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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

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2025-12-27 09:30:09461

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先進(jìn)的、具有電流隔離功能的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,主要用于xEV牽引逆變器中的SiC和IGBT模塊驅(qū)動(dòng)。它通過(guò)先進(jìn)的柵極驅(qū)動(dòng)功能,在節(jié)省空
2025-12-24 14:25:02222

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2025-12-21 09:30:03543

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2025-12-19 16:20:06781

深入解析 onsemi NCP51561:高性能隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器

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2025-12-09 10:17:20360

探索NCP51563隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板的奧秘

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiC MOSFET等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的NCP51563隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板(NCP51563 EVB),了解其特性、操作方法以及性能表現(xiàn)。
2025-12-08 14:20:24347

深入解析 onsemi NCV51563 隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器

在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天我們要詳細(xì)探討的是 onsemi 公司的 NCV51563 隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,它具備諸多出色特性,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-05 15:41:49354

深入解析 onsemi NCV51561 隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天,我們就來(lái)深入探討 onsemi 推出的 NCV51561 隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì),以及在實(shí)際應(yīng)用中需要注意的要點(diǎn)。
2025-12-05 15:33:08336

安森美隔離雙通道IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器:NCx575y0系列的深度解析

在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的應(yīng)用極為廣泛,而其柵極驅(qū)動(dòng)器的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著關(guān)鍵作用。今天我們就來(lái)深入探討安森美(onsemi)的NCx575y0系列隔離雙通道IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,包括NCD57530、NCV57530、NCD57540和NCV57540這幾款產(chǎn)品。
2025-12-05 11:18:251488

深入剖析NCP51105:?jiǎn)瓮ǖ赖蛡?cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越性能與應(yīng)用指南

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,柵極驅(qū)動(dòng)器起著至關(guān)重要的作用,它能夠有效地驅(qū)動(dòng)功率MOSFETIGBT,確保設(shè)備的高效穩(wěn)定運(yùn)行。今天我們要探討的是安森美(onsemi)推出的NCP51105單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,它具備諸多出色的特性和功能,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-04 09:58:48648

深入解析 NCP51563:高性能隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器扮演著至關(guān)重要的角色,尤其是在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)時(shí)。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NCP51563 隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,這款產(chǎn)品憑借其卓越的性能和豐富的特性,在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-12-03 11:21:50312

onsemi NCx57080y/NCx57081y:高性能IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,IGBTMOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,其驅(qū)動(dòng)電路的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天,我們就來(lái)深入探討一下安森美(onsemi)推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器。
2025-12-01 14:29:16466

深入解析 NCP51752:隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 推出的 NCP51752 隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,它在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 功率開關(guān)方面表現(xiàn)出色,具備眾多令人矚目的特性。
2025-11-27 16:23:30340

解析 onsemi NCV51752 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCV51752 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以其出色的性能和豐富的特性,成為眾多
2025-11-27 15:55:50279

川土微電子全新推出CA-IS3214系列單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

在追求更高效率、更高功率密度的電力電子系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動(dòng)器的性能至關(guān)重要。川土微電子全新推出 CA-IS3214 系列——一款基于先進(jìn)電容隔離技術(shù)的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。它集10A峰值驅(qū)動(dòng)能力、超強(qiáng)隔離
2025-11-21 17:42:061133

SiLM5350SABCA-DG 30V, 10A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

有沒有在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源設(shè)計(jì)中被隔離驅(qū)動(dòng)問(wèn)題而困擾許久的,直到看到了SiLM5350SABCA-DG這款單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器能同時(shí)駕馭MOSFET、IGBT和SiC/GaN器件。 一、特性: 驅(qū)動(dòng)
2025-11-15 10:00:15

STGAP2SiCD隔離柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

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STMicroelectronics STGAP2HD電流隔離4A雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器在每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)通道、低電壓控制和接口電路之間提供電流隔離。該柵極驅(qū)動(dòng)器具有4A電流能力和軌到軌輸出,因此適合用于中等功率和大功率應(yīng)用,例如電源轉(zhuǎn)換和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器逆變器。
2025-10-31 14:03:56333

STGAP2GSN隔離柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STGAP2GSN隔離3A單柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵極驅(qū)動(dòng)通道、低壓控制和接口電路。該柵極驅(qū)動(dòng)器具有2A源電流、3A灌電流能力以及軌到軌輸出,因此適合用于中等
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浮地非隔離半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用

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高壓、高頻功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,為何要使用隔離柵極驅(qū)動(dòng)器?

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峰值灌電流的柵極驅(qū)動(dòng)電流,以及90V MOSFET瞬態(tài)過(guò)壓支持來(lái)支持大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。高效自舉架構(gòu)可最大限度地降低功率損耗和柵極驅(qū)動(dòng)器的自發(fā)熱。電荷泵允許柵極驅(qū)動(dòng)器支持100% PWM占空比控制。
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?德州儀器DRV8329三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器深度解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器提供三個(gè)器件,每個(gè)器件均能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8329驅(qū)動(dòng)器使用內(nèi)部電荷泵生成
2025-09-08 10:38:542666

德州儀器UCC5871-Q1汽車級(jí)IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是一款隔離、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22740

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Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于高達(dá)2121V~pk~ 的SiC MOSFETIGBT。UCC21755-Q1具有高級(jí)保護(hù)特性、同類最佳的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。
2025-08-27 15:17:201656

UCC21756-Q1汽車級(jí)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments UCC21756-Q1隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于工作電壓高達(dá)2121 V DC的SiC MOSFETIGBT,具有先進(jìn)的保護(hù)特性、同類最佳的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性
2025-08-26 10:01:15687

德州儀器UCC14241-Q1汽車級(jí)隔離DC/DC模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments UCC14241-Q1汽車隔離DC/DC模塊專為向IGBT或SiC柵極驅(qū)動(dòng)器供電而設(shè)計(jì)。UCC14241-Q1將變壓和DC/DC控制與專有架構(gòu)相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了
2025-08-18 10:38:441752

德州儀器UCC21717-Q1隔離柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments UCC21717-Q1隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá)1700V SiC MOSFETIGBT。它具有高級(jí)集成保護(hù)、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性
2025-08-18 10:32:021585

專業(yè)解析SiLM8263BAHB-DG 高性能雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

深度解析一款在電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域極具競(jìng)爭(zhēng)力的高性能隔離驅(qū)動(dòng)芯片:SiLM8263BAHB-DG 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器專為應(yīng)對(duì)高功率密度、高可靠性應(yīng)用的嚴(yán)苛要求而設(shè)計(jì)。核心亮點(diǎn)與關(guān)鍵特性: 強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)
2025-08-16 09:18:54

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器:電力電子系統(tǒng)的核心組件

開關(guān)電源應(yīng)用中的首選。而IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器作為控制和驅(qū)動(dòng)IGBT的核心器件,其重要性愈發(fā)顯著。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)剖析1.輸入端:信號(hào)接收的關(guān)鍵IGBT柵極驅(qū)動(dòng)
2025-08-12 14:42:491876

德州儀器UCC21550-Q1雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

和6A峰值灌電流,可驅(qū)動(dòng)功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管。UCC21550/UCC21550-Q1驅(qū)動(dòng)器是光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,配置為兩個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器。通過(guò)
2025-08-11 14:36:401136

德州儀器LM2104半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instruments LM2104半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET,具有同步降壓或半橋配置。 此柵極驅(qū)動(dòng)器在GVDD上具有8V典型欠壓鎖定,在BST上具有
2025-08-11 10:15:14965

UCC21551/UCC21551-Q1隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments UCC21551/UCC21551-Q1雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器采用4A峰值拉電流和6A峰值灌電流設(shè)計(jì),用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET、SiC和IGBT晶體管。該隔離
2025-08-06 15:09:10941

德州儀器UCC21738-Q1隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

Texas Instrument UCC21738-Q1隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于直流工作電壓高達(dá)2121V的IGBT和SiC MOSFET。這些器件具有先進(jìn)的保護(hù)功能、出色的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健
2025-08-06 10:45:08777

Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離20A柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離20A柵極驅(qū)動(dòng)器是一款高度可配置的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有可調(diào)壓擺率,用于在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車(EV/HEV)應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)高功率
2025-08-04 14:10:121812

Texas Instruments UCC23113隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC23113隔離柵極驅(qū)動(dòng)器是一款兼容光耦的單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13704

Texas Instruments UCC21330/UCC21330-Q1隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC21330/UCC21330-Q1隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它具有4A峰值拉電流和6A峰值灌電流
2025-08-03 16:29:23941

Texas Instruments UCC21331/UCC21331-Q1隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC21331/UCC21331-Q1隔離柵極驅(qū)動(dòng)器是雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件采用4A峰值拉電流和6A峰值灌電流設(shè)計(jì),以
2025-07-29 15:17:31539

Texas Instruments UCC5881-Q1柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments UCC5881-Q1柵極驅(qū)動(dòng)器是一款隔離、可配置、可調(diào)節(jié)的大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC MOSFETIGBT。該
2025-07-10 14:42:37799

密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34

ADUM4135單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

ADuM4135是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專門針對(duì)驅(qū)動(dòng)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進(jìn)行了優(yōu)化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)在輸入信號(hào)與輸出柵極驅(qū)動(dòng)器之間實(shí)現(xiàn)隔離
2025-06-04 09:52:241083

ADUM3123隔離精密柵極驅(qū)動(dòng)器,4A輸出技術(shù)手冊(cè)

ADuM3123是一款4.0 A隔離單通道驅(qū)動(dòng)器,采用ADI的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)提供精密解決方案。 ADuM3123提供3000 V rms隔離,采用窄體8引腳SOIC封裝
2025-06-04 09:43:35941

ADuM4138具有隔離反激控制的高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

ADuM4138 是一款已針對(duì)絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術(shù)在輸入信號(hào)和輸出柵極驅(qū)動(dòng)器之間實(shí)現(xiàn)隔離。
2025-05-30 14:14:441382

ADuM4137具有故障檢測(cè)功能的高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

ADuM4137^1^ADuM4138 是一款已專門針對(duì)絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。ADI 公司的 **i**Coupler*^?^* 技術(shù)在輸入信號(hào)和輸出柵極
2025-05-30 10:32:44837

UCC21530 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21530 是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。 輸入側(cè)
2025-05-24 15:47:00684

UCC21530-Q1 汽車級(jí)、4A、6A、5.7kVRMS、隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21530-Q1 是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET
2025-05-24 15:41:00581

UCC23513 5.7kVrms,4A/5A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

適用于 IGBTMOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kV~RMS~隔離等級(jí)。33V 的高
2025-05-24 14:43:00793

UCC21540 5.7kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2154x 是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFETIGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提供 3.3mm 的最小通道間距,從而實(shí)現(xiàn)更高的總線電壓。
2025-05-24 10:10:00653

UCC21520 5.7kVRMS 4A/6A 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有雙輸入和禁用引腳數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21520 是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。 輸入側(cè)通過(guò)
2025-05-19 15:34:431495

UCC21521 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21521 是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的傳播延遲和脈
2025-05-19 14:27:00788

UCC20520 5.7-kVrms, 4-A/6-A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC20520 是一款隔離單輸入、雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的傳播
2025-05-19 14:21:04568

UCC21520-Q1 具有雙輸入、禁用、死區(qū)時(shí)間的汽車類 4A、6A、5.7kVRMS 隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21520-Q1 是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。 輸入
2025-05-19 10:25:291329

UCC21222 3.0kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21222 是隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管。
2025-05-19 09:53:24703

UCC5390-Q1 汽車級(jí) 17-A 5kv RMS 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5390-Q1 是一款單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 為基準(zhǔn),這有利于雙極電源并優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)行為和穩(wěn)健性。
2025-05-17 11:36:49897

UCC5350-Q1 汽車類 ±5A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5350-Q1 是一款單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350-Q1 可選擇
2025-05-17 10:12:061168

UCC21540-Q1 汽車5.7kVRMS,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21540-Q1 器件是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A 峰值拉電流和 6 A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。
2025-05-17 10:04:39778

UCC21732 5.7kVrms、±10A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 2 級(jí)關(guān)斷功能,用于 IGBT/SiC FET數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21732 是一款電流隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFETIGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21732具有
2025-05-16 18:00:09807

UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級(jí) 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5870-Q1 器件是一款隔離、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFETIGBT。功率晶體管保護(hù),例如基于分流電阻的過(guò)流
2025-05-16 17:32:51728

UCC21710 5.7kVrms ±10A,單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,帶 OC 檢測(cè),用于 IGBT/SiC 的內(nèi)部箝位數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21710 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFETIGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21710具有高達(dá) ±10A
2025-05-16 17:26:07842

UCC23513-Q1 汽車級(jí) 5.7kVrms,4A/5A 單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23513-Q1 驅(qū)動(dòng)器是適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kV
2025-05-16 14:53:21718

UCC21737-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車級(jí) 10A 隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21737-Q1 是一款電流隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFETIGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達(dá)
2025-05-16 14:34:01780

UCC5871-Q1 具有高級(jí)保護(hù)功能的汽車類 30A 隔離 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5871-Q1 器件是一款隔離、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFETIGBT。功率晶體管保護(hù),例如基于分流電阻的過(guò)流
2025-05-16 14:02:45593

UCC21756-Q1 具有主動(dòng)保護(hù)和 iso 的汽車級(jí) ±10A 隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21756-Q1 是一款電流隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFETIGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21756-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。
2025-05-16 13:56:59707

UCC21551-Q1 汽車級(jí) 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 11:38:18691

UCC21717-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 10A 拉/灌單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21717-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFETIGBT。它具有先進(jìn)的集成保護(hù)、一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21717-Q1
2025-05-16 11:07:10697

UCC23113 具有功能隔離 (1.2kVRMS) 的 4A/5A 單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V
2025-05-16 10:49:24628

UCC21738-Q1 用于 SiC/IGBT、有源短路保護(hù)的汽車類 10A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21738-Q1 是一款電流隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為工作電壓高達(dá) 2121V 直流的 SiC MOSFETIGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達(dá)
2025-05-16 10:12:06615

UCC21551 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21551x 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:51:30554

UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21550-Q1 是隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:30:59664

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21550 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:17:06914

UCC5880-Q1 具有高級(jí)保護(hù)功能的汽車級(jí) 20A 實(shí)時(shí)可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5880-Q1 器件是一款隔離、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFETIGBT。該器件包括功率晶體管保護(hù),例如基于分流電阻
2025-05-15 16:48:57870

UCC23525 具有12V UVLO的 5A/5A、5.7kVRMS、增強(qiáng)型單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23525驅(qū)動(dòng)器是適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 5kVRMS 增強(qiáng)型隔離
2025-05-15 16:43:47892

UCC5881-Q1 具有高級(jí)保護(hù)功能的汽車級(jí) 20A 實(shí)時(shí)可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5881-Q1 器件是一款隔離、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng) EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFETIGBT。該器件包括功率晶體管保護(hù),例如基于分流電阻
2025-05-15 11:32:02821

UCC5350L-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 ±10A 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC5350L-Q1 是一款單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350L-Q1
2025-05-15 11:00:09865

德州儀器推出全新功能隔離調(diào)制

德州儀器的新模擬產(chǎn)品能以超高的分辨率精準(zhǔn)測(cè)量電流和電壓,從而讓機(jī)器人可以執(zhí)行精細(xì)復(fù)雜的任務(wù)。
2025-04-28 13:50:58919

IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器:電力電子系統(tǒng)的核心組件

開關(guān)電源應(yīng)用中的首選。而IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器作為控制和驅(qū)動(dòng)IGBT的核心器件,其重要性愈發(fā)顯著。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)剖析1.輸入端:信號(hào)接收的關(guān)鍵IGBT柵極驅(qū)動(dòng)
2025-04-27 15:45:02693

Leadway電源模塊和TI德州儀器)、Murata(村田)相比有哪些優(yōu)勢(shì)?

Leadway電源模塊和TI德州儀器)、Murata(村田)相比有哪些優(yōu)勢(shì)?Leadway電源模塊提供高性能、高可靠性的國(guó)產(chǎn)電源解決方案,以其高效率、寬輸入電壓范圍和緊湊封裝為特點(diǎn)。擅長(zhǎng)替代TI
2025-04-14 10:17:47

德州儀器推出新款電源管理芯片,可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級(jí)別、功率密度和效率水平

的晶體管外形無(wú)引線 (TOLL) 封裝,將 德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與先進(jìn)的保護(hù)功能相結(jié)合。 中國(guó)上海(2025 年4 月 9 日)— 德州儀器 (TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)于今日推出新款電源管理芯片,以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的電源需求。隨著高性能計(jì)算和人工
2025-04-09 14:38:46516

33V單通道數(shù)字隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 拉/灌6A電流驅(qū)動(dòng)SIC MOSFETIGBT

概述:PC2899X 單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品,提供符合UL1577 標(biāo)準(zhǔn)的隔離電3.75kVrms 和5.0kVrms 兩種類型。 PC2899 A 可單獨(dú)控制輸出信號(hào)的上升和下降時(shí)間,方便
2025-04-03 14:23:02

2EP1XXR系列全橋變壓驅(qū)動(dòng)器工作原理(一)——如何通過(guò)占空比調(diào)節(jié)峰值整流應(yīng)用下的輸出電壓

英飛凌推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動(dòng)器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓驅(qū)動(dòng)器系列,為設(shè)計(jì)人員提供了隔離柵極驅(qū)動(dòng)器電源解決方案。該系列半導(dǎo)體器件可以幫助實(shí)現(xiàn)
2025-03-28 17:04:071578

TI 旋轉(zhuǎn)電機(jī)-電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制解決方案指南

保 護(hù)與電平移位;控制-可根據(jù)主機(jī)的反饋與運(yùn)動(dòng)軌跡信息 生成正確的開關(guān)模式,以控制電機(jī)的運(yùn)動(dòng);柵極驅(qū)動(dòng)器-可生成用于準(zhǔn)確和高效地驅(qū) 動(dòng) MOSFETIGBT 所需的電壓和電流;功率級(jí)-IGBT
2025-03-18 12:27:45

柵極驅(qū)動(dòng)器的定義和結(jié)構(gòu)

柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是電力電子系統(tǒng)中的一種關(guān)鍵電路組件,主要用于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號(hào),以便控制能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)
2025-02-02 13:47:001718

川土微電子發(fā)布CA-IS3212單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

川土微電子CMOS輸入、帶有源米勒鉗位(可選)單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器新品發(fā)布,該系列產(chǎn)品為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和GaN功率管而優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2025-01-10 18:08:421602

意法半導(dǎo)體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器概述

意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 14:48:331278

采用 LLC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器電源,低成本 LLC 轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)指南

的相關(guān)內(nèi)容,包括 LLC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在隔離柵極驅(qū)動(dòng)器電源設(shè)計(jì)中的應(yīng)用、具體設(shè)計(jì)方案、變壓設(shè)計(jì)、整流二極管選擇等方面,旨在為 IGBT 和 Si/SiC MOSFET 器件的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供低成本
2025-01-08 14:17:212485

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