電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
2017-04-17 18:25:37
10033 
IGBT 功率模塊工作過(guò)程中存在開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生溫度梯度。并且結(jié)構(gòu)層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:187628 E-tron的逆變器的電壓覆蓋范圍為150V-460V，10 秒持續(xù)的最大電流為 530A，持續(xù)電流最大為 260A，功率密度為30kVA/L，和特斯拉的不同，采用了三個(gè)IGBT功率模塊。
2023-07-07 09:40:001592 
電機(jī)控制器的功率模塊，即IGBT器件和續(xù)流二極管，在開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通電流會(huì)產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化成熱能，表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。
2023-07-12 15:53:148194 
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:403194 
在IGBT功率模塊的動(dòng)態(tài)測(cè)試中，夾具的雜散電感（Stray Inductance,Lσ）是影響測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性的核心因素。雜散電感由測(cè)試夾具的layout、材料及連接方式引入，會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)波形畸變、電壓尖峰升高及損耗測(cè)量偏差。
2025-06-04 15:07:311751 
CISSOID在2019年歐洲功率電子及智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊。
2019-05-13 11:33:451284 布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊，與其他同類(lèi)產(chǎn)品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。該800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場(chǎng)
2024-06-14 15:28:201182 
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
調(diào)節(jié)輸出電能的形式，從而驅(qū)動(dòng)電機(jī)，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)車(chē)輛。這就是IGBT作為核心部件的工作原理。IGBT 功率模塊是逆變器的核心功率器件。逆變器用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)，為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力。當(dāng)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)工作時(shí)，逆變器從電池組
2022-05-10 09:54:36
實(shí)用性。全書(shū)共7章，分別介紹了電力電子器件的發(fā)展和研發(fā)動(dòng)向、IGBT的結(jié)構(gòu)和工作特性、IGBT功率模塊、IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)、IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)以及IGBT在現(xiàn)代電源領(lǐng)域
2011-11-25 15:46:48
什么是IGBT模塊？IGBT是一種功率半導(dǎo)體芯片，是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱(chēng)。IGBT功率模塊是在一個(gè)封裝中組裝和物理封裝多個(gè)IGBT功率半導(dǎo)體芯片。。..IGBT功率模塊用作電子開(kāi)關(guān)器件。IGBT在
2023-02-02 17:05:34
營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Thorsten Schmidt表示：“SCALE-iFlex Single門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的外形經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)，可與最新的標(biāo)準(zhǔn)IGBT功率模塊完美適配，這些IGBT功率模塊包括Mitsubishi
2021-09-09 11:00:41
的發(fā)展和研發(fā)動(dòng)向、IGBT的結(jié)構(gòu)和工作特性、IGBT功率模塊、IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)、IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)以及IGBT在現(xiàn)代電源領(lǐng)域中的應(yīng)用。本書(shū)題材新穎實(shí)用，內(nèi)容豐富，文字通俗
2015-05-29 10:47:00
6DDMM420MM430MM440全系列產(chǎn)品，新舊不限)歐姆龍(CPM1ACPM2A CPM2AHCJ1WCS1W CP1ECP1LCP1H CP1GCPM2AE等全系列產(chǎn)品)IGBT功率模塊（英飛凌富士三菱西門(mén)子安川西門(mén)康紅邦優(yōu)派克東芝）微信***
2019-07-30 19:39:45
目前國(guó)內(nèi)絕大多數(shù)IGBT功率模塊/MOSFET功率模塊廠家灌封采用傳統(tǒng)的硅膠灌封方式。隨著國(guó)內(nèi)客戶在新能源車(chē)用和電網(wǎng)電力風(fēng)電方面（1200V以上領(lǐng)域）對(duì)IGBT模塊使用的要求越來(lái)越高；采用硅膠灌
2022-02-20 15:29:36
infineon IPM模塊 英飛凌 PIM模塊 英飛凌 晶閘管 EUPEC 可控硅進(jìn)口IGBT模塊 德國(guó)西門(mén)子歐派克IGBT模塊 功率集成模塊 整流二極管 快恢復(fù)二極管 EUPEC IGBT功率模塊
2021-12-02 17:55:00
`2015年，比亞迪新能源汽車(chē)“秦”全年累計(jì)銷(xiāo)量遙遙領(lǐng)先，絕對(duì)的NO 1。而秦的核心器件之一便是由比亞迪微電子自主研發(fā)的IGBT功率模塊。比亞迪微電子集中了IGBT芯片設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試、系統(tǒng)應(yīng)用方面
2016-05-25 18:45:35
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過(guò)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
）作為全電動(dòng)注塑機(jī)頂出伺服系統(tǒng)的執(zhí)行機(jī)構(gòu)，以 dsPIC30F4011 為核心處理器驅(qū)動(dòng)電路和控制電路，包括IGBT 功率模塊、鍵盤(pán)顯示和通訊接口等部分。在系統(tǒng)的軟件設(shè)計(jì)中，將所有的事件分成中速、低速
2014-11-12 11:25:00
4. 狀況監(jiān)測(cè)在功率循環(huán)測(cè)試期間，實(shí)驗(yàn)所涉及的功率模塊的主要故障機(jī)制是上臂IGBT的引線鍵合點(diǎn)①至⑥的剝離（圖3）。為了再現(xiàn)模塊的劣化，依次將④③⑤⑥②①[12]對(duì)這6個(gè)引線鍵合點(diǎn)切開(kāi)。在每次切開(kāi)后
2019-03-20 05:21:33
專(zhuān)業(yè)回收,觸控屏,變頻器,AB模塊。新舊不限,大量上門(mén)回收IGBT模塊,或個(gè)人滯留,或工程剩余模塊要處理的主營(yíng)產(chǎn)品:常年回收igbt功率模塊,電源模塊,可控硅模塊,ipm功率模塊,gtr達(dá)林頓模塊
2021-03-04 13:57:12
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
、JOHANSON、三和等品牌。電話151-5220-9946江工 QQ2360670759 長(zhǎng)期回收三極管、二極管、MOS管、IGBT管、晶體管、肖特基、可控硅、高頻管、模塊、IGBT模塊
2021-03-02 15:11:54
本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討。
2021-05-14 06:52:53
最近參加深圳世強(qiáng)和威科（Vincotech）聯(lián)合舉辦的研討會(huì)，有講到威科的IGBT功率模塊，特別是他們家的flowPHASE 0功率模塊印象深刻，有用過(guò)的嗎？ 據(jù)世強(qiáng)的Speaker說(shuō)——在中大功率
2014-08-26 12:22:31
FF1400R17IP4P1700 V, 1400 A 半橋雙IGBT模塊， 采用第四代 TRENCHSTOP? IGBT、第四代發(fā)射極控制二極管、溫度檢測(cè) NTC、軟開(kāi)關(guān)芯片以及 預(yù)涂熱界面材料
2022-04-18 09:28:58
英飛凌推出了完整的三相逆變器系統(tǒng)解決方案(基于HybridPACK 2 IGBT模塊的HybridKIT)，可減少設(shè)計(jì)人員在(H)EV逆變器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)階段的工作量，并幫助他們對(duì)英飛凌的HybridPACK2 IGBT功率模塊
2010-06-30 16:52:391534 
為了實(shí)現(xiàn)三電平電路，只能通過(guò)采用分立式器件或至少將三個(gè)模塊結(jié)合在一起。現(xiàn)在，采用針對(duì)較高擊穿電壓的芯片技術(shù)，通過(guò)將三電平橋臂集成到單獨(dú)模塊中，再配上驅(qū)動(dòng)電路，就能夠使得這種拓?fù)湓谛碌膽?yīng)用中更具吸引力。
2011-01-15 14:23:118294 
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持
2012-10-09 14:06:405218 
橋和單開(kāi)關(guān)管IGBT功率模塊---VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP250SA60S、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S。
2016-01-19 18:19:591107 電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與工業(yè)通用變頻器、風(fēng)能太陽(yáng)能逆變器的驅(qū)動(dòng)電路有更為苛刻的技術(shù)要求，其中的電源電路受到空間尺寸小、工作溫度高等限制，面臨諸多挑戰(zhàn)。
2016-11-14 15:16:461518 
電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
2017-04-22 09:27:171904 
IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品
2017-05-14 14:31:1714771 
并網(wǎng)逆變器一般分為光伏發(fā)電并網(wǎng)逆變器、風(fēng)力發(fā)電并網(wǎng)逆變器、動(dòng)力設(shè)備發(fā)電并網(wǎng)逆變器和其他發(fā)電設(shè)備發(fā)電并網(wǎng)逆變器。并網(wǎng)逆變器的最大特點(diǎn)是系統(tǒng)的功率高，成本低。一般功率大的使用三相的IGBT功率模塊，功率較小的使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管，同時(shí)使用DSP轉(zhuǎn)換控制器來(lái)改善所產(chǎn)出電能的質(zhì)量。
2018-03-01 16:26:5746765 IGBT功率模塊是逆變器的核心功率器件。逆變器用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)，為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力。當(dāng)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)工作時(shí)，逆變器從電池組獲取直流電，并轉(zhuǎn)換成交流電來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)。逆變器的集成化程度、控制成熟度和可靠性都與IGBT的性能密切相關(guān)。
2018-05-16 09:28:5317549 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1314691 Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，已擴(kuò)充其專(zhuān)為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設(shè)計(jì)，現(xiàn)包括半橋、六只裝以及S、D、H、W
2018-09-05 08:44:005542 高壓永磁斷路器，變頻器、IGBT模塊、IGBT功率模塊專(zhuān)用高頻貼片電容1812/2KV/NP0/222J礦業(yè)產(chǎn)品專(zhuān)用貼片電容1812 100V 6.8UF/685K X7R以上為X7R材質(zhì)，容量精度為10%,耐溫-55-+125度原廠直銷(xiāo)，品質(zhì)保證。更多規(guī)格歡迎查詢和免費(fèi)索樣~
2018-10-29 09:43:20707 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件
2019-06-21 08:00:00
5 英飛凌日前利用采用先進(jìn)中性點(diǎn)鉗位（advanced neutral-point-clamped ANPC）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，將混合碳化硅（SiC）和IGBT功率模塊EasyPACK 2B提升到1200V。該
2019-09-14 10:56:005286 隨著新一代 IGBT 芯片結(jié)溫及功率密度的提高，對(duì)功率電子模塊及其封裝技術(shù)的要求也越來(lái)越高。文
章主要介紹了功率電子模塊先進(jìn)封裝互連技術(shù)的最新發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)比較了芯片表面互連、貼片焊接互連、導(dǎo)電端
2022-05-06 15:15:556 IGBT 功率模塊基本的封裝工藝介紹，給初入半導(dǎo)體芯片制造封裝的工程師作為參考資料。
2022-06-17 14:28:4255 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對(duì)IGBT
2022-08-06 14:54:533108 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)進(jìn)行了探討。
2022-12-02 11:46:351628 IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。
2023-01-13 10:14:583119 結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量，能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運(yùn)行性能等。
2023-02-07 16:59:434873 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:041134 
英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高，在設(shè)計(jì)靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí)，適用于
2023-02-16 16:30:582132 為了充分發(fā)掘系統(tǒng)層面的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，以往主要集中在大功率應(yīng)用的三電平中點(diǎn)鉗位(NPC)拓?fù)潆娐方鼇?lái)也開(kāi)始出現(xiàn)在中、小功率應(yīng)用中。低電壓器件改進(jìn)后的頻譜性能和更低的開(kāi)關(guān)損耗，使得UPS系統(tǒng)或太陽(yáng)能逆變器等
2023-02-22 14:09:412 IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。
2023-02-22 15:08:145090 
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。
2023-02-22 15:34:006030 
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體器件種類(lèi)眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類(lèi)
2023-02-22 15:41:022825 三電平IGBT功率模塊 電子知識(shí) 為了充分發(fā)掘系統(tǒng)層面的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，以往主要集中在大功率應(yīng)用的三電平中點(diǎn)鉗位(NPC)拓?fù)潆娐方鼇?lái)也開(kāi)始出現(xiàn)在中、小功率應(yīng)用中。低電壓器件改進(jìn)后的頻譜性能和更低
2023-02-24 10:42:123 功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展，在工作損耗不變的情況下，使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大，在熱導(dǎo)率和熱阻相同的情況下，會(huì)使得封裝體和裸芯的溫度更高，高溫會(huì)帶來(lái)許多問(wèn)題。
2023-03-20 17:49:462206 功率半導(dǎo)體模塊主要應(yīng)用于電能轉(zhuǎn)換和電能 控制，是電能轉(zhuǎn)換與電能控制的關(guān)鍵器件，被譽(yù)為 電能處理的“CPU”，是節(jié)能減排的基礎(chǔ)器件和核心技術(shù)之一
2023-03-24 17:29:238573 
陶瓷覆基板是影響模塊長(zhǎng)期使用的關(guān)鍵部分之一，IGBT模塊封裝中所產(chǎn)生的熱量主要是經(jīng)陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導(dǎo)出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的決定因素。
2023-04-17 09:54:482105 賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應(yīng)方面進(jìn)一步加強(qiáng)合作 賽米控丹佛斯（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系
2023-04-26 09:17:511651 
賽米控丹佛斯（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市） 在開(kāi)發(fā)SiC（碳化硅） 功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中
2023-04-26 15:27:111383 
隨著全球電氣化技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)功率模塊的需求已經(jīng)達(dá)到了前所未有的程度，相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)模急劇擴(kuò)大，幾乎超出了芯片制造商的產(chǎn)能提升速度。
2023-05-10 10:48:02780 ～賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應(yīng)方面進(jìn)一步加強(qiáng)合作～ 賽米控丹佛斯（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好
2023-05-17 13:35:021960 
IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導(dǎo)型器件，被譽(yù)為電力電子行業(yè)的 “CPU”。IGBT代表絕緣柵雙極型晶體管，是國(guó)際公認(rèn)的電力電子技術(shù)的第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。
2023-06-16 14:37:522233 IGBT 功率模塊基本的封裝工藝詳細(xì)講解，可以作為工藝工程師的一個(gè)參考和指導(dǎo)。
絲網(wǎng)印刷目的：
將錫膏按設(shè)定圖形印刷于DBC銅板表面，為自動(dòng)貼片做好前期準(zhǔn)備
設(shè)備：
BS1300半自動(dòng)對(duì)位SMT錫漿絲印機(jī)
2023-06-19 17:06:410 各位“貞”朋友好，今日推薦貞光科技代理品牌，優(yōu)秀原廠—美微科(MCC)，貞光科技主要代理美微科(MCC)的二極管、MOSFETs、晶體管、電壓調(diào)節(jié)器、靜電保護(hù)和功率TVS、碳化硅肖特基、IGBT、功率模塊等產(chǎn)品。
2022-08-02 11:41:072333 
隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對(duì)于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門(mén)檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好
2023-04-21 10:18:282943 
散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道，也是模塊中價(jià)值占比較高的重要部件，車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅陶瓷基板等部件相匹配的熱膨脹系數(shù)、足夠的硬度和耐用性等特點(diǎn)。
2023-07-06 16:19:332261 
間接液冷散熱采用的是平底散熱基板，基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂，緊貼在液冷板上，液冷板內(nèi)通冷卻液，散熱路徑為：芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板-冷卻液。
2023-07-12 16:25:055738 
在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi)柵極-發(fā)射極短路狀態(tài)下，允許的斷態(tài)集電極-發(fā)射極最高電壓。
2023-07-21 08:55:597886 
間接液冷散熱采用的是平底散熱基板，基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂，緊貼在液冷板上，液冷板內(nèi)通冷卻液，散熱路徑為芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板-冷卻液。即芯片為發(fā)熱源，熱量主要通過(guò)DBC基板、平底散熱基板、導(dǎo)熱硅脂傳導(dǎo)至液冷板，液冷板再通過(guò)液冷對(duì)流的方式將熱量排出。
2023-07-21 09:34:321939 
隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT ）向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn)，熱產(chǎn)生問(wèn)題日益突出，對(duì)散熱的要求越來(lái)越高，IGBT 芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會(huì)嚴(yán)重影響器件的工作性能。
2023-07-27 10:43:264010 
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過(guò)高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車(chē)電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對(duì)新能源汽車(chē)性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:233280 
隨著全球新能源的發(fā)展，功率半導(dǎo)體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時(shí)有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求
2023-09-01 15:06:578959 
IGBT 功率模塊的開(kāi)關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:142647 
?IGBT全稱(chēng)為絕緣柵雙極型晶體管，特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心部件，其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)的單面冷卻
2023-09-26 08:11:512635 目前，芯動(dòng)半導(dǎo)體無(wú)錫工廠已完成建設(shè)，自今年2月奠基以來(lái)，歷時(shí)8個(gè)月，工廠主體封頂，首條模塊產(chǎn)線于10月28日順利通線。工廠擁有國(guó)內(nèi)一流測(cè)試環(huán)境，能夠滿足IGBT功率模塊的嚴(yán)苛質(zhì)量管理要求，快速響應(yīng)車(chē)型需求，定向開(kāi)發(fā)產(chǎn)品。
2023-11-17 17:14:031221 日前，Vishay 推出五款采用改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 組成
2024-03-08 09:15:181738 
Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:511491 近日，全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過(guò)改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:381092 智己汽車(chē)根據(jù)工信部公開(kāi)資料與供應(yīng)鏈專(zhuān)家進(jìn)行了多輪確認(rèn)。同時(shí)，參考業(yè)內(nèi)主流技術(shù)趨勢(shì)，初步確認(rèn)輔驅(qū)異同步電機(jī)普遍使用 IGBT 功率模塊?？上г摻Y(jié)論與小米汽車(chē)官方主張并不相符，對(duì)此，智己汽車(chē)向小米汽車(chē)誠(chéng)摯道歉。
2024-04-09 16:26:27910 近日，智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，最新發(fā)布第 7代1200VQDual3 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊，與其他同類(lèi)產(chǎn)品相比，該模塊
2024-06-12 14:05:321311 在智能電源和感知技術(shù)領(lǐng)域，美國(guó)納斯達(dá)克上市的安森美公司（onsemi，股票代碼：ON）再次展現(xiàn)其技術(shù)實(shí)力。近日，該公司正式發(fā)布了第7代1200VQDual3絕緣柵雙極晶體管（IGBT）功率模塊，標(biāo)志著電力電子領(lǐng)域又一大步的飛躍。
2024-06-12 14:46:081709 Vishay推出五款采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊。新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S
2024-06-29 08:30:56939 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件，其散熱問(wèn)題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對(duì)IGBT功率模塊散熱問(wèn)題的詳細(xì)分析，包括散熱機(jī)制、影響因素、散熱方法及優(yōu)化策略等。
2024-07-26 17:24:422562 IGBT功率模塊結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖： IGBT的失效形式及其機(jī)理主要包含以下兩種： 芯片頂部鋁鍵合線的開(kāi)裂和翹起。 這種現(xiàn)象是由于電流在導(dǎo)線中流動(dòng)產(chǎn)生熱量，進(jìn)而引發(fā)熱沖擊效應(yīng)。這種熱沖擊會(huì)導(dǎo)致熱機(jī)械應(yīng)變的產(chǎn)生
2024-07-31 17:11:411499 
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過(guò)可以控制
2024-11-14 14:59:192865 
中和要求減少化石能源消耗，我國(guó)在能源供給端需增加可再生能源使用，消費(fèi)端提升電力消費(fèi)比例，傳輸端降低損耗。IGBT作為電力領(lǐng)域的“CPU”，對(duì)新能源汽車(chē)、軌道交通等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義重大。國(guó)家電網(wǎng)投入推動(dòng)電網(wǎng)升級(jí)，促進(jìn)能源低碳轉(zhuǎn)型。同時(shí)，第三代半導(dǎo)體行業(yè)受?chē)?guó)家政策和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展向好的驅(qū)動(dòng)而火爆。
2024-11-19 14:28:451012 
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）功率模塊是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心組件，廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。然而，IGBT功率模塊的封裝技術(shù)卻面臨著諸多挑戰(zhàn)。本文將從材料選擇、熱管理、可靠性、工藝控制等方面詳細(xì)探討IGBT功率模塊封裝面臨的主要問(wèn)題。
2024-12-27 14:11:431051 
IGBT全稱(chēng)為絕緣柵雙極型晶體管，特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心部件，其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)的單面冷卻
2025-01-11 06:32:432272 英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A，這款750V模塊是英飛凌著名的“EasyPACK?”產(chǎn)品家族中的最新成員，它基于EDT2技術(shù)，封裝形式為EasyPACK? 2B半橋
2025-02-20 17:52:392921 
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當(dāng)前市場(chǎng)上
2025-04-02 10:59:415542 
IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開(kāi)關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431300 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)變頻等領(lǐng)域，其封裝可靠性直接影響模塊的性能和壽命。在封裝工藝中，焊接強(qiáng)度、引線鍵合質(zhì)量、端子結(jié)合力等關(guān)鍵參數(shù)需要通過(guò)精密測(cè)試來(lái)
2025-05-14 11:29:59993 
目前車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主要采用硅基材料制作，與硅基半導(dǎo)體材料相比， 以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件
2025-09-29 10:44:262630 
在現(xiàn)代電力電子與新能源汽車(chē)工業(yè)飛速發(fā)展的今天，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為電能轉(zhuǎn)換與控制的“心臟”，其可靠性直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的性能與壽命。IGBT模塊內(nèi)部通過(guò)焊接、鍵合等工藝將多個(gè)
2025-11-21 14:13:06858 
IGBT 功率模塊的主要作用是交流電和直流電的轉(zhuǎn)換, 同時(shí) IGBT 還承擔(dān)電壓的高低轉(zhuǎn)換的功能. 比如, 充電樁充電的時(shí)候是交流電, 需要通過(guò) IGB
2023-12-01 15:48:31
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