氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的反向恢復(fù)損耗。正是由于這些特性，GaN FET可以實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而在保持合理開(kāi)關(guān)損耗的同時(shí)，提升功率密度和瞬態(tài)性能。
2023-04-14 09:22:30
1963 
9月，英飛凌宣布成功開(kāi)發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。這一突破將極大地推動(dòng)氮化鎵功率
2024-10-25 11:25:362337 
，氮化鎵材料或?qū)l(fā)展成為快充行業(yè)的主流。國(guó)產(chǎn)內(nèi)的氮化鎵廠商也陸續(xù)推出了多款氮化鎵產(chǎn)品，并在芯片的功率、驅(qū)動(dòng)、封裝方面均有不小的突破。 ? 封裝工藝升級(jí)、雙面散熱的650V GaN FET ? 據(jù)介紹，氮矽科技現(xiàn)已發(fā)布多款基于氮化鎵的產(chǎn)品，同時(shí)還推出了多
2021-12-01 10:13:058153 65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國(guó)法國(guó)的拉丁語(yǔ) Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
65W氮化鎵1A2C充電器39、KunX坤興65W氮化鎵1A1C充電器40、KunX坤興90W氮化鎵雙USB-C充電器41、KOSUN科訊30W氮化鎵充電器42、KOSUN科訊45W氮化鎵充電器43
2020-03-18 22:34:23
充電器售價(jià)高達(dá)數(shù)百元人民幣，普通用戶(hù)根本難以承受。2020 年，氮化鎵上下游產(chǎn)業(yè)趨于成熟，產(chǎn)能也有了保證，成本下降，氮化鎵充電器價(jià)格相對(duì)發(fā)布時(shí)也有了一定回落，百元價(jià)位成為主流。百元氮化鎵快充開(kāi)始吸引高需求
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來(lái)越多充電器開(kāi)始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來(lái)很小，但是功率一般很大，可以給手機(jī)平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn)，下文簡(jiǎn)單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時(shí)優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通，這個(gè)系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門(mén)到精通的蛻變。前期回顧（點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
。我們預(yù)計(jì)這項(xiàng)協(xié)議在擴(kuò)大MACOM供應(yīng)來(lái)源的同時(shí)，還將促進(jìn)擴(kuò)大規(guī)模、提高產(chǎn)能和成本結(jié)構(gòu)優(yōu)化，從而加速硅基氮化鎵技術(shù)在大眾市場(chǎng)的普及。 對(duì)于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施，這次合作有望使硅基氮化鎵技術(shù)經(jīng)濟(jì)高效地部署
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
MACOM的貨源外，該協(xié)議還授權(quán)意法半導(dǎo)體在手機(jī)、無(wú)線基站和相關(guān)商用電信基礎(chǔ)設(shè)施以外的射頻市場(chǎng)上制造、銷(xiāo)售硅上氮化鎵產(chǎn)品。通過(guò)該協(xié)議，MACOM期望獲得更高的晶片產(chǎn)能和優(yōu)化的成本結(jié)構(gòu)，取代現(xiàn)有的LDMOS
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM開(kāi)始通過(guò)頻繁收購(gòu)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng)，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
`明佳達(dá)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲?。篘V6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對(duì)
2021-01-08 17:02:10
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
的電壓，其漏極漂移區(qū)為10-20μm，或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而，氮化鎵器件目前仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于約300V/μm的禁帶寬度極限，這為未來(lái)的優(yōu)化和改進(jìn)，留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16
鎵晶圓的制作成為可能。Na Flux （Na Flux）工藝是將 Na/GaN溶液置于壓力30-40的氮?dú)庵?，在該溶液中溶解氮并使其飽和，由此?dǎo)致氮化鎵晶體沉淀。此項(xiàng)技術(shù)由山根久典教授于日本東北大學(xué)
2023-02-23 15:46:22
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專(zhuān)有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時(shí)
2019-07-08 04:20:32
組件連手改變電力電子產(chǎn)業(yè)原本由硅組件主導(dǎo)的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性，能為高頻電源設(shè)計(jì)帶來(lái)效率提升、體積縮小與提升功率密度的優(yōu)勢(shì)，因此在服務(wù)器、通訊電源及便攜設(shè)備充電器等領(lǐng)域
2021-09-23 15:02:11
概述
SW1108P 是一款針對(duì)離線式反激變換器的高性能高集成度準(zhǔn)諧振電流模式 PWM 控制器。
SW1108P 內(nèi)置 6V 的驅(qū)動(dòng)電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能
的谷底
2024-11-04 09:00:29
精通，這個(gè)系列直播共分為八講，從0到1全面解密電源設(shè)計(jì)，帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測(cè)試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評(píng)估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類(lèi)了，可以外接顯示器，拓展塢之類(lèi)的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類(lèi)型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能簡(jiǎn)介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
OPPO公司分享了這一應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)，一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS，體積更小、更節(jié)省空間，且阻抗比單顆硅MOS更低，可降低在此路徑上的熱量消耗，降低充電溫升，提升充電的恒流持續(xù)時(shí)間。不僅如此，氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過(guò)程相結(jié)合，以更低的成本進(jìn)行廣泛使用，從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
%、采用的元件少50%、縮短設(shè)計(jì)時(shí)間和更高效的解決方案。氮化鎵集成電路使產(chǎn)品更小、更快、更高效和更易于設(shè)計(jì)。
誤解4：氮化鎵器件的供應(yīng)鏈不可靠
EPC的GaN FET和集成電路的制造工藝非常簡(jiǎn)單和成熟。通過(guò)
2023-06-25 14:17:47
?是提高性能和降低價(jià)值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會(huì)更高、工藝會(huì)更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。 目前已開(kāi)發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù)，光效
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開(kāi)啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
我們?nèi)碌陌灼?shū)：“用一個(gè)集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能?！? 通過(guò)閱讀博文“我們一起來(lái)實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行”，進(jìn)一步了解TI如何使GaN更加可靠。? 加入TI E2E? 社區(qū)氮化鎵 (GaN) 解決方案論壇，尋找解決方案、獲得幫助、與同行工程師和TI專(zhuān)家們一起分享知識(shí)，解決難題。
2018-08-30 15:05:50
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過(guò)封裝和改善結(jié)構(gòu)來(lái)優(yōu)化性能提升效率，不過(guò)隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個(gè)改善的空間已經(jīng)不大了
2010-05-10 17:50:571347 氮化鎵充電器等等。 現(xiàn)在，努比亞對(duì)首款65W氮化鎵充電器進(jìn)行全面升級(jí)，推出了努比亞65W GaN Pro氮化鎵充電器，體積再減小40%，配備可折疊國(guó)標(biāo)插腳，攜帶出行更加方便。 設(shè)計(jì)方面，努比亞65W GaN Pro氮化鎵充電器延續(xù)努比亞獨(dú)創(chuàng)的“氘鋒”系列外觀ID，方形柱狀造型，機(jī)身整體呈
2021-02-19 16:59:275049 氮化鎵晶片的化學(xué)機(jī)械拋光工藝綜述
2021-07-02 11:23:36
46 ，氮化鎵材料或?qū)l(fā)展成為快充行業(yè)的主流。國(guó)產(chǎn)內(nèi)的氮化鎵廠商也陸續(xù)推出了多款氮化鎵產(chǎn)品，并在芯片的功率、驅(qū)動(dòng)、封裝方面均有不小的突破。 封裝工藝升級(jí)、雙面散熱的650V GaN FET 據(jù)介紹，氮矽科技現(xiàn)已發(fā)布多款基于氮化鎵的產(chǎn)品，同時(shí)還推出了多個(gè)可
2021-12-07 13:57:287092 
用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能
2022-11-02 08:16:300 第三代半導(dǎo)體材料，有更高的禁帶寬度，是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系，下游應(yīng)用包括微波射頻器件(通信基站等)，電力電子器件(電源等)，光電器件(LED照明等)。不過(guò)，第三代半導(dǎo)體材料中，受技術(shù)與工藝水平限制，氮化鎵材料作為襯底實(shí)現(xiàn)
2023-02-03 14:38:463001 氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀 氮化鎵是當(dāng)前發(fā)展最成款的競(jìng)禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國(guó)對(duì)氮化鎵的研究重視，美歐日等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃。氮化鎵因具有很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過(guò)
2023-02-03 14:58:161922 氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度
2023-02-05 10:24:522352 樣的背景下，一種新型的功率半導(dǎo)體——氮化鎵（GaN）的出現(xiàn)，那么氮化鎵工藝優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有哪些呢？ 氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體，該化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3．4電子伏特，
2023-02-05 11:31:314543 氮化鎵工藝優(yōu)點(diǎn)是什么呢？ AlGaN / GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）是開(kāi)關(guān)功率晶體管的有希望的候選者，因?yàn)樗鼈兙哂懈叩臄鄳B(tài)擊穿強(qiáng)度以及導(dǎo)通狀態(tài)下的優(yōu)異溝道導(dǎo)電性。這些特征是GaN的特殊物理特性與其異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料AlGaN的組合。最重要的
2023-02-05 11:43:472725 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007546 氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場(chǎng)、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點(diǎn)，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目前第三代半導(dǎo)體材料主要有三族化合物半導(dǎo)體材料
2023-02-05 15:01:488941 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355312 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
硅基氮化鎵外延生長(zhǎng)是在硅片上經(jīng)過(guò)各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極小面積上的一種電子產(chǎn)品。氮化鎵功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:4213770 
硅基氮化鎵和藍(lán)寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料，但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能，可以用于制造電子元件，而藍(lán)寶石基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性，可以用于制造熱敏元件。此外，硅基氮化鎵的成本更低，而藍(lán)寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來(lái)，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204101 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3215328 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1429358 Nexperia（安世半導(dǎo)體）的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，共將分為（上）（下）兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等
內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia（安世半導(dǎo)體）氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝
2023-02-22 15:40:430 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來(lái)源。
2023-02-25 17:25:151497 新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無(wú)金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用自對(duì)準(zhǔn)工藝，使得柵極形貌良好，且最小線寬低至0.5μm。
2023-05-24 16:24:053564 
氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，因此廣泛用于以下領(lǐng)域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍(lán)、綠、白光LED，廣泛應(yīng)用于照明
2023-06-02 15:34:4613933 相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:2310672 半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片方法），并開(kāi)發(fā)了一種針對(duì)GaN（氮化鎵）晶圓生產(chǎn)而優(yōu)化的工藝。通過(guò)該工藝，可以同時(shí)提高GaN晶圓片產(chǎn)量，并縮短生產(chǎn)時(shí)間。
2023-08-25 09:43:521777 
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:3410640 
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，充電技術(shù)也在發(fā)生著前所未有的變革，而隨著其中，氮化鎵充電頭已成為人們關(guān)注的新熱點(diǎn)。那么，氮化鎵充電頭的原理是什么呢？KeepTops將為您詳細(xì)闡述氮化鎵充電頭的制作、工作原理及應(yīng)用。
2023-10-20 16:04:064631 
氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實(shí)際使用場(chǎng)景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場(chǎng)景。首先要明確使用的具體場(chǎng)景，如音頻、視頻、計(jì)算還是其他應(yīng)用場(chǎng)景。不同的場(chǎng)景對(duì)氮化鎵芯片的性能和特點(diǎn)要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時(shí)，要充分考慮應(yīng)用的場(chǎng)景。
2023-10-26 17:02:181576 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過(guò)程和所
2023-11-24 11:15:206429 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵開(kāi)關(guān)管整合到一個(gè)...
2023-11-24 16:49:221796 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416137 氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬于六方晶系晶體。在過(guò)去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料，受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會(huì)詳盡地介紹氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)、性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 首先，我們來(lái)介紹
2024-01-10 10:03:216728 氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片，它們?cè)谛阅?、?yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點(diǎn)和差異。 首先，從材料屬性上來(lái)看，氮化鎵芯片采用
2024-01-10 10:08:143855 氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)良的電學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中，主要包括以下幾個(gè)方面：材料準(zhǔn)備、芯片制備、工廠測(cè)試和封裝等。 首先，氮化鎵芯片
2024-01-10 10:09:414135 芯片的研發(fā)過(guò)程。 研究和理論分析 氮化鎵芯片的研發(fā)過(guò)程首先始于對(duì)材料本身的研究和理論分析。研究人員會(huì)通過(guò)實(shí)驗(yàn)和理論計(jì)算，探索不同的材料配比和工藝，并確定最適合制備氮化鎵芯片的方法和條件。他們會(huì)研究氮化鎵的物理性
2024-01-10 10:11:392150 氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336032 近日，美國(guó)芯片大廠德州儀器（TI）宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。其位于日本會(huì)津的工廠已經(jīng)正式投產(chǎn)基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。
2024-10-29 16:57:591238 近日，德州儀器（TI）宣布了一個(gè)重要的產(chǎn)能提升計(jì)劃。公司在日本會(huì)津工廠的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體已經(jīng)正式投產(chǎn)。
2024-11-01 18:03:401499 海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優(yōu)點(diǎn)，轉(zhuǎn)換效率高達(dá)91%，應(yīng)用廣泛，性?xún)r(jià)比高。一、產(chǎn)品介紹40WACDC系列氮化鎵電源模塊
2025-02-24 12:02:321021 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491184 
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化打嗝模式本質(zhì)為電源保護(hù)機(jī)制（如短路保護(hù)），優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進(jìn)行。高頻噪聲問(wèn)題需協(xié)同芯片設(shè)計(jì)、封裝工藝及PCB布局綜合解決。氮化鎵
2025-06-12 15:46:16962 
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