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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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國(guó)際整流器公司IGBT技術(shù)平臺(tái)強(qiáng)攻工業(yè)市場(chǎng)
國(guó)際整流器(IR)推出新一代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)技術(shù)平臺(tái)。全新第八代(Gen8) 1200伏特(V)IGBT技術(shù)平臺(tái)利用IR新一代溝道閘極場(chǎng)截...
2012-11-27 標(biāo)簽:IGBT工業(yè)國(guó)際整流器 1.3k 0
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧
功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護(hù),以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效...
2012-11-26 標(biāo)簽:IGBT功率器件Power MOSFET 1.1萬 0
所謂功率半導(dǎo)體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡(jiǎn)單來說,就是進(jìn)行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體器件。其電壓處理范圍從幾十V~幾千V,電流...
IR 推出第八代 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (I...
英飛凌650V TRENCHSTOP 5重新界定IGBT同級(jí)最佳效能
英飛凌科技發(fā)表新一代薄晶圓技術(shù)IGBT TRENCHSTOP 5 系列產(chǎn)品,其導(dǎo)通損失和切換損失均遠(yuǎn)低于目前的領(lǐng)導(dǎo)解決方案。透過這項(xiàng)突破性的產(chǎn)品,英飛...
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能工業(yè)IC的廣泛產(chǎn)品陣容
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)持續(xù)推動(dòng)高性能工業(yè)積體電路(IC)方案的電源管理。最新元件提供高度強(qiáng)固性,應(yīng)用于寬工作溫度範(fàn)圍,性能突出...
IGBT的一種驅(qū)動(dòng)和過流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Tramistor,IGBT)是MOSFET與GTR的復(fù)合器件,因此,它既具有MOSFE...
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管(IsolatedGateBipolarTransistor),它是八十年代初誕生,九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合電力電子器...
2012-11-06 標(biāo)簽:IGBT 1.4k 0
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速...
2012-10-30 標(biāo)簽:IGBT 2.7k 0
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能溝槽型場(chǎng)截止IGBT陣容
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)充NGBTxx系列1,20...
英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合
英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第叁代逆導(dǎo) (RC) 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 (IGBT) 產(chǎn)品系列,推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型...
IR 針對(duì)家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用推出新型 IGBT
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱 IR) 推出 IRGR4045DPbF 和...
2012-10-17 標(biāo)簽:IGBT電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源芯片 1.2k 0
快捷半導(dǎo)體蟬聯(lián)伊頓亞太區(qū)最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)
快捷半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣佈獲頒伊頓亞太區(qū)2012年最佳供應(yīng)商獎(jiǎng),連續(xù)兩年蟬聯(lián)該獎(jiǎng)項(xiàng)。 伊頓(Eaton)公司總...
2012-10-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT快捷半導(dǎo)體 1.1k 0
德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
IGBT的驅(qū)動(dòng)和過流保護(hù)電路的研究
本文主要研究了IGBT的驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)問題,就其工作原理進(jìn)行分析,設(shè)計(jì)出具有過流保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路,并進(jìn)行了仿真研究。
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件,要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注,以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到...
我國(guó)20世紀(jì)80年代以前的靜止變頻技術(shù)由于受到電力電子器件技術(shù)的影響,一直處于停滯不前的狀態(tài),各個(gè)行業(yè)感應(yīng)加熱用中頻電源基本上使用中頻變頻電機(jī)供電。隨著...
如何保護(hù)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器與可再生能源系統(tǒng)中的IGBT
電源轉(zhuǎn)換電路經(jīng)常被應(yīng)用在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或可再生能源的功率轉(zhuǎn)換上,設(shè)計(jì)中包括可以將直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓的電源轉(zhuǎn)換器,以便用來推動(dòng)馬達(dá)或連接到可再生能源系統(tǒng)的電網(wǎng)
2012-10-09 標(biāo)簽:IGBT馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器 1.5k 1
意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布1200V碳化硅太陽(yáng)能解決方案
意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)佈碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果,協(xié)助系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)⑻?yáng)能轉(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設(shè)備。
2012-09-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET意法半導(dǎo)體 1.6k 0
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