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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù),其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制,因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱,故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位,它不...
PI為什么收購瑞士IGBT驅(qū)動(dòng)芯片廠商?
Peter Rogerson表示,一個(gè)月以來雙方還一直在就收購后的安排進(jìn)行討論,他和團(tuán)隊(duì)成員還是頭一晚才拿到正式發(fā)布的演講稿。不過他確認(rèn)PI的此次收...
2012-05-09 標(biāo)簽:PIIGBT驅(qū)動(dòng)芯片 3k 0
PI收購瑞士高壓IGBT驅(qū)動(dòng)廠商CONCEPT
用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司日前日宣布已與私人持股公司CT-Concept Technolo...
IGBT是絕緣柵極雙極型晶體管。它是一種新型的功率開關(guān)器件,電壓控制器件,具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性強(qiáng)、耐壓高方面的優(yōu)點(diǎn),因此在現(xiàn)實(shí)電力電子裝置中...
2012-04-12 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路電磁振蕩 8.2k 0
飛兆半導(dǎo)體650V場截止IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨提高能效,滿足散熱法規(guī),同時(shí)減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairc...
2012-03-28 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換IGBT 1.2k 0
激勵(lì)電路將信號(hào)放大,該電路工作過程如下: (1) V8 OFF時(shí)(V8=0V),V8 (2) V8 ON時(shí)(V8=4.1V),V8V9,V10為低,Q8...
2012-03-19 標(biāo)簽:IGBT 2.2k 0
當(dāng)電源輸出過載或者短路時(shí),IGBT的Vce值則變大,根據(jù)此原理可以對(duì)電路采取保護(hù)措施。對(duì)此通常使用專用的驅(qū)動(dòng)器EXB841,其內(nèi)部電路能夠很好地完成降柵...
比較場效應(yīng)管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構(gòu)成的逆變電路,針對(duì)IGBT構(gòu)成的逆變電路中的重要環(huán)節(jié)分別提出改進(jìn)方案來優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。最終既滿足對(duì)高壓...
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開關(guān)速...
IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品,是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT 器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率...
IGBT走虛擬IDM之路:設(shè)計(jì)與加工是分離還是統(tǒng)一?
目前我國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策及重大項(xiàng)目的推動(dòng)及市場牽引下得到了迅速發(fā)展,呈現(xiàn)出大尺寸區(qū)溶(FZ)單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬...
2012-02-16 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體器件芯片工藝 4.3k 0
目前我國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策及重大項(xiàng)目的推動(dòng)及市場牽引下得到了迅速發(fā)展,呈現(xiàn)出大尺寸區(qū)溶(FZ)單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬...
內(nèi)置隔離電源的混合集成IGBT驅(qū)動(dòng)器
本文詳細(xì)介紹了一種自帶隔離電源的igbt集成混合型驅(qū)動(dòng)器qp12w05s-37的原理與性能,并給出了應(yīng)用要點(diǎn)。
2012-02-12 標(biāo)簽:IGBT隔離電源IGBT驅(qū)動(dòng)器 3.6k 0
大家都知道,IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳酰瑯与娏魅萘康腎GBT單管,比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,也就是說,在逆變H橋里頭,MOSFET上去沒有問題...
2011-12-29 標(biāo)簽:逆變器IGBT單管驅(qū)動(dòng) 7.6k 0
本內(nèi)容介紹了IGBT模塊的檢測(cè)方法,以兩單元為例:用模擬萬用表測(cè)量,判斷IGBT的方法
2011-12-21 標(biāo)簽:IGBT 9.4k 0
如何進(jìn)行IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)
IGBT承受過電流的時(shí)間僅為幾微秒,耐過流量小,因此使用IGBT首要注意的是如何進(jìn)行IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)。
中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團(tuán)隊(duì)緊張而期待。由他們?cè)O(shè)計(jì)的一款I(lǐng)GBT芯片,在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工...
IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究
該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快速控制直流電源,對(duì)該電源裝置進(jìn)行了仿真和實(shí)驗(yàn)!獲得了較為滿意的動(dòng)靜態(tài)性能.
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