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氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思? 氮化鎵是一種無機物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常...
氮化鎵是一種無機物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
通過種種信息,我們應(yīng)該都能發(fā)現(xiàn),氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場持平,而且,氮化鎵充電器是近幾年新開發(fā)出來的,從剛開始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的14...
對于 GaN,中文名氮化鎵,我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
對于 GaN,中文名氮化鎵,我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
氮化鎵E-HEMT器件在反激快充應(yīng)用中的測試對比
隨著GaN器件在一線品牌(小米、OPPO、華為、VIVO、聯(lián)想等)大功率適配器等應(yīng)用場景的優(yōu)勢展示和產(chǎn)品推出,推動了GaN器件在更廣泛的電源領(lǐng)域的使用,...
2023-02-02 標(biāo)簽:適配器GaN電源系統(tǒng) 1563 0
LNA 的作用是從天線獲取極其微弱的不確定信號,這些信號通常是微伏數(shù)量級的信號或者低于-100 dBm,然后將該信號放大至一個更有用的水平,通常約為0....
LED是一種半導(dǎo)體,通電即會發(fā)光。憑借其高效率、長壽命和其他突出的特點,成為LCD液晶顯示模組的核心材料,為LCD的背光模組提供足夠的光源;
GaN功率HEMT設(shè)計+GaN寬帶功率放大器設(shè)計
GaN功率HEMT設(shè)計+GaN寬帶功率放大器設(shè)計
GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應(yīng)用,包括微波射頻 (RF) 和功率開關(guān)應(yīng)用。
基于模型的GaN PA設(shè)計基礎(chǔ)知識:內(nèi)部電流-電壓(I-V)波形的定義及其必要性
基于模型的 GaN PA 設(shè)計基礎(chǔ)知識:內(nèi)部電流-電壓 (I-V) 波形的定義及其必要性
一旦硅開始達(dá)不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...
傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅(Si),因為它豐富且價格合理。但是,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)還提供額外的好處,例如碳...
氮化鎵(GaN)是一種非常堅硬、機械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體。基于GaN的功率器件具有更高的擊穿強度、更快的開關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻,其性能明顯...
LP88G24DCD內(nèi)置650V級聯(lián)型結(jié)構(gòu)的GaN功率器件,采用QFN8*8封裝,進(jìn)一步減小芯片占板面積,底部采用一體化銅基板設(shè)計,具有極佳的散熱性能。
2022-11-30 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻驅(qū)動器PMIC 1199 0
高頻高頻QR GaN控制器在Flyback拓?fù)淇斐洚a(chǎn)品上的應(yīng)用
型號LP8843DCD提供一個耐壓高達(dá)200V的VccH管腳,以及一個耐壓35V的VccL管腳;可以很方便的用這兩個管腳組成雙繞組供電方式,以節(jié)約高壓輸...
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