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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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英飛凌推出120-200A 750V EDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技術(shù),具有最低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,這可以使...
TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT:感應(yīng)加熱和軟開(kāi)關(guān)領(lǐng)域新標(biāo)桿
在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開(kāi)關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N1...
2025-03-13 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率開(kāi)關(guān)器件 1.1k 0
認(rèn)識(shí)到這種情況的嚴(yán)重性,標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)、行業(yè)團(tuán)體和政府機(jī)構(gòu)制定了新能源指南。這些指南通常采用引用效率曲線的形式,這些曲線規(guī)定了所有運(yùn)行負(fù)載(從 20% 到滿負(fù)...
為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)(Injection Enha...
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無(wú)疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
Microchip推出一款全新的綜合性混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng)模塊
設(shè)計(jì)多電飛機(jī)(MEA)的飛機(jī)制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動(dòng),以減輕重量和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。
2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 1.1k 0
針對(duì)應(yīng)用于2兆瓦范圍的電力電子系統(tǒng),當(dāng)下關(guān)注的焦點(diǎn)是采用何種技術(shù)以及具有多久的生命周期。
2024-09-27 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體Littelfuse 1.1k 0
使用新型C3M 650V MOSFET節(jié)省BOM成本
為了在電動(dòng)汽車市場(chǎng)取得成功,公司需要擴(kuò)大續(xù)航里程并降低物料清單 (BOM) 成本,以有效地與根深蒂固的內(nèi)燃機(jī) (ICE) 競(jìng)爭(zhēng)。為了實(shí)現(xiàn)更大的續(xù)航里程,...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電池 1.1k 0
在IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程中通常用開(kāi)通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來(lái)進(jìn)行描述。圖5是IGBT整個(gè)開(kāi)關(guān)過(guò)程的波形。
變流器主電路在空間產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度隨輸入、輸出母線中通過(guò)電流的強(qiáng)弱而變化,同時(shí)IGBT模塊產(chǎn)生的空間交變電磁場(chǎng)的強(qiáng)度隨其兩端電壓和電流突變的劇烈程度而變化...
使用工業(yè)級(jí)熱特征提取方法提高大功率半導(dǎo)體的測(cè)試與故障診斷速度
隨著消費(fèi)者和工業(yè)電子系統(tǒng)不斷增長(zhǎng)的能源需求,電子電力元器件供應(yīng)商以及OEM 面臨著為航空、電動(dòng)車、火車、發(fā)電設(shè)備以及可重復(fù)使用能源生產(chǎn)提供高可靠性系統(tǒng)的...
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...
2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1.1k 0
國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域
國(guó)產(chǎn)IGBT的使用已經(jīng)非常成熟了,伴隨著半導(dǎo)體領(lǐng)域的大力發(fā)展,目前國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)越來(lái)越多的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體企業(yè),飛虹半導(dǎo)體就是其中之一。目前飛虹半導(dǎo)體首發(fā)FHA40...
高可靠性驅(qū)動(dòng)器6AB0460T12-NR01概述及特點(diǎn)
受政策利好、技術(shù)發(fā)展等多重因素的疊加,儲(chǔ)能行業(yè)持續(xù)火熱迎來(lái)高速發(fā)展期。儲(chǔ)能變流器是儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)鏈重要一環(huán),對(duì)提高電能質(zhì)量和新能源利益率起著積極作用。青銅劍技...
2023-07-28 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器asicIGBT 1.1k 0
ADuM4138具有隔離式反激控制器的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
ADuM4138 是一款已針對(duì)絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術(shù)在輸...
2025-05-30 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1.1k 0
快恢復(fù)二極管分類全解析:從基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)到前沿應(yīng)用
在變頻器IGBT驅(qū)動(dòng)電路中,一個(gè)反向恢復(fù)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)的二極管導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗增加30%,這個(gè)案例揭示了快恢復(fù)二極管選型對(duì)電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵影響。作為高頻開(kāi)關(guān)電路...
2025-02-26 標(biāo)簽:變頻器IGBT驅(qū)動(dòng)電路 1.1k 0
天前,兩位今年剛加入我們維修電工班的同事,竟然被一支普普通通的DZ47—63 D40型兩匹斷路器完虐,從而再次為我們廣大電工提供了一個(gè)經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)——工作除...
2023-08-25 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源電位器PWM 1.1k 0
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