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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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igbt的作用和功能? IGBT,即絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是一種用于功率電子器件中的...
基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù),英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ,針對工業(yè)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化,實現(xiàn)更高功率密度與更...
igbt和可控硅有什么區(qū)別?? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)與可控硅(SCR,Silicon Cont...
IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級,它的發(fā)展趨勢將會如何
IGBT芯片:產(chǎn)品升級趨勢。IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級:襯底從PT穿通,NPT非穿通到FS場截止,柵極從平面到Trench溝槽。隨著技術(shù)的升級,通態(tài)功耗...
本文針對10 kW三相IGBT全橋變換器設(shè)計了一種隔離驅(qū)動電源,提供4路相互隔離的輸出,每路輸出均提供+15 V/-9 V電源。電源功率較小,考慮成本和...
2011-08-19 標(biāo)簽:IGBT全橋變換器隔離驅(qū)動電源 1.3萬 0
要成功設(shè)計、制造IGBT必須有集產(chǎn)品設(shè)計、芯片制造、封裝測試、可靠性試驗、系統(tǒng)應(yīng)用等成套技術(shù)的研究、開發(fā)及產(chǎn)品制造于一體的自動化、專業(yè)化和規(guī)?;潭阮I(lǐng)先...
IGBT的結(jié)構(gòu)多種多樣,但從縱向結(jié)構(gòu)來看可歸為穿通型,非穿通型。這兩類IGBT的劃分依據(jù)為:臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結(jié)耗盡層的擴(kuò)展是否穿透...
全數(shù)字IGBT后極高頻機(jī)的設(shè)計全過程
將逆變器后面的兩個紅黑接線柱接到輸出,將逆變器引出最粗的兩條線接到12V的電池,紅線的接正極,黑線接負(fù)極。此時機(jī)器前面的數(shù)碼管顯示當(dāng)前設(shè)定的后極頻率及脈寬
100家功率器件廠商匯總前言功率器件應(yīng)用前景廣闊,幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以MOSFET、IGBT為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同,廣泛應(yīng)用于汽...
IGBT驅(qū)動光耦推薦專場(TLP350,TLP250,PC929,PC923)
IGBT驅(qū)動光耦推薦專場(TLP350,TLP250,PC929,PC923)
LG旗下硅芯片公司Silicon Works宣布擴(kuò)大半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
據(jù)韓國科技媒體ETNews報道,多名業(yè)內(nèi)人士透露,LG集團(tuán)旗下子公司硅芯片有限公司(Silicon Works)日前宣布擴(kuò)大其半導(dǎo)體業(yè)務(wù),重點押注碳化硅...
誰改變了整個電器時代?巴利加為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域注入活力
通用電氣公司的一些工程師想探索一個簡單的節(jié)能理念:讓驅(qū)動電機(jī)到達(dá)預(yù)想轉(zhuǎn)速就可以了。但這需要增加電子器件,以可變頻率向電機(jī)的繞組輸送功率,這在當(dāng)時是不容易...
2018-04-16 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬 0
新能源汽車作為發(fā)展可替代能源,是建設(shè)可持續(xù)低碳社會的重要一環(huán),并且越來越受到世界各國的高度重視。那么IGBT在新能源汽車中又是如何具體發(fā)揮其作用,下面就...
目前IGBT封裝主要采用DBC陶瓷基板,原因在于DBC具有金屬層厚度大(一般為100~600um),具有載流大、耐高溫性能好及可靠性高的特點,結(jié)合強(qiáng)度高...
中國成功研制世界最大容量壓接型IGBT 打破國外技術(shù)市場壟斷
近日,由中車時代電氣完成的“3600A/4500V壓接型IGBT及其關(guān)鍵技術(shù)”通過中國電子學(xué)會的鑒定,被認(rèn)定為世界上功率等級最高的壓接型IGBT。這一成...
2018-01-06 標(biāo)簽:igbt 1.2萬 0
LED開關(guān)電源與普通開關(guān)電源到底有什么區(qū)別
LED開關(guān)電源高頻化是其發(fā)展的方向,高頻化使開關(guān)電源小型化,并使開關(guān)電源進(jìn)入更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,特別是在高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用,推動了高新技術(shù)產(chǎn)品的小型化、輕...
2020-07-12 標(biāo)簽:LED開關(guān)電源IGBT 1.2萬 0
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,IPM(Intelligent Power Module)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transi...
2023-07-06 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體封裝IPM 1.2萬 0
開關(guān)電源如何調(diào)節(jié)電壓? 開關(guān)電源是電子設(shè)備中最常用的電源之一。它與傳統(tǒng)電源不同之處在于,開關(guān)電源采用了開關(guān)電路來控制電流的流動方式。開關(guān)電源不僅能夠?qū)崿F(xiàn)...
2023-08-17 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源微處理器 1.2萬 0
淺談MOS管開通過程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對措施
在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開關(guān)電源應(yīng)用中,所需要面對一個常見的問題 — 米勒效應(yīng),本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對方法。
2023-02-10 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBTMOS 1.2萬 0
igbt工作原理及應(yīng)用 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的保護(hù)引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其
2008-06-19 標(biāo)簽:igbt 1.2萬 0
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