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標簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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場效應(yīng)管導(dǎo)通與截止由柵源電壓來操控，關(guān)于增強場效應(yīng)管方面來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就OK了。
電路設(shè)計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才...
當電源正確接入時。電流的流向是從Vin到負載，在通過NMOS到GND。剛上電時因為NMOS管的體二極管存在，地回路通過體二極管接通，后續(xù)因為Vgs大于V...
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對其閾值電壓 Vth 的影響，實際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜，但是也可以有一些簡化的分析，這里主要還是分析當晶...
MOSFET的柵極驅(qū)動過程，可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFE...
根據(jù)上一篇對CMOS工作原理的分析，我們可以將MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個區(qū)域，以NMOS為例。
本文首先介紹了場效應(yīng)管工作原理與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理，其次介紹了場效應(yīng)管的作用，最后介紹了場效應(yīng)管的測量方法。
2018-08-08 標簽：場效應(yīng)管MOS管 3.9萬 0
CMOS電路因其在在功耗、抗干擾能力方面具有不可替代的優(yōu)勢，以及在設(shè)計及制造方面具有簡單易集成的優(yōu)點而得到廣泛應(yīng)用。如今，在大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路特別...
MOS管是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用在電子電路中，特別是具有上述要求前級放大器顯示器出越性。根據(jù)MOS管兩大類型--結(jié)型M...
NMOS管的主回路電流方向為D—>S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，如 5V（G電位比S電位高）。
寄生電容是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，一個電阻的串聯(lián)，低頻情況下表現(xiàn)不明顯，而高頻...
mos管的工作區(qū)域 從之前的文章中可以知道，mos管有三個工作區(qū)域： 截止區(qū)域 線性（歐姆）區(qū)域 飽和區(qū)域 當 VGS VTH時，mos管工作在截止區(qū)域...
2022-12-19 標簽：CMOS開關(guān)電路MOS管 3.6萬 0
并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點是將2個同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來指電路中電子元件的連接方式，即并聯(lián)電路。
本文是關(guān)于兩個MOS 管串聯(lián)組成反向電流阻斷電路的介紹。
功率MOS管的G極經(jīng)常會串聯(lián)一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻有什么用呢？
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型...
2019-07-08 標簽：二極管開關(guān)電路MOS管 3.4萬 0
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之...
下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個二極管，其被稱為體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。
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