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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設(shè)備。** 變頻器靠內(nèi)部IGBT的開斷來調(diào)整輸出電源的電壓和頻率...
														STGSH50M120D IGBT模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT(帶二極管)在半橋拓?fù)渲屑闪?個IGBT和二極管。 ...
														英飛凌推采用iMOTION? IPM IMI111T-026H高效風(fēng)機控制參考板
采用iMOTION? IPM IMI111T-026H高效風(fēng)機控制參考板 iMOTION? IPM---一個緊湊的DSO封裝中實現(xiàn)完整的三相逆變器,包括...
														?UCC218915-Q1 汽車級單通道隔離預(yù)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC218915-Q1 是一款電隔離式單通道預(yù)驅(qū)動器,專為工作電壓高達 1500V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進的保護功能...
														德州儀器UCC21717-Q1隔離式柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments UCC21717-Q1隔離式單通道柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動高達1700V SiC MOSFET和IGBT。它具有高級集...
														東芝分立IGBT大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的效率
GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)界驗證,對于節(jié)能工作意義重...
多種功率半導(dǎo)體在不同領(lǐng)域具有的優(yōu)勢
功率半導(dǎo)體器件是電力電子電路的重要組成部分,理想的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)具有良好的靜態(tài)和動態(tài)特性,在截止?fàn)顟B(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下,可...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.4k 0
														TMS320F28P650DH 微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計,包...
														IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲變化趨勢(1)
現(xiàn)在我們把時間變量圖片加入,進行電荷總量圖片的瞬態(tài)分析。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓,IGBT內(nèi)部存儲的電荷開始衰減,衰減過程是因為載流子壽命有限而自然復(fù)合
														
							由變頻驅(qū)動的電機,電機是不能直接從電源側(cè)獲取能量的,變頻器不同于開關(guān)、接觸器,一旦接通,電機就能從工頻下啟動并運行,變頻器由整流、濾波、逆變環(huán)節(jié),它的能...
車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷,2023年看不到供需緩解跡象
功率器件品類眾多,其中車規(guī)功率器件量價齊升市場規(guī)模已超過1000億元
														突發(fā)脈沖磁場對IGBT模塊的干擾效應(yīng)研究
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)通常在復(fù)雜的電磁環(huán)境中運行,然而,關(guān)于磁場干擾(MFI)對其性能和可靠性的影響的研究較少,尤其是在高功率應(yīng)用中。本文提出了一...
2025-02-25 標(biāo)簽:開關(guān)電路IGBT晶體管 1.4k 0
相對于LTCC和HTCC,TFC為一種后燒陶瓷基板。采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將金屬漿料涂覆在陶瓷基片表面,經(jīng)過干燥、高溫?zé)Y(jié)(700~800℃)后制備。金屬漿料...
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 1.4k 0
														
							用于確定漏電流的穩(wěn)定性,這與IGBT的場畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測試來增強故障機制,因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo),也可以驗證過程控制的有效性。
														IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(2)
上一章我們對IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中,在IGBT的大注入條件下,電子和空穴的運動相互影響,這個影響關(guān)系需要用雙極性擴散系數(shù)來描述。
碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用!
電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加,并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用,包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...
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