何集成 GaN 功率級(jí)以實(shí)現(xiàn)高效的電池供電 BLDC 電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)

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作者:Jens Wallmann 電池供電的應(yīng)用,如協(xié)作機(jī)器人 (cobot)、電動(dòng)自行車、工業(yè)無(wú)人機(jī)和電動(dòng)工具等,都需要體積小、重量輕、功能強(qiáng)大的電機(jī)...

2023-10-03 標(biāo)簽:電機(jī)BLDCGaN 1152 0

使用Buck芯片直接生成負(fù)壓的解決方案

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在產(chǎn)品設(shè)計(jì)、電子電路應(yīng)用中,會(huì)經(jīng)常使用到負(fù)電壓電源。

2023-09-27 標(biāo)簽:BUCK晶體管GaN 1.4萬(wàn) 0

寬帶隙技術(shù)能極大提高高壓 LED 照明的效率和功率密度

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作者:得捷電子 事實(shí)證明,高壓 LED 照明可以有效地取代高強(qiáng)度放電 (HID) 照明等先前技術(shù)。隨著高壓 LED照明得到采用,許多制造商爭(zhēng)相生產(chǎn)并在各...

2023-10-03 標(biāo)簽:led二極管轉(zhuǎn)換器 963 0

分階段雷達(dá)的電源解決方案

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2023-10-26 標(biāo)簽:電源雷達(dá)PMIC 906 0

干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

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2023-09-27 標(biāo)簽:PCB驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1618 0

一個(gè)集成濾波功能的低噪聲放大器設(shè)計(jì)原理圖

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濾波器在前端中也有著重要的作用,在接收機(jī)下變頻時(shí),鏡像頻段處的信號(hào)會(huì)變頻到中頻帶處,引入干擾,此時(shí)濾波器可用于抑制鏡像頻段處的干擾。而在常見的前端設(shè)計(jì)中...

2023-09-16 標(biāo)簽:濾波器SiCGaN 1651 0

聊聊英飛凌的汽車模塊HybridPACK

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新能源汽車的發(fā)展蒸蒸日上,對(duì)于半導(dǎo)體器件的要求,不僅僅是功率半導(dǎo)體都提出了更好的需求。作為功率半導(dǎo)體行業(yè)No.1的英飛凌也給我們呈現(xiàn)了多樣性的發(fā)展態(tài)勢(shì),...

2023-09-15 標(biāo)簽:英飛凌半導(dǎo)體SiC 4823 0

硅基氮化鎵未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析

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GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵(GaN-on-Si)目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標(biāo)簽:射頻無(wú)線電氮化鎵 1730 0

如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應(yīng)用?

如今,越來(lái)越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要,因?yàn)樗兄谔岣吖β示w管的效率,從而減小電源的尺寸并降...

2023-09-13 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 670 0

IGBT的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

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雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術(shù),但它在高功率應(yīng)用中仍然發(fā)揮著重要作用。

2023-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBTSiC 1414 0

氮化鎵的市場(chǎng)在哪些領(lǐng)域?封裝技術(shù)是怎樣的?

氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導(dǎo)熱系數(shù)高、開關(guān)頻率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。 其中,高開關(guān)頻率意味著應(yīng)用電路...

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通過(guò)單片GaN集成提高性能,同時(shí)減小尺寸和成本

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15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵 (GaN) 異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和激光雷達(dá)脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...

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半導(dǎo)體材料的發(fā)展階段

作為“二十世紀(jì)最重要的新四大發(fā)明”之一,半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天,從人工智能到生物醫(yī)學(xué),半導(dǎo)體無(wú)處不在,深刻地塑造著我們生活的方方面面。

2023-09-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 1596 0

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氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,是研制微電...

2023-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 1271 0

GaNFast氮化鎵功率芯片有何優(yōu)勢(shì)?

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納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,邏輯和保護(hù)...

2023-09-01 標(biāo)簽:充電器氮化鎵GaN 1332 0

量產(chǎn)GaN晶圓的KABRA工藝流程

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半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation(總部:東京都大田區(qū);總裁:Kazuma Sekiya)采用了KABRA(一種使用激光加工的晶錠切片...

2023-08-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓功率器件 1289 0

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一款基于 VIPERGAN50 的隔離式電源是一款新型離線高壓轉(zhuǎn)換器,具有 650 V HEMT 功率 GaN 晶體管,專為準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì),能夠...

2023-04-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體GaN 1193 0

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