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      標(biāo)簽　>　jfet

      jfet

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      jfet技術(shù)

      一個(gè)寬溫度范圍的實(shí)用測(cè)溫電路中蘊(yùn)含的電路技巧

      一個(gè)寬溫度范圍的實(shí)用測(cè)溫電路中蘊(yùn)含的電路技巧

      溫度傳感器的芯片現(xiàn)在很多，我們本次推文介紹的是一個(gè)低成本的0到100度的溫度傳感器設(shè)計(jì)，精度達(dá)到1度。

      2023-10-18 標(biāo)簽：放大器溫度傳感器JFET 1.3k 0

      淺析平面型與溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)

      淺析平面型與溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)

      在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中，平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候，可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為，平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)的

      2023-10-18 標(biāo)簽：功率二極管MOSFET晶閘管 1.2k 0

      功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀

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      眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))...

      2023-10-18 標(biāo)簽：二極管MOSFETJFET 4k 0

      經(jīng)典電路分析：峰值保持電路

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      峰值保持電路是用于捕捉變化的輸入信號(hào)的峰值，是利用記錄儀記錄峰值的關(guān)鍵電路，其有各種電路結(jié)構(gòu)，分析也相對(duì)簡(jiǎn)單。

      2023-10-13 標(biāo)簽：二極管比較器JFET 1.6萬(wàn) 1

      精確移相電路的設(shè)計(jì)舉例(2)

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      上個(gè)推文介紹了全通濾波器構(gòu)成的移相網(wǎng)絡(luò)和反饋跟蹤控制電路，反饋跟蹤控制電路由鑒相器和JFET可變電阻構(gòu)成

      2023-10-13 標(biāo)簽：濾波器JFET鑒相器 2k 0

      一文詳解場(chǎng)效應(yīng)晶體管

      一文詳解場(chǎng)效應(yīng)晶體管

      在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。

      2023-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管JFET 3.7k 0

      MOS場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識(shí)

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      結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流，MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極絕緣，沒(méi)有電流。

      2023-08-17 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 2.1k 1

      恒流二極管的工作原理、特性及應(yīng)用

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      恒流二極管或CCD是一種特殊類型的二極管，允許其最大限值的恒定電流量。它也被稱為限流二極管“CLD”或抗電流二極管“CRD”。它允許通過(guò)它的電流上升到特...

      2023-07-23 標(biāo)簽：傳感器CCD二極管 6.1k 0

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      下圖是使用N JFET和負(fù)電源（V1=-15V）搭建的放大電路。基本電路架構(gòu)是一致的。和前面講到的正電源放大電路的主要區(qū)別是正電源變?yōu)镚ND，GND變?yōu)?..

      2023-07-15 標(biāo)簽：放大器放大電路JFET 2.4k 0

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      2023-07-11 標(biāo)簽：CMOS噪聲運(yùn)放 1.9k 0

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      1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管，屬于雙極型晶體管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶體管還有另外一...

      2023-06-28 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 6k 0

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      下圖是N型FET的結(jié)構(gòu)圖，左邊是JFET,右邊是MOSFET。電流流過(guò)漏極和源極之間的部分稱為溝道。JFET的柵極和溝道之間有等效二極管（PN結(jié)），所以...

      2023-06-23 標(biāo)簽：二極管MOSFETJFET 8.4k 0

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      2023-04-29 標(biāo)簽：JFET晶體管晶體管測(cè)試儀 2.5k 0

      3路有源交叉網(wǎng)絡(luò)電路的原理圖分享

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      這是3路有源交叉網(wǎng)絡(luò)電路的原理圖，該電路在音頻放大器系統(tǒng)中得到了大量應(yīng)用。該電路的核心是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司的IC LF353，它是一款具有內(nèi)部補(bǔ)償輸入失...

      2023-04-02 標(biāo)簽：原理圖JFET交叉網(wǎng)絡(luò) 3.5k 0

      溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見(jiàn)的類型

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      2023-04-01 標(biāo)簽：MOSFETJFETSiC 2.9k 0

      四種模擬輸入信號(hào)的保護(hù)電路實(shí)現(xiàn)方法

      本文介紹了四種模擬輸入信號(hào)的保護(hù)電路的實(shí)現(xiàn)方法。

      2023-03-28 標(biāo)簽：三極管保護(hù)電路模擬 1.8k 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        28nm
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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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