【2022年5月30日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY）近日發(fā)布了采用EconoDUAL? 3標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)封裝的全新1700 V
2022-05-30 15:10:15
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級IGBT?，包括AIKQ120N75CP2?和?AIKQ200N75CP2兩個型號。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關(guān)的性能，并
2022-06-10 16:53:133563 
Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT，專為800V電動汽車（BEV）應(yīng)用而設(shè)計。這些IGBT具有優(yōu)化的集電極-發(fā)射極飽和電壓（VCE(sat)）、強大的短路能力和更大
2025-04-09 10:15:141820 
Power Integrations今日推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級SID1181KQSCALE-iDriver門極驅(qū)動器。繼推出1200V SID1182KQ驅(qū)動器IC之后，新器件
2020-01-24 09:42:003701 英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優(yōu)化，進一步豐富了英飛凌車規(guī)級分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。
2022-03-21 14:14:042272 
? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計。它提供一系列精細化的產(chǎn)品組合，在25°C時R?DS(on)?值
2025-07-02 15:00:301604 
IGBT英飛凌的模塊，用著怎么樣啊，求指導(dǎo)。
2018-04-17 15:27:54
8-20kHz之間，請使用英飛凌后綴為DN2、RT4、KT4的IGBT模塊.高壓1700VFF600R17ME4(600A/1700V) FF450R17ME4(450A/1700V)FF300R17ME4
2022-05-10 10:06:52
全球半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商英飛凌聯(lián)合第三方，推出了性能優(yōu)越的的750W伺服套件。該套件包括主控板和功率板兩部分。主控板采用英飛凌32位微處理器XMC4500（ARM Cortex-M4 core）為主
2018-12-11 10:47:32
我在做軟開關(guān)，使用的是英飛凌IGBT:BSM150GB60DLC，在大負載時驅(qū)動波形會有振蕩現(xiàn)象，有個別大神說可能是IGBT問題，有用過這個信號的大神嗎？這個管子怎么樣？
2019-03-14 16:50:48
英飛凌IGBT參數(shù)中文版搞電源變頻器電焊機 必備資料
2019-02-09 21:33:19
[tr][td]英飛凌IGBT應(yīng)用常見問題解答1.IGBT模塊適用于哪些產(chǎn)品？2.Easy系列模塊電壓/電流/功率范圍？3.Easy系列有哪幾種封裝？........總共23個問題，，已經(jīng)有此資料
2018-12-13 17:16:13
FZ400R17KE3 英飛凌 FZ400R12KS4英飛凌 FZ600R17KE3英飛凌 FZ600R12KS4 英飛凌 FF450R12KT4英飛凌 BSM100GB120DN2K 英飛凌
2012-09-13 20:53:05
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
英飛凌科技推出XMC4000單片機家族2
2012-08-17 13:29:28
TT162N14KOF FP15R12YT3BSM200GA120DN2FS_E3256 BSM200GA120DN2FS_E3256 BSM50GX120DN2 FS200R12PT4 T589N16TOF
2021-12-02 17:55:00
中國上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
供應(yīng)英飛凌的模塊，IGBT，***
2017-06-06 18:09:32
充電電路用于輸出電壓經(jīng)整流后在10ms左右給20uF的儲能大電容充電到750V。充電電路設(shè)計為典型UC2843構(gòu)成的反激充電，pwm波為50kHZ左右，占空比0.45左右，輸入電壓為DC12V，對于
2017-09-29 17:35:51
發(fā)揮重要作用。”電動交通技術(shù)的量產(chǎn)在很大程度上取決于是否能推出經(jīng)濟、可靠的功率電子器件。從IGBT 芯片、分立驅(qū)動芯片到功率模塊，英飛凌的產(chǎn)品組合旨在幫助開發(fā)適用于混合動力汽車和電動汽車的優(yōu)化系統(tǒng)解決方案。為
2018-12-06 09:57:11
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2021-03-01 15:10:19
英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規(guī)級基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。根據(jù)逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-29 07:42:30
由分立元件構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路
2019-11-07 01:22:18
R12KT4 FF200R12KT3 FF450R12KT4 英飛凌IGBT模塊,芯瑞回收英飛凌IGBT模塊 BSM100GB120DN2B BSM150GB120DN2B,回收不限地區(qū),不限數(shù)量,不限型號,歡迎
2022-01-01 19:06:43
大量回收各種型號英飛凌IGBT模塊富士模塊本公司高價回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT等,本公司資金雄厚、現(xiàn)金交易、電話151-5220-9946QQ2360670759高價回收
2021-01-09 18:20:52
山東省長期上門收購英飛凌IGBT模塊富士IGBT模塊日 匯灃科技工控自動化公司提供全國高價回收IGBT模塊長期大量回收二手IGBT模塊,包括三菱IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,富士IGBT模塊
2022-02-14 17:34:35
寧波天津市有收購三菱IGBT模塊報價英飛凌模塊回收蘇州有收購三菱IGBT模塊 蘇州英飛凌模塊回收上海IGBT模塊回收模塊回收上海模塊回收長期收購各類庫存電焊機模塊回收IGBT電源模塊回收高頻電源
2022-01-04 20:52:15
洛陽回收富士IGBT價格 回收富士模塊 本公司長期回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT,回收功率模塊,回收個人剩余IGBT三菱IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,富士IGBT模塊
2021-09-16 14:19:49
，提出了汽車級IGBT概念，并詳細說明了英飛凌汽車級IGBT針對汽車應(yīng)用做出的改進 1.簡介混合動力車中IGBT，相對于傳統(tǒng)工業(yè)應(yīng)用，工作環(huán)境惡劣，對IGBT長期使用的可靠性提出了更高的要求，針對汽車功率
2018-12-06 09:48:38
模塊長期高價回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ? 無錫不限量收購回收英飛凌IGBT模塊電話151-5220-9946QQ2360670759
2021-02-24 17:06:50
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2021-09-25 18:53:15
千瓦。該模塊使用了最新一代 IGBT 芯片 EDT2，此芯片采用汽車級微溝槽柵場終止型技術(shù)。該芯片組具有業(yè)內(nèi)標(biāo)桿的電流密度、同時具備短路能力，并提高了電壓等級，以保障逆變器在惡劣環(huán)境下可靠地運行。此外
2021-03-27 19:25:05
分立元件構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路
2019-09-24 09:13:35
EconoDUAL3 ?無錫求購英飛凌IGBT模塊FF600R12IS4F 600A,1200V,PrimePack2 PrimePack2 ?徐州收購回收英飛凌IGBT模塊FF1400R12IP4
2021-09-17 19:23:57
歐元（600 V、20 A）到5.10歐元（1,200 V、40 A）。針對應(yīng)用而優(yōu)化的IGBT提高能源效率和改進系統(tǒng)成本，仍然是光伏逆變器、不間斷電源（UPS）和焊接系統(tǒng)等傳統(tǒng)IGBT應(yīng)用，以及
2018-12-03 13:47:00
英飛凌IGBT模塊FF150R17KE4FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個
2023-02-07 09:50:06
英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n
2023-02-07 09:58:53
FF200R17KE4英飛凌IGBT模塊FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個
2023-02-07 10:42:08
英飛凌IGBT模塊FF200R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止
2023-02-24 14:45:08
FZ800R33KF2CIGBT模塊英飛凌FZ800R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層
2023-02-24 14:55:47
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳
2024-02-26 19:40:31
IKQ100N120CH7是英飛凌1200V 100A 帶反并聯(lián)二極管的IGBT單管；主要應(yīng)用方向：太陽能，逆變器、電池充電等場景；狀態(tài)：批量供貨中特征描述英飛凌知名的TRENCHSTOP?技術(shù)帶來
2024-12-22 23:01:46
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:571239 英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大功率MOSFET 產(chǎn)品陣
2010年1月21日，德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近
2010-01-26 09:25:271386 英飛凌發(fā)布200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大MOSFET陣容
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用
2010-01-29 08:53:011539 英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導(dǎo)二極管的20A 1350V器件，再次擴充逆導(dǎo)（RC） 軟開關(guān)IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）產(chǎn)品組合。新的20A RC-H5是對英飛凌性能領(lǐng)先的RC-H系列的擴展，重點關(guān)注感應(yīng)加熱應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高可靠性要求。
2014-02-24 14:42:251110 2014年12月2日，慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對大功率應(yīng)用擴大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3。
2014-12-02 11:12:049179 英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片，可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292863 
基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對工業(yè)電機驅(qū)動應(yīng)用進行芯片優(yōu)化，實現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:4413292 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級SID1181KQ SCALE-iDriver?門極驅(qū)動器。繼推出1200V SID1182KQ驅(qū)動器IC之后，新器件擴展了公司的汽車級驅(qū)動器IC的范圍。
2020-01-16 09:31:003482 LT1812：3 mA、100 MHz、750V/μs運算放大器，帶關(guān)斷數(shù)據(jù)表
2021-05-21 08:14:41
1 RH1814M：四路3 mA、100 MHz、750V/μs運算放大器產(chǎn)品手冊
2021-05-24 19:56:322 近日，東芝新推出了一款額定值為1350V／30A的分立IGBT——GT30N135SRA，擴充了其IGBT產(chǎn)品陣容。新產(chǎn)品主要適用于采用AC200V輸入電壓諧振電路的家用電器，例如IH電磁爐、IH
2021-08-16 16:33:164212 
英飛凌推出了一款車規(guī)級基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。
2021-10-12 09:34:452728 英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規(guī)級基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。根據(jù)逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-19 12:36:0434 英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:162199 
APEC 2022 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布推出內(nèi)部集成750V PowiGaN?氮化鎵開關(guān)
2022-03-22 12:44:091730 450/750V及以下橡皮絕緣電纜，實驗方法和標(biāo)準(zhǔn)
2022-07-31 09:15:122 UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:082356 (ASEMI)英飛凌AIGW40N65H5汽車級IGBT規(guī)格書免費下載。
2022-10-17 16:35:186 被Qorvo收購）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗、在更高
2022-10-27 16:33:291632 英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高，在設(shè)計靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級，適用于
2023-02-16 16:30:582132 英飛凌AIGW40N65H5汽車級IGBT參數(shù)：
型號：AIGW40N65H5
脈沖集電極電流（ICpuls）：120A
功耗（Ptot）：250W
工作結(jié)溫度（Tvj）：-40 ~ 175
2023-02-24 09:37:510 來源：Qorvo 近日，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù)，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低
2023-03-22 16:13:201191 布的 750V SiC FETs 產(chǎn)品系列中的首發(fā)產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于受空間限制的應(yīng)用場景，如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達 100A 的固態(tài)
2023-04-11 15:55:091329 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:11:101475 
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:07:021868 上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:03:092116 新品120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSMD封裝產(chǎn)品型號
2023-05-18 09:41:312383 
森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優(yōu)點。
2023-07-26 17:34:131043 
、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應(yīng)用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導(dǎo)通
2023-08-25 16:58:534679 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ業(yè)務(wù)擴增數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ業(yè)務(wù)擴增
2023-10-08 16:00:48
國內(nèi)各家（英飛凌、安森美）車載IGBT的產(chǎn)品性能上的對比情況車載IGBT分為幾個層級，主要分為A0/A00級以下，A級車，還有一些專用車?yán)缥锪骱痛蟀蛙?。?015年以前是沒有IGBT車規(guī)級的說法
2023-11-23 16:48:002382 
深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上，至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產(chǎn)品。
2024-01-16 15:45:171702 英飛凌近期發(fā)布了搭載第五代人機界面（HMI）技術(shù)的新型汽車可編程SoC，以及汽車和工業(yè)級750V G1離散SiC MOSFET，這兩項新產(chǎn)品的發(fā)布進一步鞏固了英飛凌在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-03-08 10:52:191341 英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:451256 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:23:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 25A溝槽和場阻IGBT JJT25N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 16:59:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
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2024-04-10 18:05:173 英飛凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC? MOSFET，針對圖騰柱
2024-04-19 14:45:26788 
貝茵凱本次展出的是第七代750V275A車規(guī)級硅基IGBT芯片——B75V28A99ST7，額定電壓達750V，額定電流275A，適用于生產(chǎn)550A-950A的車規(guī)級IGBT模塊。
2024-04-29 16:56:111186 英飛凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC? MOSFET，針對圖騰柱
2024-05-31 15:29:19580 
的基于英飛凌IGBT7技術(shù)的新一代高功率密度2MW儲能變流器PCS，使用英飛凌最新的EconoDUAL3封裝的750
2024-06-14 08:14:242480 
DC1500V轉(zhuǎn)750V DC/DC直流變換器（DCDC轉(zhuǎn)換器或DCDC隔離模塊電源）是一種電力電子設(shè)備，用于將1500V的直流電壓轉(zhuǎn)換為750V的直流電壓。以下是對該設(shè)備的詳細解析： 一、設(shè)備概述
2024-11-19 17:02:591749 
。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經(jīng)驗。它在性能、可靠性和堅固性方面都具有優(yōu)勢，并具有柵極驅(qū)動靈活性，從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計，提高了成本效益，實現(xiàn)了最高的效率和功率
2024-12-20 17:04:511010 ，以新一代750V車規(guī)級芯片為核心，再次刷新了車用IGBT模塊的性能標(biāo)準(zhǔn)。 Mini Z3功率模塊不僅繼承了中恒微半導(dǎo)體在IGBT技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累，更在性能上實現(xiàn)了顯著的提升。其采用的750V新技術(shù)車規(guī)級芯片，不僅大幅提高了模塊的電壓承受能力，更在
2024-12-26 13:56:071002 JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081127 新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系統(tǒng)性
2025-01-17 17:03:271225 英飛凌車規(guī)級IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A，這款750V模塊是英飛凌著名的“EasyPACK?”產(chǎn)品家族中的最新成員，它基于EDT2技術(shù)，封裝形式為EasyPACK? 2B半橋
2025-02-20 17:52:392921 
陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901 
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321136 。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特別針對400V和800V電動汽車架構(gòu)的電驅(qū)動系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng)，相
2025-05-06 14:08:48716 
陸芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT單管，產(chǎn)品型號為AU40N120T3A5。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench Gen3平臺，PitchSize 1.6um，TO247封裝。
2025-05-27 12:04:171070 
英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù)，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關(guān)拓撲中實現(xiàn)卓越性能。
2025-06-20 14:44:26971 新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù)，在抗寄生導(dǎo)通方面展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的可靠性。該器件在圖騰柱
2025-07-28 17:06:08842 探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
2025-12-20 10:35:06518
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