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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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以MOS管逆變橋?yàn)槔治鲵?qū)動(dòng)器的干擾源特性
隨著工控行業(yè)對(duì)能效與控制精度的追求,及在寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用基礎(chǔ)上,電機(jī)控制器(驅(qū)動(dòng)器)的開(kāi)關(guān)速度與控制頻率越來(lái)越高,使得EMI問(wèn)題成為了行業(yè)難題
2023-09-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS管電機(jī)控制器 2.1k 0
XL6012+LM358升壓恒流輸出驅(qū)動(dòng)LED方案
本文介紹 XL6012 加運(yùn)放 LM358 實(shí)現(xiàn)升壓恒流輸出驅(qū)動(dòng) LED 方案,此方案具有優(yōu)秀的線性調(diào)整率與負(fù)載調(diào)整率,同時(shí)具有輸出功率大(12V 輸入...
2024-01-08 標(biāo)簽:MOS管 2.1k 0
01引言自2020年,國(guó)家將充電樁納入新基建并大力發(fā)展,各類(lèi)企業(yè)積極入局,現(xiàn)已進(jìn)入行業(yè)發(fā)展關(guān)鍵期,將迎來(lái)爆發(fā)增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)到2030年,中國(guó)新能源汽車(chē)?yán)塾?jì)銷(xiāo)...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率開(kāi)關(guān)器件。選型時(shí)需要考慮多種因素,以確保MOSFET的性能滿足特定應(yīng)用的需求...
2024-07-11 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 2k 0
超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢(shì)
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前,我們先了解一些背景知識(shí)。
2024-10-15 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源MOS管 2k 0
電源變換器基礎(chǔ)(2)-開(kāi)關(guān)電源中的電感
開(kāi)關(guān)電源主要由:開(kāi)關(guān)管(BJT/MOS管),續(xù)流二極管(肖特基二極管/快恢復(fù)二極管),電感器以及電容器組成;
2023-05-30 標(biāo)簽:電容器開(kāi)關(guān)電源電感器 2k 0
開(kāi)關(guān)電源MOS設(shè)計(jì)選型的幾個(gè)基本原則
開(kāi)啟過(guò)程 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上圖所示。首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開(kāi)啟時(shí)刻前之 VDS(off_end)...
2023-10-27 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源MOS管 2k 0
FP6291充電型桌面迷你臺(tái)式小風(fēng)扇升壓方案 DC-DC異步內(nèi)置MOS管升壓恒壓芯片帶限流
FP6291是一款異步內(nèi)置MOS管升壓恒壓芯片,與肖特基和電感形成回路組成升壓架構(gòu); 工作電壓2.6-5.5V,可適用已單節(jié)電池和5V供電升壓; 恒...
非隔離驅(qū)動(dòng)芯片IR21814S的電路設(shè)計(jì)詳解
DCPWMB輸入高電平,推挽輸出DCDRVB高電平驅(qū)動(dòng)Q121導(dǎo)通,DCPWMA為低電平,推挽輸出DCDRVA低電平截止上管Q120。自舉電容C308通...
2024-04-05 標(biāo)簽:三極管電路設(shè)計(jì)MOS管 2k 0
鋰電池保護(hù)板MOS管應(yīng)用方案:100N8F6A
具有120A、85V的電流、電壓, 7、RDS(on) = 6.5mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =5.3mΩ(TYP) @VG...
2024-01-06 標(biāo)簽:電子元器件MOS管鋰電池保護(hù)板 2k 0
模擬IC入門(mén):MOS器件物理基礎(chǔ)知識(shí)
擴(kuò)散運(yùn)動(dòng):由熱運(yùn)動(dòng)引起的隨機(jī)運(yùn)動(dòng),一般由高濃度向低濃度轉(zhuǎn)移,直到均勻分布。
在工作中,會(huì)遇到OC門(mén)與OD門(mén)的稱(chēng)謂。而感性的認(rèn)識(shí)一般為:OD門(mén)是采用MOS管搭建的電路,壓(電壓)控元器件。OC門(mén)是采用晶體管搭建的電路,流(電流)控...
關(guān)于同步整流芯片參數(shù)適配的經(jīng)驗(yàn)
更換同步整流控制IC后啟機(jī)效率明顯降低,首先從同步整流工作異常開(kāi)始著手測(cè)量。如圖1所示,在同步整流驅(qū)動(dòng)波形測(cè)量的同時(shí)用熱成像儀測(cè)量同步整流MOS管的溫度...
2024-04-26 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管熱成像儀 2k 0
MOS管工作狀態(tài)如何判斷? 歐若奇科技 專(zhuān)業(yè)電路設(shè)計(jì),PCB復(fù)制,原理圖反推,電子產(chǎn)品優(yōu)化設(shè)計(jì)等 如何判斷mos管工作狀態(tài) MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種...
2024-01-09 標(biāo)簽:MOS管 2k 0
MOS管,是MOSFET的簡(jiǎn)寫(xiě)(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),M...
如何用MOS設(shè)計(jì)分立式電平轉(zhuǎn)換系統(tǒng)?
引言:當(dāng)傳統(tǒng)設(shè)備與使用較小電平的新設(shè)備連接時(shí),需要進(jìn)行邏輯電平轉(zhuǎn)換。
2023-06-07 標(biāo)簽:電阻器MOS管電平轉(zhuǎn)換器 2k 0
MOS管散熱片設(shè)計(jì)如何影響EMC表現(xiàn)
騷擾通過(guò)MOS管與散熱片寄生電容、LISN、以及L、N線返回到源。如果MOS管接地的話,在騷擾電壓一定的情況下,阻抗很低,騷擾電流很大,導(dǎo)致CE測(cè)試失效。
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