這個十二月，捷報連連！揚杰科技先于12月4日獲頒“中國SiC器件IDM十強企業(yè)”，彰顯其在碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合實力；隨后在12月6日，又憑借過硬的產(chǎn)品與技術(shù)，一舉奪得“國產(chǎn)功率器件行業(yè)-車規(guī)級-卓越獎”與“功率器件-IGBT行業(yè)-卓越獎”。
2025-12-16 09:54:09
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隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在電機控制、逆變電源等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。為了實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的IGBT驅(qū)動，AT314光耦作為一種優(yōu)秀的隔離器件，在IGBT驅(qū)動電路中發(fā)
2025-12-15 13:28:04228 
在數(shù)據(jù)中心布線系統(tǒng)走線方式時，很多朋友比較關(guān)心的是上走線好，還是下走線好?這個問題一直都有討論，尤其是剛從事機房施工的朋友，都有此一問。本期我們來總結(jié)下。為什么要討論這個問題呢?因為對于布線系統(tǒng)如果
2025-12-15 11:21:30268 
工程師在設(shè)計的時候，很容易忽略走線寬度的問題，因為在數(shù)字設(shè)計時，走線寬度不在 考慮范圍里面。通常情況下，都會嘗試用最小的線寬去設(shè)計走線，這時，在大電流時，將會導(dǎo)致很嚴(yán)重的問題。下面的公式用于計算線寬
2025-12-09 15:54:21479 
在微電子行業(yè)混久了的人，很少有不知道 IGBT 的。 圖示為IGBT模塊MG15P12P2：15A 1200V 7單元 IGBT的英文全稱和基礎(chǔ)概念對于電子技術(shù)程序員來說，想必已經(jīng)耳熟能詳。然而
2025-11-25 17:38:091066 
安森美 (onsemi) AFGB30T65RQDN絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）可為汽車應(yīng)用提供最佳性能。 該IGBT具有大電流能力、快速開關(guān)、高輸入阻抗和收緊的參數(shù)
2025-11-21 14:08:21737 文章大綱IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU”·IGBT是功率器件中的“結(jié)晶”·IGBT技術(shù)不斷迭代，產(chǎn)品推陳出新IGBT搭乘新能源快車打開增長空間天花板·新能源汽車市場成為IGBT增長最充足動力
2025-11-21 12:21:242431 
一站式PCBA加工廠家今天為大家講講PCB走線與過孔的電流承載能力有受什么影響?PCB走線與過孔的電流承載能力的影響因素。PCB走線與過孔的電流承載能力受線寬、銅厚、溫升、層別及散熱條件等多重因素
2025-11-19 09:24:59815 
雖然我看到過DDR的走線參考電源平面也能調(diào)試成功的案例，但是依然不妨礙我還想問：到底DDR走線能不能參考電源層??？
2025-11-11 17:44:20627 
“沒有煙囪，不燒煤炭，卻能像電廠一樣穩(wěn)定供電？”提到虛擬電廠（VPP），不少人會被“虛擬”二字誤導(dǎo)，將其與“不存在的空中樓閣”畫上等號。事實上，虛擬電廠既不是“虛擬的電廠”，也不是單純的軟件系統(tǒng)
2025-11-11 14:01:37965 
HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT功率器件測試儀一：IGBT功率器件測試儀主要特點華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的IGBT測試，還可以測量
2025-10-29 10:39:241726 
控制引腳HINU、HINV、HINW分別對應(yīng)高邊IGBT的U相、V相、W相控制輸入；LINU、LINV、LINW則分別對應(yīng)低邊IGBT的U相、V相、W相控制輸入。
2025-10-27 10:15:484226 
在散熱器上安裝的IGBT模塊并非密封設(shè)計，盡管芯片上方有一層硅膠，但是水汽仍然可以通過外殼間隙以及硅膠進入器件芯片內(nèi)部。因此，器件在使用和存儲過程中，必須避免濕氣或者腐蝕性氣體。目前大多數(shù)IGBT
2025-10-23 17:05:161825 
傾佳電子SiC碳化硅功率器件戰(zhàn)略市場精通指南：從業(yè)者進階之路 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-10-09 17:47:45619 
在電力電子系統(tǒng)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為核心開關(guān)器件，承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)換與控制的關(guān)鍵任務(wù)。但很多人容易忽視一個核心問題 ——散熱。事實上，IGBT 工作時產(chǎn)生的熱量若無法及時消散，會直接
2025-09-22 11:15:422723 變頻器驅(qū)動IGBT的時 檢測gnd與機殼的波形會疊加一個igbt驅(qū)動頻率在上面，請問各位大神 這個是什么原因引起的
2025-09-11 14:54:07
在云計算時代，虛擬化技術(shù)已經(jīng)成為企業(yè)IT基礎(chǔ)設(shè)施的核心組件。作為一名在生產(chǎn)環(huán)境管理過上千臺虛擬機的運維工程師，我深知選擇正確的虛擬化平臺對業(yè)務(wù)的重要性。今天，我將分享我在KVM虛擬化領(lǐng)域的實戰(zhàn)經(jīng)驗，幫助你構(gòu)建一個高性能、高可用的虛擬化環(huán)境。
2025-09-08 17:13:461175 本文要點在進行時序等長布線操作的時候，在布線操作的時候不管你是走蛇形線還是走折線，約束管理器會自動幫你計算長度、標(biāo)偏差，通過精確控制走線長度，來實現(xiàn)信號的時序匹配。約束設(shè)計就是一套精準(zhǔn)的導(dǎo)航系統(tǒng)
2025-09-05 15:19:221033 
不同封裝形式的IGBT模塊在熱性能上的差異主要體現(xiàn)在散熱路徑設(shè)計、材料導(dǎo)熱性、熱阻分布及溫度均勻性等方面。以下結(jié)合技術(shù)原理和應(yīng)用場景進行系統(tǒng)分析。
2025-09-05 09:50:582456 
一、引言 IGBT 模塊在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，其散熱性能直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。接觸熱阻作為影響 IGBT 模塊散熱的關(guān)鍵因素，受到諸多因素影響，其中芯片表面平整度不容忽視。研究二者
2025-09-01 10:50:431632 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件，其可靠性至關(guān)重要。IGBT 在工作時會產(chǎn)生大量熱量，需通過散熱器有效散熱，以維持正常工作溫度。而 IGBT 封裝底部與散熱器貼合面的平整度
2025-08-26 11:14:101195 一、引言 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為電力電子領(lǐng)域的核心器件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)等關(guān)鍵領(lǐng)域。短路失效是 IGBT 最嚴(yán)重的失效模式之一，會導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓甚至安全事故。研究發(fā)現(xiàn)
2025-08-25 11:13:121348 在當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)，企業(yè)面臨著海量數(shù)據(jù)的挑戰(zhàn)與機遇，如何高效整合與分析這些數(shù)據(jù)，成為企業(yè)提升競爭力的關(guān)鍵。本文將繼續(xù)介紹Exensio在IDM企業(yè)中的實際應(yīng)用及其帶來的實際效益。合作：普迪飛攜手英特爾
2025-08-19 13:48:47806 
通過利用Thermal EMMI(熱紅外顯微鏡）去檢測IGBT 樣品異常
2025-08-15 09:17:351664 
在電力電子行業(yè)，隨著對功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升，半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）憑借其高效性和可靠性，成為中高功率
2025-08-12 14:42:491876 
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）在電機驅(qū)動和電器控制等多種工業(yè)領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。IGBT在具有更低的開關(guān)損耗的同時，還要同時具備一定的抗短路能力。短路時，如果發(fā)生短路振蕩（SCOs）現(xiàn)象，IGBT的抗
2025-08-07 17:09:253556 
這張 IGBT 逆變控制板原理圖，把復(fù)雜變簡單： 高頻逆變回路明明白白，IGBT 驅(qū)動時序精準(zhǔn)標(biāo)注，電容儲能閉環(huán)控制鏈路清晰可見。從此，研發(fā)不用 “盲試”，維修告別 “猜故障”，生產(chǎn)少走技術(shù)彎路
2025-08-07 14:35:49
3 ，如何規(guī)劃后續(xù)的發(fā)展路徑并建立護城河變得越來越重要。其中，最受關(guān)注的問題莫過于——國內(nèi)射頻前端廠商現(xiàn)階段究竟應(yīng)該選擇
走IDM路線還是Design House路線？不同發(fā)展路徑對應(yīng)不同量級的資金投入，對于企業(yè)來說都是實打?qū)嵉恼娼鸢?/div>
2025-08-05 15:28:01799 
一前言在電子設(shè)備中，隨著電路集成度不斷提高以及工作頻率持續(xù)上升，電磁兼容性（EMC）成為關(guān)鍵問題。信號走線作為電路中信號傳輸?shù)耐ǖ溃溟L度對輻射發(fā)射有著顯著影響，這不僅關(guān)系到設(shè)備自身的穩(wěn)定運行，還關(guān)
2025-08-05 11:33:56765 
IGBT模塊GE間驅(qū)動電壓可由不同地驅(qū)動電路產(chǎn)生。
2025-07-31 09:41:293887 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 在半導(dǎo)體行業(yè)中，IDM（垂直整合制造）是指企業(yè)從芯片設(shè)計、制造、封裝測試到銷售的全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)均自主完成的運營模式。這種模式要求企業(yè)具備強大的技術(shù)能力和巨額資金投入，通常只有少數(shù)
2025-07-30 15:35:371716 
HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT功率器件測試儀 一：IGBT功率器件測試儀主要特點華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用
2025-07-16 15:14:08
本書結(jié)合國內(nèi)外IGBT的發(fā)展和最新應(yīng)用技術(shù)，以從事IGBT應(yīng)用電路設(shè)計人員為本書的讀者對象，系統(tǒng)、全面地講解了IGBT應(yīng)用電路設(shè)計必備的基礎(chǔ)知識，并選取和總結(jié)了IGBT的典型應(yīng)用電路設(shè)計實例，以供
2025-07-14 17:32:41
HUSTEC華科智源 HUSTEC-1600A-MT IGBT功率器件測試儀 一：IGBT功率器件測試儀主要特點 華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試
2025-07-08 17:31:041890 在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點，適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場景，能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192431 
本文闡述了汽車電子架構(gòu)從分布式向集中化演進的趨勢，黑芝麻智能分析了集中化帶來的安全隔離、實時性等關(guān)鍵挑戰(zhàn)，并指出車用虛擬化技術(shù)是實現(xiàn)域控融合的核心解決方案。該技術(shù)能夠優(yōu)化資源分配、保障功能安全，從而有效推動汽車的智能化變革。
2025-07-05 16:14:251149 IGBT以發(fā)射極電壓為基準(zhǔn)電位驅(qū)動。開關(guān)動作時，上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中，要開通上橋臂IGBT時，需要對門極施加300V加15V，合計315V的母線電壓。因此，需要不受開關(guān)噪聲干擾影響的上橋臂驅(qū)動電路。
2025-07-03 10:46:044750 
一、IGBT的老化測試挑戰(zhàn) 1.1 老化現(xiàn)象及其影響 IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心器件，在長期使用中不可避免地會出現(xiàn)老化現(xiàn)象。其性能衰變主要體現(xiàn)在開關(guān)速度變慢、導(dǎo)通壓降增大、閾值電壓漂移等方面
2025-07-01 18:01:351765 
IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多，一般會包含如下幾種類型參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，動態(tài)參數(shù)，熱參數(shù)。動態(tài)測試，主要是用于測試IGBT動態(tài)參數(shù)，目前，主要采用雙脈沖測試方案。其測試主要方法是，加載脈沖電壓，用獲取IGBT在開啟，或者關(guān)閉瞬間的電壓，電流變化情況，并計算出相應(yīng)的參數(shù)
2025-06-26 16:26:161332 
研究IGBT器件的開關(guān)及特性對實現(xiàn)IGBT變流器的高性能具有重要的意義，IGBT DC Link主回路的寄生電感會影響IGBT的開關(guān)特性。本文研究IGBT 變流器中常用的疊層母排，分析IGBT尖峰
2025-06-17 09:45:101781 
IGBT的柵極電壓可通過不同的驅(qū)動電路來產(chǎn)生。這些驅(qū)動電路設(shè)計的優(yōu)劣對IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)長期運行可靠性產(chǎn)生直接影響。為了確保IGBT的完全飽和以及較小化通態(tài)損耗，同時還要限制短路電流和功率應(yīng)力，正向柵極電壓必須控制在適當(dāng)范圍內(nèi)。
2025-06-12 09:55:42862 
AD7792電流源輸出在走線時，如果走線過長，且走線很細10mil，會導(dǎo)致電流源大小衰減嗎？
2025-06-11 07:22:55
在PCB設(shè)計中，走線命令是頻繁使用的功能之一。執(zhí)行走線命令后，通常會在Options面板中顯示線寬、層、角度等設(shè)置選項，用于調(diào)整走線參數(shù)。然而，有時執(zhí)行走線命令后，Options面板中可能沒有顯示這些設(shè)置區(qū)域，如圖1所示，該如何解決？
2025-06-05 09:30:301661 
光纖走暗線確實存在拉斷的風(fēng)險，但風(fēng)險程度取決于施工工藝、材料選擇及后續(xù)維護措施。以下為具體分析： 一、光纖走暗線的潛在風(fēng)險 施工拉扯損傷 暗線施工需在墻體或地面開槽，若操作不當(dāng)(如暴力拉扯、過度彎折
2025-06-03 10:19:351297 革命性替代：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？ —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點，IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊
2025-05-30 16:24:03932 
虛擬化環(huán)境：
某品牌720服務(wù)器中有一組通過型號為H710P的RAID卡+4塊STAT硬盤組建的RAID10，上層部署Xen Server服務(wù)器虛擬化平臺。虛擬機安裝的Windows Server
2025-05-30 11:35:38587 
為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾，提高器件的綜合性能和可靠性，在IGBT中引入了一種電子注入增強效應(yīng)（Injection Enhancement Effect，IE），既可
2025-05-21 14:15:171365 
盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機理不同，但對于吸收電路的分析而言，則只需考慮器件的外特性，IGBT關(guān)斷時模型可以等效為電壓控制的電流源，開通時可以等效為電壓控制的電壓源。下面以下圖所示的斬波器為例提出一般
2025-05-21 09:45:301049 
隨著新能源汽車、工業(yè)自動化、可再生能源的快速發(fā)展，IGBT的市場需求持續(xù)增長。聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)積極布局IGBT領(lǐng)域，迎接廣闊發(fā)展機遇，為未來增長提供動力。
2025-05-14 09:51:23896 
PMC-1606虛擬電廠控制終端PMC-1606虛擬電廠控制終端具備智能網(wǎng)關(guān)的功能，內(nèi)置多種控制策略，由于它具備容器化的邊緣計算框架(包括Docker容器運行環(huán)境、Python跨平臺開發(fā)環(huán)境)，使得
2025-05-13 14:20:54
PMC-1618虛擬電廠多功能終端 PMC-1618虛擬電廠多功能終端具備智能網(wǎng)關(guān)的基礎(chǔ)通信功能，內(nèi)置多種行業(yè)控制策略算法，具備平臺化、生態(tài)化、容器化的邊緣計算框架(包括Docker容器
2025-05-13 14:19:22
機柜配線架的走線方式是網(wǎng)絡(luò)布線工程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接影響機房管理效率、設(shè)備散熱性能和后期維護便利性。合理的走線設(shè)計需要兼顧功能性、美觀性和可擴展性，以下從規(guī)劃原則、走線方式分類、具體實施要點三方面
2025-04-28 10:44:401647 
2025全球IGBT企業(yè)TOP 55！
2025-04-27 16:38:51601 
在電力電子行業(yè)，隨著對功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升，半導(dǎo)體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）憑借其高效性和可靠性，成為中高功率
2025-04-27 15:45:02693 IGBT的開關(guān)損耗特性研究對IGBT變流器設(shè)計具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場合，都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進行大余量熱設(shè)計以保證IGBT及IGBT變流器的溫升在
2025-04-22 10:30:151796 
新四化大趨勢下，汽車上云之路已不可逆
2025-04-18 09:59:30507 IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298 
在探討電機控制中IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)驅(qū)動為何需要隔離的問題時，我們首先要了解IGBT的基本工作原理及其在電機控制中的應(yīng)用，進而分析隔離技術(shù)在其中的重要性。 IGBT是一種結(jié)合了MOS柵器件
2025-04-15 18:27:451074 
IGBT正弦波調(diào)光器是一種用于調(diào)節(jié)燈光亮度的設(shè)備，其工作原理主要基于IGBT的開關(guān)特性和對正弦波信號的控制。
2025-04-11 15:47:302218 
如下是一款具有IGBT保護的驅(qū)動芯片，其如何檢測并判斷IGBT故障，并且在什么情況下觸發(fā)該故障？
尤其是在一類短路和二類短路時是否應(yīng)該觸發(fā)，具體如何檢測？
2025-04-05 20:16:16
近日，上揚軟件憑借其在半導(dǎo)體智能制造領(lǐng)域的卓越技術(shù)實力和豐富項目經(jīng)驗，成功中標(biāo)國內(nèi)一家頭部IDM廠商的12英寸特色工藝晶圓全自動生產(chǎn)線CIM系統(tǒng)項目。
2025-03-28 14:42:54808 MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同.
1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強,IXYS有一款MOSFET
2025-03-25 13:43:17
工業(yè)互聯(lián)進階之路：串口服務(wù)器與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的深度融合
2025-03-24 09:39:37581 
英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價策略的本質(zhì)與深層危機分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊在中國市場掀起了降價超過30%的IGBT模塊價格戰(zhàn)，其背后的邏輯不僅是市場份額爭奪的“回光返照
2025-03-21 13:18:121053 
國產(chǎn)碳化硅（SiC）模塊取代進口IGBT模塊，是當(dāng)前電力電子系統(tǒng)創(chuàng)新升級的核心路徑。這一趨勢不僅是技術(shù)迭代的必然結(jié)果，更是政策引導(dǎo)、供應(yīng)鏈安全需求與產(chǎn)業(yè)升級共同作用下的綜合選擇。以下從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)
2025-03-21 08:19:15780 在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使用壽命，還關(guān)系到整個電力電子系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性
2025-03-18 10:14:051536 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT驅(qū)動設(shè)計資料.zip》資料免費下載
2025-03-17 17:58:554 在電力電子的廣闊領(lǐng)域中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為核心器件，其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個系統(tǒng)的運行效率與穩(wěn)定性。而功耗問題，始終是IGBT應(yīng)用中不可忽視的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今天，就讓我們一同深入探究IGBT功耗背后的奧秘。
2025-03-14 09:17:5232456 
IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時，其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)過程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。
2025-03-13 14:39:283760 
布線（Layout）是PCB設(shè)計工程師最基本的工作技能之一。走線的好壞將直接影響到整個系統(tǒng)的性能，大多數(shù)高速的設(shè)計理論也要最終經(jīng)過Layout得以實現(xiàn)并驗證，由此可見，布線在高速PCB設(shè)計中
2025-03-13 11:35:03
前言IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為光伏逆變器的“心臟”，承擔(dān)著直流電向交流電轉(zhuǎn)換的核心任務(wù)。然而，這一關(guān)鍵部件的炸毀問題頻發(fā)，不僅導(dǎo)致高昂的維修成本，還可能引發(fā)電站停機、發(fā)電量損失等連鎖反應(yīng)。據(jù)
2025-03-09 11:21:044502 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講PCB設(shè)計中的走線寬度如何計算?PCB設(shè)計走線寬度計算的原理和方法。在PCB設(shè)計過程中，走線寬度的計算和合理的布局是確保電路功能性、可靠性和可制造性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)
2025-03-06 09:25:301415 
在現(xiàn)代工業(yè)電氣領(lǐng)域，中頻電源應(yīng)用廣泛，而 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為中頻電源的核心器件，起著至關(guān)重要的作用。本文將深入探討 IGBT 在中頻電源中的工作原理、關(guān)鍵作用，以及常見的故障模式及解決方法。
2025-03-03 14:16:392565 
近日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線，預(yù)計2025年四季度批量生產(chǎn)，形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng)，結(jié)合過去二十年合資汽車和自主品牌的此消彼長發(fā)展歷程，不難看出國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體必須走自立自強與突圍之路：從合資依賴到自主創(chuàng)新的路徑分析。
2025-03-01 16:11:141015 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）通常在復(fù)雜的電磁環(huán)境中運行，然而，關(guān)于磁場干擾（MFI）對其性能和可靠性的影響的研究較少，尤其是在高功率應(yīng)用中。本文提出了一種結(jié)合計算磁學(xué)方法和電路建模技術(shù)的混合方法
2025-02-25 09:54:451676 
在當(dāng)今數(shù)字化浪潮席卷全球的時代，企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型已成為謀求發(fā)展與競爭力的必經(jīng)之路。而虛擬私有服務(wù)器，作為一種創(chuàng)新的云計算解決方案，正以其獨特優(yōu)勢，為企業(yè)開啟數(shù)字化轉(zhuǎn)型的新征程。 ?虛擬私有服務(wù)器在提升
2025-02-24 10:41:22565 IGBT的溫度及安全運行 IGBT的溫度可由下圖描述： 溫差 (平均值)和熱阻關(guān)系如下式： Rthjc = ΔTjc ÷ 損耗 Rthch = ΔTch ÷ 損耗 Rthha = ΔTha ÷ 損耗
2025-02-14 11:30:5933041 
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/在xEV應(yīng)用的主驅(qū)逆變器中，關(guān)于IGBT分立器件熱阻網(wǎng)絡(luò)建模和虛擬結(jié)溫計算的研究和論文相對較少。本文基于最新的可回流焊接分立式IGBT產(chǎn)品(TO247
2025-02-08 11:26:211750 用MSN4688驅(qū)動IGBT的經(jīng)典的電路
2025-02-07 14:13:469 在當(dāng)今快節(jié)奏的商業(yè)環(huán)境中，數(shù)據(jù)的高效處理能力是企業(yè)競爭力的關(guān)鍵因素之一。批量管理工具以其強大的批量操作功能，為企業(yè)提供了一種高效、便捷的數(shù)據(jù)處理解決方案。今天就為大家介紹Hyper-V虛擬化
2025-02-07 10:24:511023 
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心元件，廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、新能源發(fā)電、變頻器和電動汽車等領(lǐng)域。IGBT在工作過程中會產(chǎn)生大量的熱量，如果不能有效地散熱，將會導(dǎo)致器件溫度升高
2025-02-03 14:27:001296 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）是一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）優(yōu)點的半導(dǎo)體器件
2025-02-03 14:26:001162 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）作為電力電子裝置中的核心器件，其性能的穩(wěn)定性和可靠性對整個系統(tǒng)的運行至關(guān)重要。為了驗證IGBT的性能
2025-02-02 13:59:003186 在高速數(shù)字電路設(shè)計中，信號完整性（SI）是確保系統(tǒng)性能和可靠性的核心要素。高速信號線的走線規(guī)則對于維持信號質(zhì)量、減少噪聲干擾以及優(yōu)化時序性能至關(guān)重要。本文將深入探討高速信號線走線的關(guān)鍵規(guī)則，旨在為工程師提供全面的設(shè)計指導(dǎo)和實踐建議。
2025-01-30 16:02:002427 在高速數(shù)字電路設(shè)計中，信號走線的長度是一個至關(guān)重要的考量因素。隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的不斷提升，信號完整性、時序準(zhǔn)確性和系統(tǒng)可靠性等方面的挑戰(zhàn)也隨之增加。本文將深入探討高速信號走線長度優(yōu)化的重要性，解析為何在高速電路中，走線越短通常越有利，并提供相關(guān)的技術(shù)背景和設(shè)計指導(dǎo)。
2025-01-30 15:56:001524 IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測試方法的意義： 1.對比不同的IGBT的參數(shù)； 2.評估IGBT驅(qū)動板的功能和性能； 3.獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評估Rgon
2025-01-28 15:44:008852 
IGBT雙脈沖實驗 1.1 IGBT雙脈沖實驗?zāi)康?1、通過實驗獲取IGBT驅(qū)動板及IGBT模塊的主要動態(tài)參數(shù)，如延時、上升、下降時間、開關(guān)損耗等； 2、通過實驗獲得功率組件設(shè)計中濾波電容、吸收電容
2025-01-27 18:10:002616 
在企業(yè)管理中，任務(wù)的分配和執(zhí)行是核心環(huán)節(jié)之一。然而，傳統(tǒng)方式往往因效率低下而影響整體工作進度。批量管理工具的出現(xiàn)，為企業(yè)管理提供了全新的思路和方法。今天就為大家介紹hyper-v虛擬化：企業(yè)級虛擬
2025-01-24 14:21:492471 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）都是重要的半導(dǎo)體功率器件，它們在電子電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和MOSFET的特性及用途的介紹：IGBT的特性
2025-01-23 08:20:361161 大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572634 
上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今
2025-01-15 18:05:212260
例如，驅(qū)動器內(nèi)阻為20歐，理論上采用驅(qū)動端串聯(lián)30歐電阻，與50歐特征阻抗的傳輸線進行匹配，但是從驅(qū)動端到串聯(lián)電阻之間的這一段走線應(yīng)該走成多少阻抗呢？
2025-01-08 07:28:26
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