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標簽 > mdd
MDD是國內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導體品牌,15年的行業(yè)深耕,一直專注于半導體領域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎上,積累了厚實的研發(fā)設計能力,同時還建立全流程的封裝測試產(chǎn)線(涵蓋封裝測試、成品測試等多項)。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導體分立器件
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| 型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| KBJ608 | 直流反向耐壓(Vr):800V;平均整流電流(Io):6A;正向壓降(Vf):1V@3A;反向電流(Ir):10uA@800V;正向浪涌電流(Ifsm):170A;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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| KBJ1010 |
獲取價格
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| GS1M | VR=1000V IF=1A VF=1.1V IR=5uA |
獲取價格
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| ESD8D8V0 |
獲取價格
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| ESD8D5V0 |
獲取價格
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| ESD8D3V3 |
獲取價格
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| ESD8D12V |
獲取價格
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| ESD5Z36 | 極性:雙向;反向截止電壓(Vrwm):36V;擊穿電壓(VBR):40V;鉗位電壓(Vc)@Ipp:55V; |
獲取價格
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| ESD5B5CU |
獲取價格
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| ESD5B3CM |
獲取價格
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| ESD3Z5V0BU |
獲取價格
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| ESD3B3CM | ESD3B3CM |
獲取價格
|
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| ESD1201OC | 極性:雙向;反向截止電壓(Vrwm):12V;擊穿電壓(VBR):13.3V; |
獲取價格
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| ESD0502TL |
獲取價格
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| ESD0502L |
獲取價格
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| ESD0501L | 極性:雙向;反向截止電壓(Vrwm):5V;擊穿電壓(VBR):6V;鉗位電壓(Vc)@Ipp:15V; |
獲取價格
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| ESD0501OC |
獲取價格
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| ESD0302TL |
獲取價格
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| ESD0301L |
獲取價格
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| ESD0302L |
獲取價格
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| ES3GC | 直流反向耐壓(Vr):400V;平均整流電流(Io):3A;正向壓降(Vf):1.25V @ 3A;反向恢復時間(trr):35ns;二極管配置:-; |
獲取價格
|
|
| ES2BB | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):100V;平均整流電流(Io):2A;正向壓降(Vf):1V@2A;反向恢復時間(trr):35ns; |
獲取價格
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| DHE1G |
獲取價格
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| D882-GR | D882-GR |
獲取價格
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| BZX84C5V1 | BZX84C5V1 |
獲取價格
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| BZX84C4V3 |
獲取價格
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| BZX84C18 | 精度5% 0.3W 18V 較低IR |
獲取價格
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| BZT52C2V4T | 齊納/穩(wěn)壓二極管 2.2V SOD-523 |
獲取價格
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| BZT52C2V0S |
獲取價格
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||
| BZT52C27S |
獲取價格
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