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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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在OUT端為高電平期間，A點(diǎn)電位會(huì)由于電容Cboot 上的電荷泄漏等原因而下降。這會(huì)使得B點(diǎn)電位下降，N4的導(dǎo)通性下降。同時(shí)由于同樣的原因，OUT端電位...
2019-06-19 標(biāo)簽：電路MOS管驅(qū)動(dòng)電機(jī) 3.2萬 0
上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓，設(shè)計(jì)時(shí)當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小?，F(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用...
2019-06-19 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電壓 1.3萬 0
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定...
2019-06-19 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管電壓 1.8萬 0
在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（如馬達(dá)），這個(gè)二極管很重要?？梢栽贛OS管關(guān)斷時(shí)為感性負(fù)載的...
2019-06-19 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管電壓 15.1萬 2
MOS管是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電子電路中，特別是具有上述要求前級放大器顯示器出越性。根據(jù)MOS管兩大類型--結(jié)型M...
有了以上模型，就好辦了，尤其從運(yùn)放這張圖中，可以一眼看出，這就是一個(gè)反相積分電路，當(dāng)輸入電阻較大時(shí)，開關(guān)速度比較緩慢，Cgd這顆積分電容影響不明顯，但是...
不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損...
關(guān)于 MOSFET 的 W 和 L 對其閾值電壓 Vth 的影響，實(shí)際在考慮工藝相關(guān)因素后都是比較復(fù)雜，但是也可以有一些簡化的分析，這里主要還是分析當(dāng)晶...
MOSFET開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間定義
電路設(shè)計(jì)的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才...
在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導(dǎo)2個(gè)參數(shù)，輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間，而低頻互導(dǎo)一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi)，特殊的可達(dá)100mS，甚至更高。
2019-06-18 標(biāo)簽：MOSFETMOS管絕緣柵場效應(yīng) 5.4萬 0
在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏...
2019-06-18 標(biāo)簽：MOS管電源電路驅(qū)動(dòng)電壓 1.2萬 0
由于MOSFET的功率耗散很大程度上取決于其導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），計(jì)算RDS（ON）看似是一個(gè)很好的著手之處。但MOSFET的導(dǎo)通電阻取決于結(jié)溫T...
除了RDS（ON）之外，在MOS管的選擇過程中還有幾個(gè)MOS管參數(shù)也對電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下，設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊上的安全工作區(qū)（SO...
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管型號和增...
2019-06-18 標(biāo)簽：電流MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.3萬 0
搞懂MOS管：MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
由上圖結(jié)構(gòu)我們可以看到 MOS 管類似三極管，也是背靠背的兩個(gè)PN結(jié)！三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區(qū)通過電子-空穴復(fù)合來控制CE之間的...
DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結(jié)構(gòu)式、陶瓷低熔玻璃封裝式)等。D...
模擬電路和數(shù)字電路設(shè)計(jì)/制作方面的差別
下一步, 就是要把這些東西變成實(shí)實(shí)在在的電路:小Boss.綜合電路:推薦武器: Design Compiler (DC)數(shù)字電路需要用到Design C...
學(xué)習(xí)并理解LLC：LLC電路是如何實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)的？
與電阻不同，電感和電容都不是純阻性線性器件，電感的感抗XL和電容的容抗Xc都與頻率有關(guān)，當(dāng)加在電感和電容上的頻率發(fā)生變化時(shí)，它們的感抗XL和容抗Xc會(huì)發(fā)生變化。
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