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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) JFET選型

jfet技術(shù)

使用LF353構(gòu)建的函數(shù)發(fā)生器電路

兩個(gè)運(yùn)算放大器用于構(gòu)建精密方波和三角波發(fā)生器電路。LF353套件包括兩個(gè)JFET運(yùn)算放大器，最適合此應(yīng)用。

2023-06-01 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器發(fā)生器電路 JFET 7k 0

恒流二極管的工作原理、特性及應(yīng)用

恒流二極管或CCD是一種特殊類(lèi)型的二極管，允許其最大限值的恒定電流量。它也被稱(chēng)為限流二極管“CLD”或抗電流二極管“CRD”。它允許通過(guò)它的電流上升到特...

2023-07-23 標(biāo)簽：傳感器 CCD 二極管 6.8k 0

場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn) 場(chǎng)效應(yīng)管的使用優(yōu)勢(shì)

　　場(chǎng)效應(yīng)管是一種電子元件，它可以控制電流或電壓，通過(guò)改變極化層的電場(chǎng)來(lái)控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分為MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）、JF...

2023-02-17 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 6.5k 0

新型固體圖像傳感器LBCAST JFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及功能分析

尼康公司的D2H單反數(shù)字相機(jī)中使用了一種新型的固體圖像傳感器LBCAST JFET。該器件在讀數(shù)方式、內(nèi)部結(jié)構(gòu)等方面有了較大改進(jìn)，與CCD、CMOS圖像...

2019-12-18 標(biāo)簽：傳感器 mosfet jfet 6k 0

JFET的工作原理 JFET的特點(diǎn)

　　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管由源極、漏極和控制極三部分組成，源極和漏極之間形成一個(gè)受控制極控制的結(jié)型場(chǎng)，從而控制電子流的方向，實(shí)現(xiàn)放大或阻斷電路的功能。

2023-02-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 JFET 晶體管 5.9k 0

SiC JFET如何實(shí)現(xiàn)熱插拔控制

本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說(shuō)明 SiC JFET 如何推動(dòng)電路保護(hù)...

2026-01-20 標(biāo)簽：JFET 熱插拔斷路器 5.8k 0

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的基本知識(shí)點(diǎn)詳細(xì)說(shuō)明

半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱(chēng)為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱(chēng)為單極型三極管，因...

2020-11-14 標(biāo)簽：三極管 JFET MOS 5.7k 0

什么是場(chǎng)效應(yīng)管 MOS場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)

場(chǎng)效應(yīng)管，即場(chǎng)效應(yīng)晶體管（簡(jiǎn)稱(chēng)FET），是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。

2024-02-20 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 JFET FET 5.3k 0

音頻放大器電路圖分享

音頻放大器是一種電子設(shè)備，用于放大音頻信號(hào)，以便在揚(yáng)聲器或其他音頻設(shè)備中播放。音頻放大器通常用于音響系統(tǒng)、電視機(jī)、收音機(jī)等多媒體設(shè)備中。音頻放大器的工作...

2024-01-08 標(biāo)簽：電路圖揚(yáng)聲器 JFET 5.3k 0

采用N溝JFET與PNP型三極管的放大電路設(shè)計(jì)

下圖是一個(gè)采用N溝JFET與一只PNP型三極管組合而成的一個(gè)放大電路，原理上采用輸入阻抗高的FET作為源極接地的放大電路，第二級(jí)采用提高放大倍數(shù)的三極管...

2022-10-18 標(biāo)簽：三極管放大電路 JFET 4.7k 0

場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理和種類(lèi)

場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng) FET)是一種三端半導(dǎo)體器件，其特點(diǎn)是輸入電阻高、輸入電容小、輸出電阻低、噪聲小、速度快...

2023-02-25 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 4.5k 0

功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀

眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異。可以說(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))...

2023-10-18 標(biāo)簽：二極管 MOSFET JFET 4.4k 0

一文詳解場(chǎng)效應(yīng)晶體管

在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。

2023-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 4.2k 0

場(chǎng)效應(yīng)管的相關(guān)知識(shí)

今天我們來(lái)了解一下場(chǎng)效應(yīng)管，英文名叫Filed Effect Transistor ，簡(jiǎn)稱(chēng)FET，也是一種具有PN結(jié)的半導(dǎo)體器件。

2023-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 4.1k 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)解析

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū)，并將它們連...

2025-05-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 JFET 晶體管 4.1k 0

盤(pán)點(diǎn)MOS管傳輸特性曲線的細(xì)微之處

這樣描述可能不直觀。我們看下N溝道-JFET的構(gòu)造，如下圖所示，柵極和源極之間就是一個(gè)耗盡層（PN結(jié)）。

2023-01-29 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管負(fù)電壓 4.1k 0

3路有源交叉網(wǎng)絡(luò)電路的原理圖分享

這是3路有源交叉網(wǎng)絡(luò)電路的原理圖，該電路在音頻放大器系統(tǒng)中得到了大量應(yīng)用。該電路的核心是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司的IC LF353，它是一款具有內(nèi)部補(bǔ)償輸入失...

2023-04-02 標(biāo)簽：原理圖 JFET 交叉網(wǎng)絡(luò) 3.9k 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和特性

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)JFET）是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件，其工作原理和特...

2024-10-07 標(biāo)簽：JFET 柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3.7k 0

溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET幾種常見(jiàn)的類(lèi)型

SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。但是，溝槽結(jié)構(gòu)可以增加單元密度，沒(méi)有JFET效應(yīng)，寄生...

2023-02-16 標(biāo)簽：電阻 JFET SiC 3.5k 0

溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見(jiàn)的類(lèi)型

SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。

2023-04-01 標(biāo)簽：MOSFET JFET SiC 3.4k 0

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專(zhuān)注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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