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一個(gè)寬溫度范圍的實(shí)用測(cè)溫電路中蘊(yùn)含的電路技巧
溫度傳感器的芯片現(xiàn)在很多,我們本次推文介紹的是一個(gè)低成本的0到100度的溫度傳感器設(shè)計(jì),精度達(dá)到1度。
在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中,平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候,可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為,平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)的
功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀
眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率,且開關(guān)速度優(yōu)異??梢哉f(shuō)具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))...
在半導(dǎo)體器件的講解中,場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管JFET 3.7k 0
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識(shí)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流,MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極絕緣,沒(méi)有電流。
2023-08-17 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 2k 1
下圖是使用N JFET和負(fù)電源(V1=-15V)搭建的放大電路?;倦娐芳軜?gòu)是一致的。和前面講到的正電源放大電路的主要區(qū)別是正電源變?yōu)镚ND,GND變?yōu)?..
運(yùn)放的噪聲評(píng)估簡(jiǎn)單辦法及舉例
經(jīng)驗(yàn)1:抓大放小——如果噪聲A是不相干噪聲B的3倍或以上,那么我們完全可以忽略噪聲B ? ? ? ? ? ?“ 抓大放小 ”,指的是只評(píng)估大的主要的噪聲...
MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的分類及工作原理
1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管,屬于雙極型晶體管(Bipolarjunction Transistor)。此外,晶體管還有另外一...
2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 6k 0
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記:各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)
當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來(lái)區(qū)分的,平面型和溝槽型。
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三...
使用LF353構(gòu)建的函數(shù)發(fā)生器電路
兩個(gè)運(yùn)算放大器用于構(gòu)建精密方波和三角波發(fā)生器電路。LF353套件包括兩個(gè)JFET運(yùn)算放大器,最適合此應(yīng)用。
2023-06-01 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器發(fā)生器電路JFET 6.6k 0
這款有用的晶體管測(cè)試儀允許用戶快速檢查 NPN/PNP 晶體管、JFET 或 (V)MOSFET 的功能,并適當(dāng)?shù)卮_定其端子或引腳的方向。
2023-04-29 標(biāo)簽:JFET晶體管晶體管測(cè)試儀 2.5k 0
這是3路有源交叉網(wǎng)絡(luò)電路的原理圖,該電路在音頻放大器系統(tǒng)中得到了大量應(yīng)用。該電路的核心是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司的IC LF353,它是一款具有內(nèi)部補(bǔ)償輸入失...
2023-04-02 標(biāo)簽:原理圖JFET交叉網(wǎng)絡(luò) 3.5k 0
溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見(jiàn)的類型
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
四種模擬輸入信號(hào)的保護(hù)電路實(shí)現(xiàn)方法
本文介紹了四種模擬輸入信號(hào)的保護(hù)電路的實(shí)現(xiàn)方法。
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