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標(biāo)簽 > mdd
MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌,15年的行業(yè)深耕,一直專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上,積累了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力,同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線(涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng))。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件
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功率半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代加速,華秋與MDD達(dá)成合作
功率半導(dǎo)體器件在工業(yè)、消費(fèi)、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用,具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品可以分為功率器件、電源管理 IC 和功率模組三大類。 圖:功率半...
MDD推出的MDD7N65D這款功率MOSFET,采用VDMOS芯片技術(shù),具有高耐壓、驅(qū)動(dòng)功率小、導(dǎo)通電阻低、卓越的開(kāi)關(guān)特性和電容特性,可滿足應(yīng)用中各種...
隨著PD快充技術(shù)的普及以及氮化鎵快充市場(chǎng)的爆發(fā),消費(fèi)類電源市場(chǎng)對(duì)高頻率、高效率、小體積的產(chǎn)品需求量日益提升。而在開(kāi)發(fā)高頻率快充電源時(shí),找元器件現(xiàn)貨上唯樣...
ESD0506PHL采用DFN4120-10L表面貼片封裝外形,外形尺寸僅為4.1*2.0*0.5mm;符合RoHS、HF和REACH標(biāo)準(zhǔn)。這種小巧纖薄...
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