羅姆推出650VGaN HEMT和柵極驅(qū)動器

通常GaN Hemt驅(qū)動存在2個難題：驅(qū)動電壓低，容易誤啟動；柵極耐電壓低，柵極容易損耗，因此需要專門的驅(qū)動器，不僅增加了設(shè)計復(fù)雜度，也額外增加了系統(tǒng)成本。

2023-07-23 標(biāo)簽：驅(qū)動器GaN外圍電路 1053 0

IGBTs給高功率帶來了更多的選擇

絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（...

2023-07-20 標(biāo)簽：IGBT晶體管SiC 1128 0

最有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料——金剛石基GaN問世

美國國防部高級研究計劃局(DARPA)微系統(tǒng)技術(shù)辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示，化合物半導(dǎo)體行業(yè)將很快進(jìn)入第三波...

2023-07-17 標(biāo)簽：GaN金剛石寬禁帶半導(dǎo)體 767 0

芯元基實現(xiàn)高效純紅光量子點(diǎn)芯片技術(shù)分析

芯元基的量子點(diǎn)MIP技術(shù)，在GaN晶圓的每個子像素的側(cè)壁均做有金屬電極結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)除了有利于像素的共陰極設(shè)計外，也可以更好的解決獨(dú)立子像素間的光串?dāng)_問...

2023-07-13 標(biāo)簽：MiniGaN量子點(diǎn) 956 0

雷達(dá)的常見分類方法及發(fā)展趨勢

GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性，但也需要更多的測試和優(yōu)化，在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢和劣勢： 優(yōu)勢： GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性，可以提...

2023-07-10 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 1059 0

利用C2000實時MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計實用性

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...

2023-07-23 標(biāo)簽：mcu數(shù)字電源GaN 921 0

C2000實時微控制器(MCU)應(yīng)對GaN開關(guān)挑戰(zhàn)

與碳化硅（SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)...

2023-07-24 標(biāo)簽：微控制器mcuGaN 736 0

GaN基Micro LED領(lǐng)域南京大學(xué)取得新突破

GaN基Micro LED與其驅(qū)動（如HEMT、MOSFET等）的同質(zhì)集成能充分發(fā)揮出GaN材料的優(yōu)勢，獲得更快開關(guān)速度、更高耐溫耐壓能力以及更高效率的...

2023-07-07 標(biāo)簽：OLEDlcdGaN 943 0

如何驗證 GaN 的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。

2023-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵程序GaN 1024 0

如何改進(jìn)GaN-on-Si技術(shù)的射頻性能

年復(fù)一年，越來越多的用戶通過無線方式傳輸越來越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效，第五代移動通信 (5G) 正在推出，業(yè)界已經(jīng)在關(guān)注未來...

2023-07-06 標(biāo)簽：射頻接收器移動通信 992 0

針對氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產(chǎn)能提升近40%！

切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。

2023-07-04 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1262 1

車規(guī)級功率器件可靠性測試難點(diǎn)及應(yīng)用場景

車規(guī)級功率器件未來發(fā)展趨勢 材料方面: SiC和GaN是必然趨勢，GaAs在細(xì)分領(lǐng)域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評測方面:...

2023-07-04 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 1021 0

GaN的歐姆接觸實驗

GaN材料由于其所具有的優(yōu)良光電性能,而成為固態(tài)照明、數(shù)字處理、光電器件、功率器件等半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。金屬與半導(dǎo)體接觸可以形成肖特基接觸，...

2023-07-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體歐姆光電器件 4829 0

40W兩級高效無頻閃GaN方案OB3674P+OB8652V介紹

隨著辦公照明和商業(yè)照明市場日趨成熟，高PF、低諧波、低成本、無頻閃、高光效等需求已成為用戶的首選。為了滿足用戶高效節(jié)能、高可靠性和電源驅(qū)動小型化的要求，...

2023-06-30 標(biāo)簽：PFCBoostGaN 5113 0

GaN器件特性影響因素有哪些？

GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導(dǎo)體的消費(fèi)電子快充市場。但實際上，GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說是新能源汽車市場，而非消...

2023-06-29 標(biāo)簽：氮化鎵GaN華燦光電 880 0

車規(guī)級氮化鎵（GaN）技術(shù)有何優(yōu)勢？

作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對提高電能的高效利用及實現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。

2023-06-29 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1473 0

全方面的電池應(yīng)用解決方案

越來越多的無線和電池供電設(shè)備越來越多地滲透到日常生活中，其中包括電動汽車（EV）與太陽能儲能系統(tǒng)等應(yīng)用，如何對電池進(jìn)行高效率的管理將是重要課題。本文將為...

2023-06-28 標(biāo)簽：MOSFETGaN電源系統(tǒng) 1282 0

三菱電機(jī)采用單個GaN功率放大器實現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運(yùn)行

三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年6月8日）宣布，該公司已開發(fā)出首款使用單個放大器即可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器。該技術(shù)已被證明可用于...

2023-06-27 標(biāo)簽：通信系統(tǒng)三菱電機(jī)GaN 1180 0

如何在缺陷樣本少的情況下實現(xiàn)高精度的檢測

導(dǎo) 讀 缺陷檢測是工業(yè)生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其檢測結(jié)果的好壞直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。而在現(xiàn)實場景中，但產(chǎn)品瑕疵率非常低，甚至是沒有，缺陷樣本的不充足使得需...

2023-06-26 標(biāo)簽：軟件GaN生成器 2019 0