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TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...
TI LMG3624 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能的 650V 170mΩ GaN FET
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...
TI LMG2610用于有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器的集成 650V GaN 半橋技術(shù)文檔
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于 開關(guān)模式電源應(yīng)用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器。LMG...
TI LMG2610詳解具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋
2025-02-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器tiFET 542 0
從科幻走入現(xiàn)實,人形機(jī)器人正經(jīng)歷一場靜默而深刻的技術(shù)革命:更高效的能源控制、更精準(zhǔn)的運(yùn)動算法、更高速的通信架構(gòu)、更智能的環(huán)境感知能力......這些變革...
過去兩年中,氮化鎵雖然發(fā)展迅速,但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時,不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤,這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此,在本文中,...
目前GaN正逐漸廣泛應(yīng)用的四個主要中電壓領(lǐng)域
這篇技術(shù)文章由德州儀器(TEXAS INSTRUMENTS)的 Srijan Ashok 撰寫,主要介紹了中電壓氮化鎵(GaN)在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢和應(yīng)...
UCG28826 中文數(shù)據(jù)手冊 具有集成式 GaN (65W) 的自偏置高頻 QR 反激式轉(zhuǎn)換器
UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT),可將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,適用于高達(dá) 65W的電...
2025-01-21 標(biāo)簽:反激式轉(zhuǎn)換器GaN 987 0
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測試方案
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...
利用用于多相偏置解決方案的 GMR10Dx 模塊優(yōu)化工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率控制器
作者:Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探討了開發(fā)可靠安全的多相功率控制器所面臨的設(shè)計挑戰(zhàn)和主要考慮因素。文中利用具有浮...
安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?粉末純度、SiC晶錠一致性
硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而,硅也有局限性,尤其在電力電子領(lǐng)域,設(shè)計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。 本文為白皮...
驅(qū)動電流分檔功能?是指通過配置不同的分壓電阻值來調(diào)節(jié)驅(qū)動電流的檔位,從而優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中,如電源管理芯片U8...
TI的UCG28826無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計難題
人們對更小、更高效電源的需求不斷增長,進(jìn)而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中,制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)...
廣芯微600W雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換平臺方案
廣芯微電子(廣州)股份有限公司于2024年12月宣布推出基于其UM32G421微處理器芯片打造的600W高效率雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換參考開發(fā)平臺,集成...
2024-12-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器微處理器DC-DC 2267 0
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...
氮化鎵(Gallium Nitride,簡稱GaN)作為最新一代的半導(dǎo)體材料,近年來在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨特的優(yōu)勢,使其成為...
#參考設(shè)計#用于工業(yè)應(yīng)用的60W雙輸出反激式電源(使用InnoMux2-EP(1700V PowiGaN))
60 W反激式轉(zhuǎn)換器,具有兩個獨立調(diào)節(jié)的CV輸出,使用基于1700 V PowiGaN的InnoMux2-EP(IMX2353F-H415),用于具有高...
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