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基于矢量量化字典與雙解碼器的人臉盲修復(fù)網(wǎng)絡(luò)
盡管生成式面部先驗(yàn)和結(jié)構(gòu)化面部先驗(yàn)最近已經(jīng)證明了可以生成高質(zhì)量的人臉盲修復(fù)結(jié)果,穩(wěn)定、可靠生成更細(xì)粒度的臉部細(xì)節(jié)仍然是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的問(wèn)題。
如何集成GaN功率級(jí)以實(shí)現(xiàn)高效的電池供電BLDC電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)
電池供電的應(yīng)用,如協(xié)作機(jī)器人 (cobot)、電動(dòng)自行車、工業(yè)無(wú)人機(jī)和電動(dòng)工具等,都需要體積小、重量輕、功能強(qiáng)大的電機(jī)。無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)是一...
5G 技術(shù)有望提供延遲小于 1 毫秒的無(wú)線通信、100 倍的網(wǎng)絡(luò)能效提升以及高達(dá)每秒 20 吉比特 (Gbit/s) 的數(shù)據(jù)速率。
ChatGPT核心技術(shù):transformer的核心算法結(jié)構(gòu)
由于transformer是更高級(jí)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)深度學(xué)習(xí)算法,對(duì)數(shù)據(jù)量有很高要求,這也催生了從小數(shù)據(jù)如何快速產(chǎn)生大數(shù)據(jù)的算法,比如GAN對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)等。
2023-03-08 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN深度學(xué)習(xí) 1210 0
憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。
幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
本設(shè)計(jì)文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開(kāi)爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。 VDD 電容 VDD 引腳應(yīng)有兩個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶...
2023-02-27 標(biāo)簽:PCB驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1018 0
氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì),因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的...
Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較!
碳化硅(SiC)技術(shù)改進(jìn)了各種應(yīng)用中的多個(gè)系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過(guò)更快的開(kāi)關(guān)、在整個(gè)溫度范圍內(nèi)的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現(xiàn)...
任何一個(gè)電子元件,不論是一個(gè)三極管還是一個(gè)集成電路(Integrated Circuit, IC),想要使用它,都需要把它連入電路里。一個(gè)三極管,只需要...
基于GAN先驗(yàn)的退化感知特征插值人臉修復(fù)網(wǎng)絡(luò)
人臉修復(fù)是一種典型的ill-posed問(wèn)題、可逆圖像修復(fù)問(wèn)題,其解不唯一且必存在。高度退化和多退化的場(chǎng)景下,高質(zhì)量的人臉修復(fù)明顯更具有挑戰(zhàn)性。
ICLR 2023 Spotlight:2D圖像轉(zhuǎn)換3D
本文提出的人體 NeRF 基于參數(shù)化人體模型 SMPL,它提供了方便的人體姿勢(shì)以及形狀的控制。進(jìn)行 NeRF 建模時(shí),如下圖所示,本文將人體分為 16 ...
本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。閱讀本白皮書后,您應(yīng)該對(duì)平面磁性技術(shù)的優(yōu)勢(shì)以及自動(dòng)化工作流程如何輕松...
2023-02-22 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體電力電子SiC 1670 0
使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開(kāi)關(guān)
眾所周知,因?yàn)?GaN PA 需要使用特定的偏置時(shí)序,所以在某些設(shè)計(jì)中,GaN 功率放大器的上電和下電可能會(huì)具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當(dāng),可能會(huì)導(dǎo)致組件損壞...
GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性,是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵(以下簡(jiǎn)稱“GaN”) 功率開(kāi)關(guān)。只...
2023-02-20 標(biāo)簽:pcb驅(qū)動(dòng)器晶體管 960 0
使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容
本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。
2023-02-19 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體器件 924 0
GaN IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)分析
數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實(shí)現(xiàn)卓越性能的一個(gè)很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號(hào)塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號(hào)塊。
SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)
從人類的角度來(lái)看,幾代人過(guò)得很慢,在人們的記憶中,從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代(Y?)和Z,現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而,在半導(dǎo)體...
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