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標簽 > 功率損耗
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負載開關IC數(shù)據(jù)表中相關術語和功率損耗計算方法
在前面的內(nèi)容中,我們了解了負載開關IC的基本定義、獨特優(yōu)點、實用功能及其操作,今天作為【負載開關IC】系列的最后一篇內(nèi)容,芝子將帶著大家了解一下負載開關...
高頻率開關的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。...
在過去十年中,移動無線數(shù)據(jù)快速增長,使得運營商愈加迫切地需要新頻段和新技術,以滿足用戶對無線數(shù)據(jù)容量的需求。這種需求不僅推動了無線技術的發(fā)展,也增加了對...
大多數(shù)人都知道,當電流通過走線(導體)時,走線將會變熱。這種溫度升高是由于走線電阻內(nèi)耗散的I2R功率損耗引起的。銅走線的電阻主要取決于其幾何形狀(橫截面...
數(shù)據(jù)手冊就是電子元件的使用說明書,在電路設計之前,十分有必要通讀數(shù)據(jù)手冊,并了解產(chǎn)品的重要性能參數(shù)。在MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中極限值表格中的總功率損耗P...
MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調(diào)試中非常關鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗...
水內(nèi)冷發(fā)電機轉子繞組的交流阻抗和功率損耗測試方法
轉子繞組的交流阻抗和功率損耗設備清單和要求a)溫度計(誤差±1℃)b)220V調(diào)壓器,容量可根據(jù)廠家提供的本項試驗數(shù)據(jù)中電流值定;c)0.5級交流電壓表...
從傳統(tǒng)的模擬型電源到高效的開關電源,電源的種類和大小千差萬別。它們都要面對復雜、動態(tài)的工作環(huán)境。設備負載和需求可能在瞬間發(fā)生很大變化。即使是日常使用的開...
利用數(shù)字電源和優(yōu)化功率器件降低數(shù)據(jù)中心的功率損耗
能效已經(jīng)成為決定電子元件、子系統(tǒng)和系統(tǒng)設計能否取得成功的主要因素之一。過去幾年,計算和通信設備制造商一直在內(nèi)部推動技術規(guī)格的發(fā)展和在外部向用戶宣傳這些技...
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