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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1256人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3177個 瀏覽：259432次 帖子：484個

      igbt技術(shù)

      變頻器IGBT模塊故障維修實例詳解

      對于變頻器的維修，總的來說，首先要對其工作原理有較透徹的理解，對每個電路的性能指標(biāo)、工作點及器件的性能、好壞都能有一個正確的判別，才能真正地修好每一臺設(shè)...

      2023-02-24 標(biāo)簽：傳感器變壓器變頻器 5k 0

      IGBT的研究與進展

      從 20 世紀 80 年代 IGBT 被首次提出至今，IGBT 器件不斷朝著更低的正向?qū)▔航怠⒏〉拈_關(guān)損 耗方向發(fā)展；但是，鑒于 IGBT 器件的各...

      2023-02-24 標(biāo)簽：電路IGBT半導(dǎo)體器件 5.1k 0

      主流功率半導(dǎo)體器件IGBT的歷史沿革和最新研究

      本文首先介紹了 IGBT 技術(shù)的研究現(xiàn)狀，并對 IGBT 不同結(jié)構(gòu)的特點和電學(xué)特性做了簡要闡述；最 后列舉了一些最新的研究成果，并探討了 IGBT 的 ...

      2023-02-24 標(biāo)簽：emiIGBT半導(dǎo)體器件 6.2k 0

      單相橋式逆變電路實現(xiàn)逆變，將直流電轉(zhuǎn)變成交流電。改變兩組開關(guān)的切換頻率，就可以改變輸出交流電的頻率。

      2023-02-23 標(biāo)簽：晶閘管IGBT逆變電路 5.6k 0

      納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動器NSi68515

      納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動器NSi68515，專為驅(qū)動高達2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET，IGBT而設(shè)計

      2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器IGBT 2.2k 0

      IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些？

      可控硅：能夠被低功率的控制信號打開，但只能由主電路（功率電路）自身來關(guān)斷而不能被控制信號關(guān)斷，因此又被稱為半可控開關(guān)。

      2023-02-23 標(biāo)簽：變壓器IGBT功率半導(dǎo)體 5.2k 0

      詳解IGBT的米勒鉗位電路

      詳解IGBT的米勒鉗位電路

      當(dāng)出現(xiàn)短路時IGBT的Vce快速上升，過高的dVce/dt會通過米勒電容給IGBT門極充電，若不進行保護會使得門極電壓過高而損壞IGBT，門極鉗位電路主...

      2023-02-23 標(biāo)簽：三極管IGBTpnp 1.2萬 0

      三極管推挽電路設(shè)計

      三極管推挽電路設(shè)計

      當(dāng)驅(qū)動光耦的輸出能力無法滿足IGBT門極驅(qū)動電流的要求時，要選擇使用推挽驅(qū)動。

      2023-02-23 標(biāo)簽：三極管電路設(shè)計IGBT 3.9k 0

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      SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

      IGBT的低Vd（或低Id）范圍（在本例中是Vd到1V左右的范圍），在IGBT中是可忽略不計的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會構(gòu)成問題，但當(dāng)用電設(shè)備的電...

      2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 1.5k 0

      IGBT的等效電路

      IGBT的等效電路

      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管...

      2023-02-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.0萬 0

      IGBT的優(yōu)缺點

      IGBT的優(yōu)缺點

      簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點，如驅(qū)動...

      2023-02-22 標(biāo)簽：MOSFET電壓IGBT 5k 0

      IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)

      IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)

      為了更好了解IGBT，下面我們再來看看它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：一般，IGBT 有三個端子：集電極、發(fā)射極和柵極，他們都是附有金屬層。但是，柵極端子上的金屬材料具有...

      2023-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT晶體管 6.3k 0

      IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)

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      　IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高...

      2023-02-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率 2.5k 0

      關(guān)于IGBT與MOSFET的不同

      　MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。主要優(yōu)點是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大，缺點是擊穿電壓低，工作電流小。

      2023-02-22 標(biāo)簽：MOSFET變頻器IGBT 5k 0

      IGBT功率模塊的特點及應(yīng)用

      IGBT功率模塊的特點及應(yīng)用

      　IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復(fù)合功率器件，它集雙...

      2023-02-22 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率模塊 5.2k 0

      使用數(shù)字萬用表對IGBT模塊進行檢驗

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      2023-02-22 標(biāo)簽：二極管模塊數(shù)字萬用表 4.5k 0

      IGBT功率模塊的優(yōu)勢

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      IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)...

      2023-02-22 標(biāo)簽：模塊半導(dǎo)體IGBT 4.3k 0

      IGBT功率模塊是什么？

      IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動，利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動電路、控制電路和保護電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...

      2023-02-22 標(biāo)簽：封裝技術(shù)IGBT功率模塊 6.4k 0

      IGBT功率半導(dǎo)體的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？

      IGBT模塊可以分為低壓（600V以下），中壓（600V-1200V）和壓（1200V-6700V），IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電...

      2023-02-22 標(biāo)簽：變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 2.4k 0

      如何證明IGBT模塊是功率半導(dǎo)體

      在功率器件中，IGBT模塊備受各行業(yè)青睞，甚至還入選了我國重大科技專項重點扶持項目。它兼具MOSFET（絕緣柵型場效應(yīng)管）及BJT（雙極型三極管）兩類器...

      2023-02-22 標(biāo)簽：模塊IGBT功率半導(dǎo)體 1.7k 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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      • STM32F103C8T6
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        +關(guān)注
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        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        +關(guān)注
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        基站測試
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      • ESP8266
        ESP8266
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        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
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        靜電防護
        +關(guān)注
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