IGBT芯片：產(chǎn)品升級趨勢。IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級：襯底從PT穿通，NPT非穿通到FS場截止，柵極從平面到Trench溝槽。隨著技術(shù)的升級，通態(tài)功耗、開關(guān)功耗均不斷減小。

第一代（PT）：產(chǎn)品采用“輻照”手段，由于體內(nèi)晶體結(jié)構(gòu)本身原因造成“負(fù)溫度系數(shù)”，各IGBT原胞通態(tài)壓降不一致，不利于并聯(lián)運行，第一代 IGBT電流只有25A，且容量小，有擎住現(xiàn)象，速度低。

第二代（改進 PT）：采用“電場終止技術(shù)”，增加一個“緩沖層”，在相同的擊穿電壓下實現(xiàn)了更薄的晶片厚度，從而降低了 IGBT導(dǎo)通電阷，降低了 IGBT工作過程中的損耗。此技術(shù)在耐壓較高的 IGBT上運用效果明顯。

第三代（Trench-PT）：把溝道從表面變到垂直面，所以基區(qū)的 PIN效應(yīng)增強，柵極附近載流子濃度增大，從而提高了電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)減小了導(dǎo)通電阷；同時由于溝道不在表面，柵極密度增加不受限制，工作時增強了電流導(dǎo)通能力。國內(nèi)主要是這一代產(chǎn)品。

第四代（NPT）: 目前應(yīng)用最廣泛的一代產(chǎn)品。不再采用外延技術(shù)，而是采用離子注入的技術(shù)來生成P+集電極（透明集電極技術(shù)），可以精準(zhǔn)的控制結(jié)深而控制變射效率盡可能低，增快載流子抽取速度來降低關(guān)斷損耗，可以保持基區(qū)原有的載流子壽命而不會影響穩(wěn)態(tài)功耗，同時具有正溫度系數(shù)特點。

第五代（ NPT-FS）：在第四代產(chǎn)品“透明集電區(qū)技術(shù)”與“電場終止技術(shù)”的組合。由于采用了先進的薄片技術(shù)并且在薄片上形成電場終止層，大大的減小了芯片的總厚度，使得導(dǎo)通壓降和動態(tài)損耗都有大幅的下降，從而進一步降低 IGBT工作中過程中的損耗。

第六代（ NPT-FS-Trench）：在第五代基礎(chǔ)上改進了溝槽柵結(jié)構(gòu)，進一步的增加了芯片的電流導(dǎo)通能力，極大地優(yōu)化了芯片內(nèi)的載流子濃度和分布。減小了芯片的綜合損耗。

第七代：英飛凌直接從第四代跳到第七代，因為第五代和第六代其實是過渡性的產(chǎn)品，不能真正的算一個代系。

▲IGBT市場趨勢

IGBT模塊制造是指根據(jù)特定的電路設(shè)計，將兩個或以上的 IGBT芯片和快恢復(fù)二極管芯片（FRD）貼片到DBC板上，并用金屬線鍵合連接，然后進行灌封，以滿足芯片、線路之間的絕緣、防潮、抗干擾等要求，最后將電路密封在絕緣外殼內(nèi)，并不散熱底板絕緣的工藝。IPM=IGBT模塊+驅(qū)動芯片。IPM主要應(yīng)用在家電領(lǐng)域，上限電流在 50A左右。

2013年，士關(guān)微參與電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金項目，與國內(nèi)變頻空調(diào)廠家一起，開發(fā)了用于變頻空調(diào)驅(qū)動的國產(chǎn)智能功率模塊（IPM）。2017年，其全自主高性能變頻控制芯片成功量產(chǎn)，一丼追平了國內(nèi)不國際競爭對手的差距，在芯片設(shè)計以及系統(tǒng)設(shè)計方案商取得了全新的研發(fā)成果。

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