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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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對于DC-DC變換器的效率提升,需要有低電壓、大電流的MOS管來優(yōu)化代換。畢竟同步整流技術(shù)是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來取代整流二極管,從而大大...
2023-12-11 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管變換器 2.4k 0
三極管屬于電流型驅(qū)動元器件,因此一般在基極都會串一個限流電阻,一般小于等于10K,但是在基極為什么會下拉一個電阻呢?舉例說明。
本文是探索如何為超小型快充適配器設(shè)計副邊同步整流器的系列文章的第二部分。 第一部分討論了同步整流器的拓?fù)湓O(shè)計和電源。 第二部分將回顧同步整流器如何打開和...
2023-08-02 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管VDS 2.4k 0
三極管和MOS管的基本特性 三極管是電流控制電流器件,用基極電流的變化控制集電極電流的變化。
PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ),摻雜是半導(dǎo)體的靈魂,先明確幾點。
在設(shè)計驅(qū)動電路時,經(jīng)常會用到MOS管做開關(guān)電路,而在驅(qū)動一些大功率負(fù)載時,主控芯片并不會直接驅(qū)動大功率MOS管,而是在MCU和大功率MOS管之間加入柵極...
設(shè)計MOS管的驅(qū)動電路需要考慮電路的穩(wěn)定性、可靠性、功耗以及電路的動態(tài)特性等因素。下面將詳細(xì)介紹一種常見的MOS管驅(qū)動電路方案,包括驅(qū)動器的選擇、電源設(shè)...
GPIO是通用輸入/輸出端口的簡稱,是STM32可控制的引腳。GPIO的引腳與外部硬件設(shè)備連接,可實現(xiàn)與外部通訊、控制外部硬件或者采集外部硬件數(shù)據(jù)的功能。
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化層半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為電子工...
TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式,常用于MOSFET。
MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開關(guān)電路也主要分為兩種。
2023-05-16 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOS管漏極 2.3k 0
晶體管開關(guān)電路在現(xiàn)在電路設(shè)計中十分常見。經(jīng)典的74LS、74ALS等集成電路內(nèi)部采用晶體管開關(guān)電路,但只有普通的驅(qū)動能力。三極管開關(guān)電路分為兩大類,一類...
2023-02-15 標(biāo)簽:開關(guān)電路電路設(shè)計MOS管 2.3k 0
引言:MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)的縮...
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管 2.3k 0
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