LMG3410EVM-031具有兩個LMG3410R150600VGaN功率晶體管，帶有集成驅(qū)動器，這些驅(qū)動器配置在-個半橋中，具有所有必需的偏置電路和邏輯/功率電平轉(zhuǎn)換。基本功率級和柵極驅(qū)動高頻電流環(huán)路完全封閉在電路板上，以最大限度地減少寄生電感，減少電壓過沖并提高性能。LMG3410EVM-031配置為具有插座式外部連接，可輕松與外部功率級連接，以便在各種應(yīng)用中運行LMG3410R150。
*附件：LMG3410R150-031 EVM用戶指南.pdf

LMG3410EVM-031 在半橋中配置了兩個 LMG3410R150 GaN FET，具有鎖存過流保護功能和所有必要的輔助外圍電路。此 EVM 旨在與大型系統(tǒng)配合使用。

特征

• 輸入電壓最高可達 600 V
• 用于評估 LMG3410R150 性能的簡單開環(huán)設(shè)計
• 板載單個 PWM 輸入，用于 PWM 信號，死區(qū)時間為 50ns
• 鎖存過流保護功能
• 使用帶有短接地彈簧探頭的示波器探頭進行邏輯和功率級測量的便捷探測點

1. 概述

• ?產(chǎn)品?：LMG3410R150-031 EVM（評估模塊）
• ?功能?：包含兩個LMG3410R150 GaN功率晶體管，配置為半橋，集成了所有必需的偏置電路和邏輯/電源電平轉(zhuǎn)換電路。
• ?目標?：用于在各種應(yīng)用中測試LMG3410R150的性能。

2. 安全指南

• ?工作區(qū)域安全?：保持工作區(qū)域整潔有序，使用有效的屏障和警示標志。
• ?電氣安全?：在處理前確保EVM已斷電，使用絕緣工具和適當(dāng)?shù)膫€人防護裝備。
• ?個人安全?：穿戴乳膠手套和安全眼鏡，或?qū)VM放置在帶有互鎖的透明塑料盒中。

3. 產(chǎn)品描述

• ?結(jié)構(gòu)?：LMG3410EVM-031作為子卡，可與LMG34XX-BB-EVM母板配合使用。
• ?功能?：
  • ?邏輯引腳?：7個邏輯引腳，用于控制和監(jiān)測GaN FET。
  • ?電源引腳?：3個電源引腳，包括VSW（半橋開關(guān)節(jié)點）、VDC（輸入直流電壓）和PGND（功率地）。
  • ?工作模式?：支持自舉模式和隔離電源模式。
    

4. 測試設(shè)置

• ?所需設(shè)備?：直流電壓源、直流偏置源、函數(shù)發(fā)生器、示波器、直流多用表、直流負載和風(fēng)扇。
• ?推薦測試配置?：將LMG3410EVM-031連接到LMG34XX-BB-EVM母板，按照指南連接電源、負載和測試儀器。

5. 測試程序

• ?啟動和操作?：
  1. 連接所有設(shè)備并上電。
  2. 啟用PWM信號。
  3. 緩慢增加輸入電壓，同時監(jiān)測VSW以確保不超過絕對最大額定值。
• ?關(guān)機程序?：先關(guān)閉輸入電源和PWM信號，然后禁用12V偏置電源。

6. 典型特性

• ?波形圖?：提供了在不同輸入電壓、頻率和占空比下的開關(guān)波形圖。
• ?散熱?：推薦使用散熱器和風(fēng)扇來控制LMG3410R150的溫度。

7. 組裝圖和PCB布局

• ?頂層和底層布局?：詳細展示了EVM的頂層和底層組件布局。
• ?內(nèi)層銅布局?：展示了內(nèi)層銅的布局，有助于理解信號和電源的走線。